公开(公告)号：CN1484864A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02803594.1

申请日：2002-01-04

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小泽隆弘 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041

Abstract: 本发明提供的III族氮化物半导体发光元件具有包括AlGaInN的组成比不同的两个层的发光层，该发光层能够发射发光峰的波长在紫外区的光和发光峰的波长在可见区的光。这样的发光元件和由紫外区的光激发的荧光材料结合，构造成发光装置。

公开(公告)号：CN1473356A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02802830.9

申请日：2002-09-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 村井俊介 ,  村上正纪 ,  小出康夫 ,  柴田直树

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的在于使n－电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n－型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，n－电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成；和第三电极材料，由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。

公开(公告)号：CN1436375A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN01810990.X

申请日：2001-07-18

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 柴田直树 ,  千田昌伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  Y10S257/918

Abstract: 一个钛层和一个氮化钛层相继地形成在一个基底上，而且一个III族氮化合物半导体层形成在其上。当使氮化钛层具有一个足够薄的薄膜厚度的情况下，去除钛层时，获得一个拥有氮化钛层的器件。

公开(公告)号：CN1181636A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97122567.2

申请日：1997-10-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00 ,  H01S3/19 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种有关GaN的材料的化合物半导体器件及其制造方法,其中在n型GaN化合物半导体层上,用选自V、Nb、Zr和Cr中的至少一种金属或含这些金属的合金制成基层。并在基层上形成由其它金属构成的主电极层。之后,将半导体层、基层和主电极层经热处理以制成n电极。

公开(公告)号：CN103367113B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310105474.8

申请日：2013-03-28

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/34 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/04 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体。所述用于制造第III族氮化物半导体的方法包括：在衬底的主表面上形成凸台；以及沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长第III族氮化物半导体，其中在生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与凸台或凹部的侧表面最平行的面是m面(1-100)，以及在将通过使加工的侧表面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，在侧面矢量与通过将生长的第III族氮化物半导体的m面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量之间的角为0.5°以上且6°以下。

公开(公告)号：CN103367113A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310105474.8

申请日：2013-03-28

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/34 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/04 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体。所述用于制造第III族氮化物半导体的方法包括：在衬底的主表面上形成凸台；以及沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长第III族氮化物半导体，其中在生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与凸台或凹部的侧表面最平行的面是m面(1-100)，以及在将通过使加工的侧表面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，在侧面矢量与通过将生长的第III族氮化物半导体的m面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量之间的角为0.5°以上且6°以下。

公开(公告)号：CN1841800A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610067005.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 牛田泰久 ,  筱田大辅 ,  山崎大辅 ,  平田宏治 ,  池本由平 ,  柴田直树 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 ,  岛村清史

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。

公开(公告)号：CN1200466C

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN01810990.X

申请日：2001-07-18

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 柴田直树 ,  千田昌伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  Y10S257/918

Abstract: 一个钛层和一个氮化钛层相继地形成在一个基底上，而且一个III族氮化合物半导体层形成在其上。当使氮化钛层具有一个足够薄的薄膜厚度的情况下，去除钛层时，获得一个拥有氮化钛层的器件。

公开(公告)号：CN1553478A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03158766.6

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。

公开(公告)号：CN1486513A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN02803753.7

申请日：2002-01-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  伊藤润 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

Abstract: 在本发明中，用(Ti1－xAx)N(其中，A是选自Al、Ga和In中的至少一种金属)作为金属氮化物层，以在金属氮化物层上形成III族氮化物半导体层。当在具有足够厚度的金属氮化物层和衬底之间形成钛层和除去钛层时，可以得到用金属氮化物作为衬底的III族氮化物半导体器件。