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公开(公告)号：CN116377407B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310369719.1
申请日：2023-04-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供金属Nb靶材和Si基衬底，固定Si基衬底温度为室温，并在室温条件下，调节N2和Ar质量流量比为20％～50％，溅射功率为50W～400W，沉积气压为3.0mTorr～10.0mTorr，在Si基衬底上沉积得到应力范围为‑500MPa～500MPa、厚度为70～150nm的NbN超导薄膜。通过对N2和Ar质量流量比、溅射功率以及沉积气压这三个参数的协同控制，即可以简单高效制备得到低应力NbN超导薄膜，制备得到的NbN超导薄膜应力范围满足超导动态电感探测器的制备需求，可批量工业化生产。
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公开(公告)号：CN116377407A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310369719.1
申请日：2023-04-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供金属Nb靶材和Si基衬底，固定Si基衬底温度为室温，并在室温条件下，调节N2和Ar质量流量比为20％～50％，溅射功率为50W～400W，沉积气压为3.0mTorr～10.0mTorr，在Si基衬底上沉积得到应力范围为‑500MPa～500MPa、厚度为70～150nm的NbN超导薄膜。通过对N2和Ar质量流量比、溅射功率以及沉积气压这三个参数的协同控制，即可以简单高效制备得到低应力NbN超导薄膜，制备得到的NbN超导薄膜应力范围满足超导动态电感探测器的制备需求，可批量工业化生产。
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公开(公告)号：CN119966371A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510450791.6
申请日：2025-04-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种低温低噪声放大装置，包括：壳体、设置于壳体内的输入匹配传输线盒体、第一级放大器盒体和后级放大器盒体；其中，输入匹配传输线盒体、第一级放大器盒体和后级放大器盒体之间依次通过转接密封头可拆卸地连接。本申请提供的低温低噪声放大装置中，输入匹配传输线盒体、第一级放大器盒体和后级放大器盒体均为独立的盒体结构，且盒体之间通过转接密封头可拆卸地连接。有效提升了低温低噪声放大装置的结构灵活性，从而降低低温低噪声放大装置测试过程中的操作复杂程度，进而有利于提升测试效率。
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公开(公告)号：CN119834832A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510258647.2
申请日：2025-03-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及射电天文信号处理技术领域，公开了一种射频干扰消减方法、系统、设备及介质，其中，所述方法包括：获取目标观测数据；对目标观测数据进行第一分段处理，得到若干第一分段数据；确定各第一分段数据的幅度均值，按照幅度均值的大小排序，得到均值排序序列；对均值排序序列进行第二分段处理，得到若干第二分段数据；若第二分段数据中存在跳变点，则确定幅度均值最小的跳变点为目标跳变点；所述目标跳变点用于表征射频干扰的存在；基于目标跳变点，确定均值排序序列中的底噪序列，以消减射频干扰，解决了如何快速、高效、高精度地消减射频干扰的技术问题，达到了提升处理效率以满足实时性需求的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119535010A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411553117.2
申请日：2024-11-01
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R27/26
Abstract: 本申请是关于一种射频接头的插损测试方法、系统及装置。插损测试方法包括将第一测试电路板在多个频点处的第一散射参数矩阵转换为第一级联参数矩阵；将第二测试电路板在多个频点处的第二散射参数矩阵转换为第二级联参数矩阵，第一传输线和第二传输线的单位长度之差为1；根据每一频点处的第一级联参数矩阵和第二级联参数矩阵，获取每一频点处一段单位长度传输线的第三级联参数矩阵；利用第一测试电路板作为非零长度直通校准件、第二测试电路板作为线校准件，通过TL去嵌入校准方法，获取多个频点处一段单位长度传输线与射频接头级联的第四级联参数矩阵；根据第四级联参数矩阵和第三级联参数矩阵，得到单个射频接头在多个频点处的插损。
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公开(公告)号：CN119011030A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411471224.0
申请日：2024-10-22
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/556 , H04B10/564 , H04B17/00 , H04B17/391
Abstract: 本发明涉及一种射电天文信号与射频干扰模拟方法及其应用、设备及介质，包括备选射电天文信号生成、备选射频干扰生成、当次射电天文信号与射频干扰产生、天线阵列模拟、采集系统模拟、网络传输模拟和源数据生成等部分，能够基于实测与仿真信号，在时域、频域、空域和功率域随机生成含有射电天文信号和射频干扰的混合信号，并通过模拟不同接收天线阵列和采集系统响应，生成数据集，可作为测试数据通过网络传输至射电天文信号处理系统，也可生成深度学习所需带有标签的源数据为科学研究提供支撑。与现有技术相比，本发明通过仿真与实测信号利用相结合的方法，解决了射电望远镜后端处理系统所需测试数据的产生问题，模拟的信号与场景更加复杂且逼真。
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公开(公告)号：CN118401088B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410854175.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导动态电感探测器及其制备方法，该超导动态电感探测器包括衬底和超导层，该衬底内设有多个深硅槽；该超导层包括电容、电感线圈和超导馈线，该电容覆盖深硅槽内壁和位于衬底表面，该超导馈线和电感线圈位于衬底表面，通过电感线圈将各电容相互连接，通过超导馈线将电容产生的电信号导出。该超导动态电感探测器尺寸较小，且受到噪音影响较小。
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公开(公告)号：CN118401088A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410854175.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导动态电感探测器及其制备方法，该超导动态电感探测器包括衬底和超导层，该衬底内设有多个深硅槽；该超导层包括电容、电感线圈和超导馈线，该电容覆盖深硅槽内壁和位于衬底表面，该超导馈线和电感线圈位于衬底表面，通过电感线圈将各电容相互连接，通过超导馈线将电容产生的电信号导出。该超导动态电感探测器尺寸较小，且受到噪音影响较小。
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公开(公告)号：CN117070892B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311002593.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种两步控制N2分压降低NbN薄膜内应力和提高超导转变温度的方法，包括以下步骤：先使用N2/Ar气体质量流量比40％～65％沉积NbN缓冲薄膜层，溅射时间为1～112s，NbN缓冲薄膜层厚度为0.1～5nm；再使用N2/Ar气体质量流量比15％～35％沉积NbN主要薄膜层，溅射时间为150～450s，NbN主要薄膜层厚度为10～30nm；最终得到低内应力和高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法通过两步控制N2分压在衬底上实现两层薄膜层生长，制备工艺简单，改善效果良好，可实现大规模生产。
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