-
-
公开(公告)号：CN119518594A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411610684.7
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H02H3/08 , G01R19/165 , G01R19/25 , H02H1/00
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件单粒子锁定防护装置，包括主控模块、电源模块、开关模块、数据采集模块、数据储存模块、阈值比较模块、通信协议模块、负载模块等。主要原理是，通过检测被试器件的工作电流和输出功能，判定器件是否发生单粒子锁定效应；当检测到器件电流异常增大或减小时，读取被试器件的工作状态，如果工作状态也发生异常，则认为发生单粒子锁定效应，此时控制模块通过控制开关电源给被试器件断电，确保器件完全断电后，再控制电源模块给器件重新上电，并检测被试器件电流和功能是否正常，如果正常，则认为器件单粒子锁定效应防护成功。
-
公开(公告)号：CN117849581A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311786964.9
申请日：2023-12-22
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/28 , H01L21/66 , G01N3/08 , G01N3/24 , G01N23/18 , G01N29/04 , G01N23/04 , G01N19/04 , G01N33/00
Abstract: 本发明公开一种高密度倒装焊器件可靠性评价方法，分析凸点制备工艺、芯片倒装焊工艺和底部填充工艺缺陷造成的可靠性问题，根据不同工艺缺陷造成的可靠性问题，建立对倒装焊器件进行可靠性评价的指标体系，所述指标体系包括凸点共面性、凸点空洞率、凸点强度、倒装焊点空洞和偏移、倒装焊点强度、底部填充空洞率；根据每一个指标的特征确定相应的检测方法、试验条件和判据，所述检测方法包括凸点共面性检测、X射线检测、凸点剪切力测试、倒装芯片拉脱检测、键合强度检测、超声检测；从而设计检测试验，完成对高密度倒装焊器件的可靠性评价。本发明能够为国产高密度倒装焊器件封装工艺优化及型号应用提供理论依据与方法支撑。
-
公开(公告)号：CN110601696A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910651599.8
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统及方法，包括：数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线；基准源裸片通过第一管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外低温漂基准参考电压值；薄膜电阻基板通过第二管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外参考电阻值；数模转换裸片用于对输入数字信号进行电流型数模转换。本发明方法解决了由于商业流片工艺线不能提供高精度低温漂电阻及齐纳二极管而影响转换精度的问题，实现了抗辐射的高精度低温漂数模转换。
-
公开(公告)号：CN104331546B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410564718.3
申请日：2014-10-22
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种航天器用数字定制集成电路后端版图设计评估方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1，需求分析；步骤2，方案制定；步骤3，评估实施；步骤3.1，版图设计评估；步骤3.2，物理验证评估；步骤3.3，时序分析评估；步骤3.4，形式验证评估；步骤3.5，功耗分析评估；步骤3.6，后仿真评估；步骤3.7，后端版图设计交付项评估；步骤3.8，评估结论；步骤4，信息管理和文件归档，按Q/W–Q‑60‑2013的规定对定制集成电路后端版图设计评估信息进行管理，应对定制集成电路后端版图设计评估过程的文件进行归档。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105158417B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510509195.7
申请日：2015-08-18
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种系统级封装器件的结构分析方法，在SiP器件结构单元分解的基础上，对SiP器件进行力、热、力热耦合、电磁的仿真分析与评价后，在评价中考虑了SiP器件各结构单元之间的影响，包括力、热、力热耦合和电磁等；然后又进行环境应力试验，对SiP器件综合全面的分析评价。本发明提高了分析结果的可靠性，满足了航天应用的可靠性要求。
-
公开(公告)号：CN103151259B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310072231.9
申请日：2013-03-07
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/311 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种芯片钝化层去除方法，包括以下步骤：获得芯片钝化层成分及厚度；对芯片以外的其他器件区域进行保护；判断芯片最表面钝化层的成分；将处理后的芯片重新通过光学显微镜或能谱仪进行检查，查看芯片表面是否还有钝化层及其成分；如果还有钝化层，则重复上述步骤进行处理，最后清洗芯片；本发明综合考虑了不同成分钝化层的去除方式不同，有针对性地采用了不同的方法来去除芯片钝化层，使得芯片钝化层去除效果良好，能达到对各种钝化层材料及组合材料的去除都适宜。
-
公开(公告)号：CN105158417A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510509195.7
申请日：2015-08-18
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种系统级封装器件的结构分析方法，在SiP器件结构单元分解的基础上，对SiP器件进行力、热、力热耦合、电磁的仿真分析与评价后，在评价中考虑了SiP器件各结构单元之间的影响，包括力、热、力热耦合和电磁等；然后又进行环境应力试验，对SiP器件综合全面的分析评价。本发明提高了分析结果的可靠性，满足了航天应用的可靠性要求。
-
公开(公告)号：CN103792476A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410022216.8
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的热阻测试方法，包括如下步骤：1）根据半导体器件的结构，确定主要导热通道，在主要导热通道的外壳表面设置良好接触的恒温平面；2）给半导体器件加载一定的功率，待所述半导体器件达到热平衡以后，切换为向半导体器件加载测量功率，通过实时测量半导体器件的温敏参数得到测量半导体器件的结温，进而得到半导体器件的瞬态热响应曲线；3）根据所述瞬态热响应曲线确定半导体器件结到壳的热阻。本发明通过半导体器件的衬底的P区和N区加载加热功率，利用半导体器件中已有的PN结组件测量结温，因此对于不具有温敏二极管的集成电路产品和非功率型的集成电路产品，也可以准确测量其瞬态热阻。
-
公开(公告)号：CN103645682A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310568322.1
申请日：2013-11-15
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明涉及一种元器件生产过程控制方法，用于元器件生产厂全过程识别及控制，形成过程识别文件的方法。该方法基于生产厂PID建设、PID试运行、用户方PID审查、PID固化、PID维护及PID变更要求的总体流程，将元器件生产过程控制分为启动阶段、初步建设阶段、验收阶段及闭环阶段的具体控制阶段。该方法有效解决了元器件生产过程不受控的问题、标准缺乏和管理要求缺乏的问题，提高技术状态稳定性、质量可靠性和产品一致性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.035 seconds)
