公开(公告)号：CN102856382B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210226273.9

申请日：2012-06-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 宫原真一朗 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅半导体器件。在碳化硅半导体器件中，多个沟槽（7）具有一个方向上的纵向方向并且以条纹图案布置。每个所述沟槽（7）均具有在所述纵向方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁。所述第一侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面中的一个平面成第一锐角，所述第二侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面的所述一个平面成第二锐角，并且所述第一锐角小于所述第二锐角。第一导电类型区（5）仅与每个所述沟槽（7）的所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁接触，并且电流通路仅形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁上。

公开(公告)号：CN105874576A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480071043.7

申请日：2014-10-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小野木淳士 ,  宫原真一朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明公开一种能够抑制在沟槽内的绝缘层中产生裂纹或空隙的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有：沟槽(20)；栅极绝缘膜(22)，其覆盖沟槽(20)的内表面；栅电极(24)，其设置于栅极绝缘膜(22)的内侧。终端区(120)具有：终端沟槽(30)，其被配置于元件区(110)的周围；第一绝缘层(32b)，其覆盖终端沟槽(30)的内表面；第二绝缘层(34b)，其被形成于第一绝缘层(32b)的内侧，且被填充于终端沟槽(30)内。第一绝缘层(32b)的折射率大于第二绝缘层(34b)的折射率。

公开(公告)号：CN105874576B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201480071043.7

申请日：2014-10-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小野木淳士 ,  宫原真一朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开一种能够抑制在沟槽内的绝缘层中产生裂纹或空隙的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有：沟槽(20)；栅极绝缘膜(22)，其覆盖沟槽(20)的内表面；栅电极(24)，其设置于栅极绝缘膜(22)的内侧。终端区(120)具有：终端沟槽(30)，其被配置于元件区(110)的周围；第一绝缘层(32b)，其覆盖终端沟槽(30)的内表面；第二绝缘层(34b)，其被形成于第一绝缘层(32b)的内侧，且被填充于终端沟槽(30)内。第一绝缘层(32b)的折射率大于第二绝缘层(34b)的折射率。

公开(公告)号：CN107112360A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580061372.8

申请日：2015-08-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  永冈达司 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  宫原真一朗 ,  金村高司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。

公开(公告)号：CN105633162A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510811532.8

申请日：2015-11-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  朽木克博 ,  青井佐智子 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66492

Abstract: 本发明涉及一种改善沟道长度与击穿电压的此消彼长的关系的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有在表面上形成有沟槽的半导体基板、沟槽内的栅绝缘层以及栅电极。在沟槽的侧面上形成有高低差。沟槽的侧面具有上部侧面、高低差的表面、下部侧面。半导体基板具有：第一导电型的第一区域，其在上部侧面处与栅绝缘层相接；第二导电型的体区，其以从与第一区域相接的位置跨至与高低差相比靠下侧的位置的方式而被配置，并且在第一区域的下侧的上部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的第二区域，其被配置于体区的下侧，并在下部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的侧部区域，其在高低差的表面处与栅绝缘层相接，并与第二区域相连。

公开(公告)号：CN107112360B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201580061372.8

申请日：2015-08-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  永冈达司 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  宫原真一朗 ,  金村高司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。

公开(公告)号：CN107004715A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066372.7

申请日：2015-07-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  小野木淳士 ,  青井佐智子 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成在半导体基板(2)上的被覆绝缘膜(31)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。在第一部分(10)与第二部分(20)相邻的部分形成有台阶部(90)。在台阶部(90)的侧面与第二部分(20)的上表面之间的角部(40)形成有角部件(50)。角部件(50)的上表面(51)随着从台阶部(90)的侧面(92)朝向第二部分(20)侧而向下方下降。被覆绝缘膜(31)从第一部分(10)延伸至第二部分(20)，并覆盖角部件(50)。

公开(公告)号：CN106024886A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610169667.3

申请日：2016-03-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  渡边行彦 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管。在俯视观察半导体基板(20)的表面(23)时，源极区(11)和第一接触区(141)在与栅极沟槽(30)的侧面(301)相接的范围内，在沿着栅极沟槽(30)的方向上邻接形成，第二接触区(142)在远离栅极沟槽(30)的范围内，与源极区(11)和第一接触区(141)邻接形成。第一接触区(141)的杂质浓度与第二接触区(142)的杂质浓度相比较低。

公开(公告)号：CN116266611A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211607049.4

申请日：2022-12-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫原真一朗 ,  原田峻丞 ,  森野友生

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括具有深层、电流扩散层、基区、高浓度区和沟槽栅极结构的垂直半导体元件。所述深层具有在一个方向上彼此分开的多个区段。所述电流扩散层位于所述深层的相邻两个区段之间。所述高浓度区位于所述基区的一部分上。所述沟槽栅极结构包括栅极沟槽、栅极绝缘膜和栅极电极。所述电流扩散层位于所述沟槽栅极结构的底部，并且具有从栅极沟槽底部延伸到深层底部或深层底部下方位置的离子注入层。

公开(公告)号：CN108026661B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201680049110.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 冈本武志 ,  近藤宏行 ,  金村高司 ,  宫原真一朗 ,  海老原康裕 ,  恩田正一 ,  土田秀一 ,  镰田功穗 ,  田沼良平

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。