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公开(公告)号：CN119376015A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411239785.8
申请日：2024-09-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/13 , B29C64/106 , B33Y10/00 , G01B11/30 , G06N10/40 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/42 , G02B27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直微镜的量子计算芯片、晶上系统及其仿真器修正方法，通过对深刻蚀垂直结构进行侧壁平滑可以形成小于5nm粗糙度的垂直微镜结构，可以大幅降低光照射在硅基光学器件侧壁界面上的损耗，在硅晶圆上开发了量子计算芯片，实现了宏观空间光学和硅基光电子学之外的另一种光计算芯片结构，且工艺过程与先进封装工艺完全兼容，可以实现感、存、算的光电晶圆级系统集成。对于集成量子计算芯片、集成电路芯片(和光传感芯片)的晶上系统，通过垂直微镜技术降低TSV传输信号的串扰、损耗和延迟，而且通过法珀干涉实现了侧壁粗糙度的间接测量，进而对理想晶上系统仿真器进行修正，使其仿真器的仿真结果更接近晶上系统的真实测量结果。
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公开(公告)号：CN118759641B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411251008.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/138
Abstract: 本申请提供一种光子引线及其制备方法和应用。所述光子引线的制备方法包括将光子引线虚拟原型进行细分处理得到多个细分部分，将多个细分部分中虚拟支撑台的中心线设计成直线，虚拟支撑跨梁的中心线设计成抛物线或悬链线。在制图软件中建立空间直角坐标系并绘制出各个细分部分的中心线，然后对各个中心线进行三维等距离拉伸形成光子引线的三维模型，输出光子引线文件并将其导入至光刻设备中，将光刻设备内置的三维空间坐标系与空间直角坐标系进行对准，并设计光刻设备的工艺参数，对形成于基板上的光刻胶进行光刻，再进行显影和干燥处理制备得到光子引线。本申请提供的制备方法可以制备出结构稳定可靠的光子引线。
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公开(公告)号：CN117410300A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311350658.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L27/146 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种基于超透镜的超导动态电感探测器，包括硅衬底；超导动态电感像素单元阵列，所述超导动态电感像素单元阵列沉积在所述硅衬底表面；和超透镜阵列，所述超透镜阵列通过以超导动态电感像素单元阵列为基准采用背面光刻对准工艺刻蚀所述硅衬底背面得到，所述超透镜阵列用于将垂直入射光聚焦到所述超导动态电感像素单元阵列上，通过所述超导动态电感像素单元阵列将聚焦的入射光转化为电信号从而完成对入射光的探测。该超导动态电感探测器能够将入射光准确的聚焦到超导动态电感像素单元阵列上从而能够准确的探测入射光。本发明还公开了该基于超透镜的超导动态电感探测器的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117026194A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311150986.6
申请日：2023-09-07
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本公开是关于一种磁控溅射镀膜装置及薄膜制备方法。磁控溅射镀膜装置包括传递仓、镀膜仓、可开合的连通部以及传递部。镀膜仓内设有供电端、靶位组件和基底组件，供电端与靶位组件和基底组件分别电连接。连通部设于传递仓和镀膜仓之间，用于连通或阻断传递仓和镀膜仓。传递部可活动地设于传递仓和镀膜仓。薄膜制备方法包括对镀膜仓抽真空；对基底进行物理清洗；将基底放入传递仓中的传递部，对传递仓抽真空；打开连通部，将基底运输至镀膜仓；对基底进行化学清洗；对靶材进行预溅射；在基底表面沉积薄膜。本公开提供的磁控溅射镀膜装置和薄膜制备方法能够减少抽真空时间，提高镀膜效率，并且生成致密均匀的薄膜。
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公开(公告)号：CN117888080A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410294017.6
申请日：2024-03-14
Applicant: 之江实验室
IPC: C23C16/40 , C23C16/513 , C23C16/455
Abstract: 本申请公开二氧化硅薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺，包括如下：S1）将衬底置于反应腔内，加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并保持第一预设时长；S2）对反应腔抽真空至第一压力预设值，反应腔内的温度值为第一温度预设值；S3）向反应腔内通入TEOS气体，反应腔内的温度值为第二温度预设值，真空度为第二压力预设值；S4）开启射频电源，反应腔内的温度值为第三温度预设值，以及反应腔内的真空度为第三压力预设值，在衬底上沉积二氧化硅薄膜，以获得所需的二氧化硅薄膜。第一温度预设值、第二温度预设值和第三温度预设值为0℃‑80℃。由于采用TEOS源并结合前述工艺条件，形成的二氧化硅薄膜耐腐蚀性好。
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公开(公告)号：CN118759641A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411251008.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/138
Abstract: 本申请提供一种光子引线及其制备方法和应用。所述光子引线的制备方法包括将光子引线虚拟原型进行细分处理得到多个细分部分，将多个细分部分中虚拟支撑台的中心线设计成直线，虚拟支撑跨梁的中心线设计成抛物线或悬链线。在制图软件中建立空间直角坐标系并绘制出各个细分部分的中心线，然后对各个中心线进行三维等距离拉伸形成光子引线的三维模型，输出光子引线文件并将其导入至光刻设备中，将光刻设备内置的三维空间坐标系与空间直角坐标系进行对准，并设计光刻设备的工艺参数，对形成于基板上的光刻胶进行光刻，再进行显影和干燥处理制备得到光子引线。本申请提供的制备方法可以制备出结构稳定可靠的光子引线。
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公开(公告)号：CN118401088B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410854175.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导动态电感探测器及其制备方法，该超导动态电感探测器包括衬底和超导层，该衬底内设有多个深硅槽；该超导层包括电容、电感线圈和超导馈线，该电容覆盖深硅槽内壁和位于衬底表面，该超导馈线和电感线圈位于衬底表面，通过电感线圈将各电容相互连接，通过超导馈线将电容产生的电信号导出。该超导动态电感探测器尺寸较小，且受到噪音影响较小。
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公开(公告)号：CN118401088A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410854175.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导动态电感探测器及其制备方法，该超导动态电感探测器包括衬底和超导层，该衬底内设有多个深硅槽；该超导层包括电容、电感线圈和超导馈线，该电容覆盖深硅槽内壁和位于衬底表面，该超导馈线和电感线圈位于衬底表面，通过电感线圈将各电容相互连接，通过超导馈线将电容产生的电信号导出。该超导动态电感探测器尺寸较小，且受到噪音影响较小。
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