公开(公告)号：CN103792476B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410022216.8

申请日：2014-01-17

Applicant: 中国空间技术研究院

Inventor： 张红旗 ,  唐章东 ,  王征 ,  宁永成 ,  张延伟 ,  焦景勇 ,  张洪硕 ,  曹玉生

IPC: G01R31/26 ,  G01N25/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的热阻测试方法，包括如下步骤：1）根据半导体器件的结构，确定主要导热通道，在主要导热通道的外壳表面设置良好接触的恒温平面；2）给半导体器件加载一定的功率，待所述半导体器件达到热平衡以后，切换为向半导体器件加载测量功率，通过实时测量半导体器件的温敏参数得到测量半导体器件的结温，进而得到半导体器件的瞬态热响应曲线；3）根据所述瞬态热响应曲线确定半导体器件结到壳的热阻。本发明通过半导体器件的衬底的P区和N区加载加热功率，利用半导体器件中已有的PN结组件测量结温，因此对于不具有温敏二极管的集成电路产品和非功率型的集成电路产品，也可以准确测量其瞬态热阻。

公开(公告)号：CN103792476A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410022216.8

申请日：2014-01-17

Applicant: 中国空间技术研究院

Inventor： 张红旗 ,  唐章东 ,  王征 ,  宁永成 ,  张延伟 ,  焦景勇 ,  张洪硕 ,  曹玉生

IPC: G01R31/26 ,  G01N25/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的热阻测试方法，包括如下步骤：1）根据半导体器件的结构，确定主要导热通道，在主要导热通道的外壳表面设置良好接触的恒温平面；2）给半导体器件加载一定的功率，待所述半导体器件达到热平衡以后，切换为向半导体器件加载测量功率，通过实时测量半导体器件的温敏参数得到测量半导体器件的结温，进而得到半导体器件的瞬态热响应曲线；3）根据所述瞬态热响应曲线确定半导体器件结到壳的热阻。本发明通过半导体器件的衬底的P区和N区加载加热功率，利用半导体器件中已有的PN结组件测量结温，因此对于不具有温敏二极管的集成电路产品和非功率型的集成电路产品，也可以准确测量其瞬态热阻。