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公开(公告)号：CN117410300A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311350658.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L27/146 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种基于超透镜的超导动态电感探测器，包括硅衬底；超导动态电感像素单元阵列，所述超导动态电感像素单元阵列沉积在所述硅衬底表面；和超透镜阵列，所述超透镜阵列通过以超导动态电感像素单元阵列为基准采用背面光刻对准工艺刻蚀所述硅衬底背面得到，所述超透镜阵列用于将垂直入射光聚焦到所述超导动态电感像素单元阵列上，通过所述超导动态电感像素单元阵列将聚焦的入射光转化为电信号从而完成对入射光的探测。该超导动态电感探测器能够将入射光准确的聚焦到超导动态电感像素单元阵列上从而能够准确的探测入射光。本发明还公开了该基于超透镜的超导动态电感探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN117389022B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311712643.4
申请日：2023-12-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种望远镜光学系统及光学成像方法。望远镜光学系统望远镜光学系统包括：主光学系统、探测器光学系统，其中，主光学系统和探测器光学系统之间还设有改正透镜模块，主光学系统用于接收各入射光，并将接收到的入射光汇聚到改正透镜模块，改正透镜模块用于接收汇聚后的入射光，并对汇聚后的入射光的像差进行校正，并将校正后的入射光传输给探测器光学系统，探测器光学系统用于基于汇聚后的入射光进行成像，得到目标图像。
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公开(公告)号：CN116878666A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310759172.6
申请日：2023-06-26
Applicant: 之江实验室
IPC: G01J5/46
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹动态电感热辐射计，包括超导薄膜层、太赫兹天线、截止层和Si衬底，超导薄膜层和太赫兹天线分别沉积于截止层上，截止层沉积于Si衬底上；超导薄膜层包括超导馈线、叉指电容和电感线圈，叉指电容与电感线圈并连形成振荡电路，太赫兹天线与电感线圈相邻，用于将接收的太赫兹信号转换成热量使得电感线圈产生电感变化，通过电感变化使得叉指电容内的共振频率发生改变，超导馈线接收变化的共振频率，通过变化的共振频率能够得到太赫兹信号的光强从而完成太赫兹信号的探测。该太赫兹动态电感热辐射计能够准确的探测太赫兹信号，受温度影响较少；本发明还提供了一种太赫兹动态电感热辐射计的制备方法和太赫兹探测系统。
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公开(公告)号：CN117389022A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311712643.4
申请日：2023-12-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种望远镜光学系统及光学成像方法。望远镜光学系统望远镜光学系统包括：主光学系统、探测器光学系统，其中，主光学系统和探测器光学系统之间还设有改正透镜模块，主光学系统用于接收各入射光，并将接收到的入射光汇聚到改正透镜模块，改正透镜模块用于接收汇聚后的入射光，并对汇聚后的入射光的像差进行校正，并将校正后的入射光传输给探测器光学系统，探测器光学系统用于基于汇聚后的入射光进行成像，得到目标图像。
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公开(公告)号：CN118401088B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410854175.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导动态电感探测器及其制备方法，该超导动态电感探测器包括衬底和超导层，该衬底内设有多个深硅槽；该超导层包括电容、电感线圈和超导馈线，该电容覆盖深硅槽内壁和位于衬底表面，该超导馈线和电感线圈位于衬底表面，通过电感线圈将各电容相互连接，通过超导馈线将电容产生的电信号导出。该超导动态电感探测器尺寸较小，且受到噪音影响较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118401088A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410854175.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导动态电感探测器及其制备方法，该超导动态电感探测器包括衬底和超导层，该衬底内设有多个深硅槽；该超导层包括电容、电感线圈和超导馈线，该电容覆盖深硅槽内壁和位于衬底表面，该超导馈线和电感线圈位于衬底表面，通过电感线圈将各电容相互连接，通过超导馈线将电容产生的电信号导出。该超导动态电感探测器尺寸较小，且受到噪音影响较小。
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公开(公告)号：CN117070892B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311002593.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种两步控制N2分压降低NbN薄膜内应力和提高超导转变温度的方法，包括以下步骤：先使用N2/Ar气体质量流量比40％～65％沉积NbN缓冲薄膜层，溅射时间为1～112s，NbN缓冲薄膜层厚度为0.1～5nm；再使用N2/Ar气体质量流量比15％～35％沉积NbN主要薄膜层，溅射时间为150～450s，NbN主要薄膜层厚度为10～30nm；最终得到低内应力和高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法通过两步控制N2分压在衬底上实现两层薄膜层生长，制备工艺简单，改善效果良好，可实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN117684125A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311611199.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法及其应用，包括以下步骤：固定Si衬底温度为室温，溅射功率为100W～300W，沉积气压为1mTorr～5mTorr，反应气体N2和工作气体Ar的气体质量流量比为15％～35％，溅射时间为1200s～1500s，在Si衬底上沉积得到具有高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法制备出的NbN超导薄膜的超导转变温度能够达到14.07K，且沉积温度为室温，制备方法简单可靠，可重复性好，可工业批量化生产，同时为后续NbN超导材料的机制研究、超导动态电感探测器研制及其工程应用提供了有力的材料支撑。
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公开(公告)号：CN117070892A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311002593.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种两步控制N2分压降低NbN薄膜内应力和提高超导转变温度的方法，包括以下步骤：先使用N2/Ar气体质量流量比40％～65％沉积NbN缓冲薄膜层，溅射时间为1～112s，NbN缓冲薄膜层厚度为0.1～5nm；再使用N2/Ar气体质量流量比15％～35％沉积NbN主要薄膜层，溅射时间为150～450s，NbN主要薄膜层厚度为10～30nm；最终得到低内应力和高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法通过两步控制N2分压在衬底上实现两层薄膜层生长，制备工艺简单，改善效果良好，可实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN116377407B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310369719.1
申请日：2023-04-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供金属Nb靶材和Si基衬底，固定Si基衬底温度为室温，并在室温条件下，调节N2和Ar质量流量比为20％～50％，溅射功率为50W～400W，沉积气压为3.0mTorr～10.0mTorr，在Si基衬底上沉积得到应力范围为‑500MPa～500MPa、厚度为70～150nm的NbN超导薄膜。通过对N2和Ar质量流量比、溅射功率以及沉积气压这三个参数的协同控制，即可以简单高效制备得到低应力NbN超导薄膜，制备得到的NbN超导薄膜应力范围满足超导动态电感探测器的制备需求，可批量工业化生产。
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