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公开(公告)号：CN107919411A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710989585.8
申请日：2017-10-20
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/368 , C23C18/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C18/00 , H01L21/02557 , H01L21/02628
Abstract: 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法，采取化学水浴沉积法制备。主要采用锌盐，如乙酸锌、硫酸锌等、硫脲、氨水三种物质配成反应液，曲拉通为表面活性剂，反应溶液温度70-90℃，反应时间为20-200min，最后得到所需的Zn(S,O)多晶薄膜。
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公开(公告)号：CN107871936A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710904335.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种第二代高温超导带材接头的制备方法。首先去除第二代高温超导带材的银稳定层，然后采用钇钡铜氧的前驱液涂覆在去除银后的第二代高温超导带材上，两根超导带材的超导层对压后放入管式炉中进行低温热处理，形成无定型的前驱膜并排出有害的残余物质。然后在800～900℃、湿润的氩气和氧气氛围下进行高温热处理，最后进行吸氧处理，制备出具有完全呈超导态的第二代高温超导带材接头。
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公开(公告)号：CN107502861A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710609914.1
申请日：2017-07-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/35
Abstract: 一种室温下制备AZO透明导电薄膜的方法，将衬底放置在磁控溅射设备的真空腔室内，对该腔室内抽真空。当背底真空到达2×10-3Pa以下，通入Ar，生长AZO多晶薄膜。溅射AZO多晶薄膜的工艺条件为：采用AZO陶瓷靶材，以Ar为溅射气体，采用的电源为射频电源，射频电源功率密度为2.78-3.98W/cm2；溅射压强为0.05-0.15Pa；溅射时间1h；采用的靶基距为110-150mm。
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公开(公告)号：CN106449810B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201611048928.2
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/0725 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、导电层、本征氧化锌绝缘层、n型CdS缓冲层、梯度禁带宽度吸收层和上电极；所述梯度禁带宽度吸收层自下而上包括p型CdTe吸收层和p型CIGS吸收层。本发明利用CIGS吸收层和CdTe吸收层组成梯度吸收层，拓宽了吸收层的太阳光谱利用范围，进一步提高了太阳电池转换效率。
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公开(公告)号：CN103280520B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310173937.4
申请日：2013-05-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 一种YBa2Cu3O7-x超导复合薄膜的制备方法，首先配制前驱液，把乙酸钐Sm(CH3COO)3、乙酸钇Y(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2按照Sm:Y：Ba：Cu=0.05～0.1:1：2：3的摩尔比混合溶于10-30mol℅三氟乙酸的水溶液中；搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；随后加入适量甲醇和松油醇，制成Sm、Y、Ba和Cu四种金属离子总浓度为1.5-3.0mol/L的溶液，制备成前驱液；然后将前驱液涂覆在基片上；涂覆好的薄膜先经历300℃-500℃的低温热处理过程，分解三氟乙酸盐；最后经历800℃-900℃高温热处理和450℃-550℃的退火过程形成含有纳米氧化钐的YBa2Cu3O7-（x YBCO）超导复合膜。本发明制备的YBCO薄膜的临界电流密度到达6MA/cm2（77K,0T）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103274682B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310173341.4
申请日：2013-05-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B12/02 , C04B35/45 , C04B35/624
CPC classification number: Y02E40/641
Abstract: 一种GdBa2Cu3O7-x（GBCO）高温超导薄膜的制备方法。首先配制前驱液，把乙酸钆Gd(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2按照Gd：Ba：Cu=1：2：3的摩尔比混合，溶于10-30mol%三氟乙酸的水溶液中，搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；随后加入适量甲醇，制成Gd、Ba和Cu三种金属离子总浓度为1.5-3.0mol/L的前驱液；然后，将前驱液涂覆在基片上；涂覆有前驱液的基片先经300℃～500℃的低温热处理，分解三氟乙酸盐；最后经850℃～950℃高温热处理和450℃～550℃的退火，形成具有超导性能的GBCO薄膜。
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公开(公告)号：CN102420091B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110379503.0
申请日：2011-11-24
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种复合式磁控溅射阴极，由平面靶材(1)、水冷背板(2)、外永磁体(3、4)、内永磁体(5、6)、外电磁线圈(7、8)、内电磁线圈(9、10)、外磁轭(11、12)、内磁轭(13、14)、底磁轭(15)和框架(16)构成。外永磁体(3、4)的极性相同，内永磁体(5、6)的极性相同，外永磁体和内永磁体的极性相反。两个外电磁线圈(7、8)构成一闭合线圈，两个内电磁线圈(9、10)构成一闭合线圈，外电磁线圈和内电磁线圈通过引线分别连接到供电电源。通过调节外电磁线圈和内电磁线圈通电电流的大小和方向，实现磁控溅射阴极磁场强度和磁场分布形状的变化，从而调节溅射速率、磁场平衡度和靶材利用率。
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公开(公告)号：CN102255041B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110195847.6
申请日：2011-07-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 一种YBCO超导薄膜的制备方法。首先配制前驱液，把乙酸钇Y(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2按照Y∶Ba∶Cu＝1.2-1.5∶2∶3的摩尔比混合溶于10-30mol％三氟乙酸的水溶液中；搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；随后加入适量甲醇和松油醇，制成Y、Ba和Cu三种金属离子总浓度为1.5-3.0mol/L的溶液，搅拌均匀后再加入三种金属总离子摩尔浓度的5％-10％的乙酰丙酮锆，制备成前驱液；然后将前驱液涂覆在基片上；涂覆好的薄膜先经历300℃-500℃的低温热处理过程，分解三氟乙酸盐；最后经历750℃-850℃高温热处理和450℃-550℃的退火过程形成含有纳米氧化钇和纳米锆酸钡的YBCO超导复合膜。本发明制备的YBCO薄膜的临界电流密度到达6MA/cm2(77K，0T)。
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公开(公告)号：CN103014623A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210534046.2
申请日：2012-12-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池光吸收层用溅射靶材的制备方法。首先计算各二元陶瓷块在靶材溅射区域所占的面积比例，将面积比例换算为相应的环状扇形的角度，并将对应的角度8等份，作为最小单元；随后量出该溅射阴极的溅射区域尺寸；然后将Ga2Se3、In2Se3和CuSe三种二元陶瓷板加工成设计的尺寸，调整各陶瓷环状扇形角度可调整靶材的成分。Ga2Se3、In2Se3和CuSe环状扇形最小单元角度范围为5°～8°、16°～20°和20°～22°；陶瓷块放入磁控溅射设备，在室温下在陶瓷块表面沉积1μm的Ni；随后把各陶瓷块交叉装入铜背板镶嵌区；将拼接好的靶材放入真空炉中，并在其上施加30～35g/cm2的压力，真空抽至10Pa以下，以10℃/min升温至135℃，保温10S，随后快速降温至室温，取出靶材。
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公开(公告)号：CN102936034A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210483334.X
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C01G11/02
Abstract: 一种硫化镉薄膜的制备方法，其制备步骤如下：首先清洗衬底，然后将Triton X-100、含镉化合物、铵盐、硫脲以及氨水溶解于去离子水中，配制成反应溶液。所述的反应溶液中，各组分重量百分比为：Triton X-100 0.1%-12%，含镉化合物0.05%，铵盐0.08%，硫脲0.08%，氨水4%，其余为去离子水；将装有所述反应溶液的容器放入水浴设备中，升温至50℃-90℃；在所述的反应溶液中放入衬底，开始沉积薄膜，沉积时间为1-120min；沉积完成后，取出衬底并清洗。本发明通过控制反应溶液中Triton X-100的重量百分比调节硫化镉薄膜带隙宽度。
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