-
公开(公告)号:CN117879700A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202311790248.8
申请日:2023-12-22
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H04B10/073 , H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种光通信模块单粒子辐射薄弱点定位及加固方法,拆分光通信模块,将接收部件、发送部件、控制部件分别进行若干种单粒子故障模式试验,计算各部件单粒子风险等级评估值、各试验故障单粒子风险等级评估值;将各部件单粒子风险等级评估值中最大值对应的部件进行加固;将各试验故障单粒子风险等级评估值中最大值对应的故障模式注入所述部件进行测试,若测试结果小于设定阈值,则认定所述部件加固成功。
-
公开(公告)号:CN119758023A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411708504.9
申请日:2024-11-27
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/28 , G01R31/317 , G01R31/308
Abstract: 本发明公开了一种ADC辐照检测方法,属于芯片检测领域。该方法首先搭建辐照检测电路,辐照检测电路包括可编程门阵列单元、多路切换单元和矩阵开关单元,可编程门阵列单元将配置指令解析为激励信号,多路切换单元和矩阵开关单元将激励信号同步输入到待测ADC和参考ADC。其次基于辐照检测电路进行瞬态脉冲测试,检测在辐照环境下待测ADC是否发生一次瞬态脉冲。另外,基于辐照检测电路分别进行无辐射环境下和辐射环境下的功能测试,检测待测ADC功能是否正常。通过本发明的应用,能够准确判断ADC是否存在问题。
-
公开(公告)号:CN119853669A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202411772672.4
申请日:2024-12-04
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H03K19/094 , H03K19/003 , H03K19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于SiC MOSFET空间应用的加固电路,包括:MOSFET器件Q1、MOSFET器件Q2、电阻R1、高压电源、第一驱动器和第二驱动器;其中,MOSFET器件Q1的源极和MOSFET器件Q2的漏极相连接;MOSFET器件Q1的漏极与电阻R1的一端相连接,电阻R1的一端与高压电源的正极相连接;MOSFET器件Q2的源极与高压电源的负极相连接后一同接地;第一驱动器的输出端与MOSFET器件Q1的栅极相连接,第一驱动器的参考端和MOSFET器件Q1的源极相连接;第二驱动器的输出端与MOSFET器件Q2的栅极相连接,第二驱动器的参考端和MOSFET器件Q2的源极相连接;第一驱动器和第二驱动器均与方波输入信号相连接。本发明增强了器件在空间辐射环境中的抗单粒子效应能力,提升了器件的整体可靠性。
-
公开(公告)号:CN119518594A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411610684.7
申请日:2024-11-12
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H02H3/08 , G01R19/165 , G01R19/25 , H02H1/00
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件单粒子锁定防护装置,包括主控模块、电源模块、开关模块、数据采集模块、数据储存模块、阈值比较模块、通信协议模块、负载模块等。主要原理是,通过检测被试器件的工作电流和输出功能,判定器件是否发生单粒子锁定效应;当检测到器件电流异常增大或减小时,读取被试器件的工作状态,如果工作状态也发生异常,则认为发生单粒子锁定效应,此时控制模块通过控制开关电源给被试器件断电,确保器件完全断电后,再控制电源模块给器件重新上电,并检测被试器件电流和功能是否正常,如果正常,则认为器件单粒子锁定效应防护成功。
-
-
-