公开(公告)号：CN112813409A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011286501.2

申请日：2020-11-17

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 野口仁 ,  德田规夫 ,  松本翼

IPC: C23C16/27

Abstract: 本发明为一种形成具有氮空位中心的金刚石晶体层的金刚石衬底的制造方法，其为利用CVD法并使用包含烃气与氢气的原料气体而在基底衬底上形成金刚石晶体的方法，该方法中，为了在所述金刚石晶体的至少一部分形成所述具有氮空位中心的金刚石晶体层，在将氮气或氮化物气体混入所述原料气体的同时，对于所述原料气体所包含的各种气体的量，将烃气的量设为0.005体积％以上且6.000体积％以下；将氢气的量设为93.500体积％以上且小于99.995体积％；将氮气或氮化物气体的量设为5.0×10‑5体积％以上且5.0×10‑1体积％以下。由此，提供一种金刚石衬底的制造方法，其通过以规定的条件进行CVD，能够在基底衬底上形成一种NV轴为[111]高度取向且具有高密度的氮‑空位中心(NVC)的金刚石晶体。

公开(公告)号：CN104451868B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201410478813.1

申请日：2014-09-18

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 野口仁 ,  竹内大辅 ,  山崎聪 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  牧野俊晴 ,  大串秀世

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B25/16 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明提供在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶金刚石而制造高质量的单晶金刚石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量晶种基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化的工序；(3)以下两工序中之一，即，(3a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶金刚石的工序。

公开(公告)号：CN102296362A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110177039.7

申请日：2011-06-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁 ,  白井省三

IPC: C30B25/18

CPC classification number: C30B29/04 ,  C30B25/183 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供一种能够让大面积高结晶性单结晶金刚石生长的，以及可以低成本制造高品质单结晶金刚石基板的单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法。具体地说，本发明提供了一种单晶金刚石生长用基体材料，其特征在于所述基体材料包括：由线膨胀系数比MgO要小，且为0.5×10-6/K以上的材料构成的基本基体材料；在所述基本基体材料的使所述单晶金刚石生长侧，用贴合法形成的单晶MgO层；以及在所述单晶MgO上使其异质外延生长的铱膜、铑膜、铂膜的任意一个构成的膜。

公开(公告)号：CN102031561A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010226112.0

申请日：2010-07-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C30B25/183 ,  C30B29/04 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，由单晶硅基板、在单晶硅基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的MgO膜、在MgO膜上异质外延生长的铱膜或铑膜组成。

公开(公告)号：CN101892521A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010167218.8

申请日：2010-04-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02527 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/02 ,  C30B29/04 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0657 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24488

Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够以良好的再现性和低成本制造均匀并且结晶性高的单晶金刚石的单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。该单晶金刚石层生长用基板是用于生长单晶金刚石层的基板，其由材质为单晶金刚石的基材，以及在基材的单晶金刚石层生长侧上异质外延生长成的铱膜或铑膜形成，并且基材的单晶金刚石层生长侧的表面的周端部形成曲率半径(r)≥50μm的倒角形。

公开(公告)号：CN119731377A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380062390.2

申请日：2023-08-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C23C14/14 ,  C23C16/27 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为一种衬底基板，在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中，具有：单晶Si{111}基板、单晶α‑Al2O3{0001}基板等中的任意一种的初始基板与在所述初始基板上的中间层，所述初始基板的最外侧表面相对于立方晶面取向{111}在晶轴 方向具有偏离角、或者相对于六方晶面取向{0001}在晶轴 或 方向具有偏离角。由此，提供一种可将高品质的单晶金刚石层制膜的衬底基板，该高品质的单晶金刚石层能够应用于电子·磁性装置、面积大(口径大)、结晶性高且凸起、栾晶等异常生长颗粒、位错缺陷等少、纯度高且应力低。

公开(公告)号：CN118660994A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380020747.0

申请日：2023-02-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为一种衬底基板，其在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中，具有初始基板与在所述初始基板上的中间层，所述初始基板为单晶Si{111}基板、单晶α‑Al2O3{0001}基板等中的任意一种，所述初始基板的最外层表面无偏离角，或者相对于立方晶面取向{111}在晶轴 方向具有偏离角，或者相对于六方晶面取向{0001}在晶轴 或 方向具有偏离角等。由此，提供一种可将单晶金刚石层制膜的衬底基板，所述单晶金刚石层能够适用于电气·磁力设备，面积大(口径大)，结晶性高且凸起、异常生长颗粒、位错缺陷等少，纯度高且应力低、品质高。

公开(公告)号：CN111270307B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN201911222448.7

申请日：2019-12-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明提供一种具有可适用于电子器件及磁器件的、大口径且高品质的单晶金刚石(111)的层叠基板、大口径单晶金刚石(111)自支撑基板、所述层叠基板的制造方法及自支撑基板的制造方法。所述层叠基板为包含单晶金刚石(111)层的层叠基板，其包括基底基板、该基底基板上的中间层、及该中间层上的所述单晶金刚石(111)层，所述基底基板的主表面相对于晶面取向(111)，在结晶轴[＿1＿1 2]方向或其三次对称方向上，以‑8.0°以上‑0.5°以下或+0.5°以上+8.0°以下的范围具有偏离角，所述单晶金刚石(111)层相对于晶面取向(111)，在结晶轴[＿1＿1 2]方向或其三次对称方向上，以大于‑10.5°且小于‑2.0°或大于+2.0°且小于+10.5°的范围具有偏离角。

公开(公告)号：CN115555744A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210774721.2

申请日：2022-07-01

Applicant: 信越聚合物株式会社 ,  信越化学工业株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学

Inventor： 池野顺一 ,  山田洋平 ,  铃木秀树 ,  松尾利香 ,  野口仁

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明提供一种金刚石基板制造方法，能够降低将单晶金刚石加工成金刚石基板时的损失量。金刚石基板制造方法包括：将使激光(B)聚光的激光聚光部(190)配置为面对单晶金刚石晶块(10)的上表面(10a)的工序；以及使用激光聚光部(190)以规定照射条件朝晶块(10)的上表面(10a)照射激光(B)，使激光(B)聚光于晶块(10)的内部，同时使激光聚光部(190)和晶块(10)以二维状相对移动，从而从晶块(10)的上表面(10a)至规定深度沿着单晶金刚石的(111)面形成包含石墨加工痕(21b)和从该加工痕(21b)开始沿着(111)面延伸的裂纹(22b)的改性层(20)的工序。

公开(公告)号：CN108788449B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN201810360957.5

申请日：2018-04-20

Applicant: 信越聚合物株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 池野顺一 ,  山田洋平 ,  铃木秀树 ,  野口仁

IPC: B23K26/00 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。