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公开(公告)号：CN104058728B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410231248.9
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供能够实现适合于蓝色LED及太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和无结节成膜的溅射用靶、用于得到它的最佳氧化物烧结体及其制造方法。该氧化物烧结体是由铟和铈的氧化物构成，而且铈的含量以Ce/(In+Ce)原子数比计为0.3～9原子％，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒进行细微地分散，将由氧化铟粉末和氧化铈粉末构成的各个平均粒径为1.5μm以下的原料粉末进行混合，然后对混合粉末进行成形，并利用常压烧结法对成形物进行烧结，或者利用热压法对混合粉末进行成形并烧结。
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公开(公告)号：CN103641449B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310524759.5
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于35原子%。
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公开(公告)号：CN102791475B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180011941.X
申请日：2011-03-01
Applicant: 住友金属矿山株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/024 , C23C14/0676 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3471 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L33/42 , Y02E10/52 , Y10T428/265
Abstract: 通过在基体上形成最佳的缓冲层，提供包含透明导电膜层的层合体，该透明导电膜层包含含有结晶性更优异的锐钛矿相、具有高折射率和低电阻、以氧化钛为主成分并含有铌等添加元素的氧化物薄膜，提供具备该层合体的半导体发光元件或太阳能电池等功能元件。该层合体的特征在于在基体上形成缓冲层，该缓冲层包含选自氧化镓薄膜、包含镓、铟和氧的氧化物薄膜以及包含镓、铟、铝和氧的氧化物薄膜中的至少一种以上薄膜，在该缓冲层上形成有透明导电膜层，该透明导电膜层包含以氧化钛为主成分、含有选自铌、钽、钼、砷、锑和钨的至少一种以上元素的氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN104685634A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380049309.3
申请日：2013-10-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的课题在于，通过氧化物结晶质薄膜提供具有比较高的载流子迁移率并且适宜作为TFT的信道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明的氧化物半导体薄膜，其中，所述氧化物半导体薄膜由含有铟和钨的氧化物构成，并且，钨含量以W/In原子数比计为0.005～0.12，并且，所述氧化物半导体薄膜是结晶质薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成，并且，载流子浓度为1×1018cm-3以下，载流子迁移率高于1cm2/Vsec。此外，构成氧化物半导体薄膜的氧化物中，还可以含有锌以使其含量以Zn/In原子数比计处于0.05以下的范围。
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公开(公告)号：CN103030381B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210572958.9
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体及其制造方法、靶、使用该靶得到的透明导电膜以及透明导电性基材。本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于20原子%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102792387A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013835.5
申请日：2011-03-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
CPC classification number: C23C14/08 , C01G15/00 , C01G15/006 , C01P2002/50 , C04B35/01 , C04B37/026 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/783 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，其特征在于，是以氧化铟为主成分且含有铈的结晶透明导电膜，铈的含量以Ce/(In＋Ce）原子数比计为0.3～9原子%，用离子镀敷法成膜且算术平均高度（Ra）为1.0nm以下；还提供一种透明导电膜，其特征在于，是以氧化铟为主成分、含有铈、进一步含有选自由钛、锆、铪、钼以及钨组成的金属元素组中的一种以上金属元素作为金属元素（M元素）的结晶透明导电膜，铈的含量以Ce/（In＋Ce＋M）原子数比计为0.3～9原子%、且M元素的含量以M/（In＋Ce＋M）原子数比计为1原子%以下，用离子镀敷法成膜且算术平均高度（Ra）为1.0nm以下。
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公开(公告)号：CN101460425B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200780020927.X
申请日：2007-05-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B35/453 , C04B35/62695 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/661 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/12618 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供以氧化锌为主要成分，进一步含有镁的氧化物烧结体、用其加工而成的靶、用其通过直流溅射法或离子电镀法制得的耐化学试剂性优良的小电阻透明导电膜、以及透明导电性基材。通过以下方案达成：含有氧化锌和镁，并且，镁的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子数比计为0.02～0.30的氧化物烧结体；进一步含有镓和/或铝，其含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子数比计大于0并为0.08以下，并且，镁的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子数比计为0.02～0.30的氧化物烧结体；用这些氧化物烧结体加工制得的靶；用该靶通过溅射法或离子电镀法在基板上形成的透明导电膜等。
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公开(公告)号：CN101164966A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710163836.3
申请日：2007-09-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/06 , C23C14/34
CPC classification number: C04B35/6261 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/763 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供以氧化锌为主要成分，进一步含有铝、镓的氧化物烧结体及其制造方法；采用溅射法等完全不产生异常放电、能够连续且长时间成膜的靶；以及采用它的低电阻且高透射性的高品质的透明导电膜；高转换效率的太阳能电池。其通过氧化物烧结体等而提供，该氧化物烧结体含有氧化锌、铝、镓，是实质上由纤锌矿型氧化锌相和尖晶石型氧化物相的结晶相构成的氧化物烧结体，其特征在于，(1)氧化物烧结体中的铝和镓的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子数比计为0.3～6.5原子％，并且，铝和镓的含量以Al/(Al+Ga)原子数比计为30～70原子％；(2)尖晶石型氧化物相中的铝的含量以Al/(Al+Ga)原子数比计为10～90原子％。
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公开(公告)号：CN1965376A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018592.9
申请日：2005-06-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/3414 , Y10T428/12618 , Y10T428/24975 , Y10T428/24992 , Y10T428/26 , Y10T428/269
Abstract: 本发明提供一种非晶质、且在可见光短波长区的光透射率高、对弯曲不易破裂的透明导电膜。本发明的透明导电膜为由Ga、In和O构成的非晶质氧化物膜，相对全部金属原子含有35原子％以上、45原子％以下的Ga，比电阻为1.2×10－3Ω·cm以上、8.0×10－3Ω·cm以下，膜厚为500nm以下，在波长380nm下的光透射率为45％以上。
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公开(公告)号：CN1938791A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010515.9
申请日：2005-09-13
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/08 , C03C17/36 , C03C17/3647 , C23C14/086 , Y10T428/249921
Abstract: 本发明提供新的透明导电性薄膜叠层膜，其不仅在可见光区的透射率高、且具有低的表面电阻(6～500Ω/□)，而且在波长380～400nm的可见光短波长区或更短波长的300～380nm的近紫外区也兼具高的光透射率。金属薄膜11的表面被透明氧化物薄膜10、12覆盖的叠层结构的透明导电膜。透明氧化物薄膜10、12是主要由镓、铟和氧构成的非晶质氧化物薄膜、或者是主要由镓和氧构成的非晶质氧化物薄膜，透明氧化物薄膜10、12中所含的镓的比例相对于全部金属原子为35原子％以上100原子％以下。
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