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公开(公告)号：CN109659225B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201811126804.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K101/42
Abstract: 本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN109659225A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811126804.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K101/42
Abstract: 本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN108788449A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810360957.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学 , 信越化学工业株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/7813 , B23K26/0006 , B32B43/006 , C30B29/16 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02414 , H01L21/02527 , B23K26/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。
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公开(公告)号：CN110246758B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910177308.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/78 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。解决课题的手段为一种基板制造方法：进行第1工序，在氧化镁单晶基板光的激光聚光设备；然后，进行第2工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；进一步，进行第3工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而在第2工序中照射时的相邻的照射线(L1)之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。(20)的被照射面上非接触地配置将激光进行聚
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公开(公告)号：CN115555743A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210772090.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石基板制造方法，能够降低将单晶金刚石加工成金刚石基板时的损失量。金刚石基板制造方法包括：将使激光(B)聚光的激光聚光部(190)配置为面对单晶金刚石晶块(10)的上表面(10a)的工序；从激光聚光部(190)朝晶块(10)的上表面(10a)照射激光(B)，在晶块(10)的一部分区域，从晶块(10)的上表面(10a)至规定深度沿着单晶金刚石的(111)面形成包含石墨加工痕(21)和从该加工痕(21)开始沿着(111)面延伸的裂纹(22)的改性层(20)的工序；以及从改性层(20)至晶块(10)的上表面(10a)的剩余区域的规定深度，使开裂自发地传播而形成开裂面(25)的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110246758A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910177308.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/78 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。解决课题的手段为一种基板制造方法：进行第1工序，在氧化镁单晶基板(20)的被照射面上非接触地配置将激光进行聚光的激光聚光设备；然后，进行第2工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；进一步，进行第3工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而在第2工序中照射时的相邻的照射线(L1)之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN115555744A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210774721.2
申请日：2022-07-01
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石基板制造方法，能够降低将单晶金刚石加工成金刚石基板时的损失量。金刚石基板制造方法包括：将使激光(B)聚光的激光聚光部(190)配置为面对单晶金刚石晶块(10)的上表面(10a)的工序；以及使用激光聚光部(190)以规定照射条件朝晶块(10)的上表面(10a)照射激光(B)，使激光(B)聚光于晶块(10)的内部，同时使激光聚光部(190)和晶块(10)以二维状相对移动，从而从晶块(10)的上表面(10a)至规定深度沿着单晶金刚石的(111)面形成包含石墨加工痕(21b)和从该加工痕(21b)开始沿着(111)面延伸的裂纹(22b)的改性层(20)的工序。
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公开(公告)号：CN108788449B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201810360957.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学 , 信越化学工业株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K101/40
Abstract: 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。
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公开(公告)号：CN108400157B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201810104358.7
申请日：2018-02-02
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金泽大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。
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公开(公告)号：CN107130293A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710103267.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/04 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L29/1602 , C23C16/27 , C30B25/02 , C30B33/12
Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。
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