公开(公告)号：CN107919411A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710989585.8

申请日：2017-10-20

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 李辉 ,  林新璐 ,  屈飞 ,  古宏伟 ,  王文静

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/368 ,  C23C18/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  C23C18/00 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02628

Abstract: 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法，采取化学水浴沉积法制备。主要采用锌盐，如乙酸锌、硫酸锌等、硫脲、氨水三种物质配成反应液，曲拉通为表面活性剂，反应溶液温度70-90℃，反应时间为20-200min，最后得到所需的Zn(S,O)多晶薄膜。

公开(公告)号：CN107919411B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201710989585.8

申请日：2017-10-20

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 李辉 ,  林新璐 ,  屈飞 ,  古宏伟 ,  王文静

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/368 ,  C23C18/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法，采取化学水浴沉积法制备。主要采用锌盐，如乙酸锌、硫酸锌等、硫脲、氨水三种物质配成反应液，曲拉通为表面活性剂，反应溶液温度70‑90℃，反应时间为20‑200min，最后得到所需的Zn(S,O)多晶薄膜。

公开(公告)号：CN213266678U

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202021936957.4

申请日：2020-09-08

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 刘向鑫 ,  张玉峰 ,  林新璐

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0445

Abstract: 本实用新型公开了一种用来在衬底上沉积半导体材料的装置，它利用升华管元件作为主要的装置构成部件，半导体材料的气体通过它流出，以提供在被传送的衬底上沉积形成半导体薄膜层的蒸汽。升华管元件具有开口，开口形式可以为密排孔或缝隙，蒸汽通过它流动，以便沉积半导体层。在此装置的一个实施例中，半导体粉末被沉积在衬底的表面上。