公开(公告)号：CN102254805B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201010183450.0

申请日：2010-05-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 徐秋霞 ,  许高博

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: 一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法，利用物理汽相淀积方法在高K介质上面淀积一层金属氮化物膜或金属膜，作为金属栅电极，然后采用离子注入方法往金属栅电极中注入Tb或Er或Yb或Sr等元素，通过高温热退火将掺杂金属离子驱进到金属栅电极与高K栅介质的界面上形成堆积或者通过界面反应在高K栅介质与SiO2的界面上形成偶极子，达到调节金属栅有效功函数的目的。此方法具有普适性，工艺简单方便，调节金属栅功函数的能力强，与CMOS工艺兼容性很好。

公开(公告)号：CN102915917A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110221375.7

申请日：2011-08-03

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 徐秋霞 ,  李永亮 ,  许高博

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，在完成常规介质隔离后，在硅衬底上形成界面SiO2-1，接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-1，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1，腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质。然后形成界面SiO2-2和第二种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-2，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-2，腐蚀未被图形-2覆盖的第二种金属栅和高K栅介质，露出第一金属栅上的硬掩膜-1。腐蚀去净硬掩膜-1和硬掩膜-2，淀积多晶硅和硬掩膜-3后进行栅图形光刻和刻蚀，形成叠层栅结构，淀积介质膜并刻蚀形成侧墙-1。然后按常规工艺形成源漏及其延伸区，硅化后完成接触和金属化。

公开(公告)号：CN102810468A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110149701.8

申请日：2011-06-03

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  徐秋霞

IPC: H01L21/285

Abstract: 本申请公开了一种高k栅介质界面优化方法。该方法包括：提供半导体衬底；去除半导体衬底表面自然氧化层；在半导体衬底上形成界面优化层；在界面优化层上形成界面反应层；在界面反应层上形成介质层；对半导体衬底进行热退火处理，使界面反应层与界面优化层发生反应，减小界面优化层厚度。

公开(公告)号：CN102779751A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110121071.3

申请日：2011-05-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  徐秋霞

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质层和牺牲栅电极层，其中，所述栅介质层位于所述半导体衬底上，所述牺牲栅电极层位于所述栅介质层上；环绕所述栅堆叠形成侧墙；在所述栅堆叠两侧且嵌入所述半导体衬底形成源/漏区；在所述半导体衬底上形成SiO2层，在所述SiO2层上旋涂旋转涂布玻璃(SOG)，并进行平坦化至所述牺牲栅电极层露出；去除所述牺牲栅电极层以在所述侧墙内形成开口；在所述开口内形成替代栅电极。

公开(公告)号：CN102751325A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201110100732.4

申请日：2011-04-21

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  徐秋霞

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265

Abstract: 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，包括：半导体衬底；应变层，位于所述半导体衬底上；沟道区，位于所述半导体衬底和应变层中；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括栅介质层和栅电极层，所述栅介质层位于沟道区上，所述栅电极层位于栅介质层上；源区和漏区，位于所述沟道区两侧且嵌入半导体衬底中，其中，部分源区延伸至所述栅堆叠下方；袋区，位于所述栅堆叠下方源区中并被源区所包裹，在靠近沟道区一侧，袋区与源区边沿重合并与沟道区相接。

公开(公告)号：CN102737999A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110090483.5

申请日：2011-04-12

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 胡爱斌 ,  许高博 ,  徐秋霞

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 一种锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法，包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上采用射频磁控反应溅射的方法在氩气和氮气的氛围中依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜，重复多次淀积多层氮化硅和氮化铪叠层；然后在氮气的氛围中快速热退火形成铪硅氧氮介质；然后采用射频磁控反应溅射的方法淀积金属电极材料并形成栅电极图形；源漏离子注入并激活退火形成重掺杂的源漏区域；淀积金属并形成源漏端的欧姆接触；最后在氮气的氛围中在炉管中退火金属化。本发明在铪基高介电常数介质中掺入硅元素，避免了在栅介质淀积后的退火和金属电极形成后的退火过程中生成含有大量缺陷态的锗的氧化物的问题，降低了界面处的固定电荷和电荷俘获。

公开(公告)号：CN102074469B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200910241539.5

申请日：2009-11-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 徐秋霞 ,  许高博

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 一种用于PMOS器件的金属栅功函数的调节方法，首先利用物理汽相淀积方法，在高K介质上面淀积一层金属氮化物膜或金属膜，作为金属栅电极，然后采用离子注入方法往金属栅电极中注入Al、Pt、Ru、Ga或Ir等元素，通过高温热退火将掺杂金属离子驱进到金属栅电极与高K栅介质的界面上形成堆积或者通过界面反应生成偶极子，达到调节金属栅有效功函数的目的。此方法具有普适性，工艺简单方便，调节金属栅功函数的能力强，与CMOS工艺兼容性很好。

公开(公告)号：CN102074469A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910241539.5

申请日：2009-11-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 徐秋霞 ,  许高博

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 一种用于PMOS器件的金属栅功函数的调节方法，首先利用物理汽相淀积方法，在高K介质上面淀积一层金属氮化物膜或金属膜，作为金属栅电极，然后采用离子注入方法往金属栅电极中注入Al、Pt、Ru、Ga或Ir等元素，通过高温热退火将掺杂金属离子驱进到金属栅电极与高K栅介质的界面上形成堆积或者通过界面反应生成偶极子，达到调节金属栅有效功函数的目的。此方法具有普适性，工艺简单方便，调节金属栅功函数的能力强，与CMOS工艺兼容性很好。

公开(公告)号：CN118969838A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410881636.5

申请日：2024-07-02

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  刘思源 ,  许子铭 ,  张兆浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提出一种铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：衬底；形成于所述衬底上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括沿远离所述衬底方向依次形成的第一铝钪氮层和第二铝钪氮层，且所述第一铝钪氮层中钪元素的组分含量与所述第二铝钪氮层中钪元素的组分含量不同。该铁电场效应晶体管具有更高的剩余极化强度和相对介电常数。

公开(公告)号：CN118553795A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410362834.0

申请日：2024-03-28

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  杨延宇 ,  颜刚平 ,  牛楚乔 ,  罗杰 ,  卢宇鹏 ,  包运娇

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L21/34 ,  H10B80/00

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及存储器。该薄膜晶体管，包括源极、漏极、源极接触层、漏极接触层、沟道层、栅极层和栅极隔离层，栅极隔离层覆盖栅极层，源极和漏极设置在栅极隔离层上，源极接触层覆盖源极，漏极接触层覆盖漏极，沟道层覆盖源极接触层、漏极接触层和栅极隔离层，源极接触层和漏极接触层的迁移率均大于或等于预设迁移率阈值，从而实现了一种漏极接触电阻和源极接触电阻均较低的薄膜晶体管，提高了薄膜晶体管工作时的稳定性和可靠性。