公开(公告)号：CN118553795A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410362834.0

申请日：2024-03-28

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  杨延宇 ,  颜刚平 ,  牛楚乔 ,  罗杰 ,  卢宇鹏 ,  包运娇

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L21/34 ,  H10B80/00

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及存储器。该薄膜晶体管，包括源极、漏极、源极接触层、漏极接触层、沟道层、栅极层和栅极隔离层，栅极隔离层覆盖栅极层，源极和漏极设置在栅极隔离层上，源极接触层覆盖源极，漏极接触层覆盖漏极，沟道层覆盖源极接触层、漏极接触层和栅极隔离层，源极接触层和漏极接触层的迁移率均大于或等于预设迁移率阈值，从而实现了一种漏极接触电阻和源极接触电阻均较低的薄膜晶体管，提高了薄膜晶体管工作时的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN119815898A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411890060.5

申请日：2024-12-20

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢宇鹏 ,  许高博 ,  殷华湘 ,  罗杰 ,  杨延宇 ,  包运娇 ,  毛龙格 ,  赵超 ,  王桂磊

IPC: H10D84/02 ,  H10D84/83 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，公开了一种双层堆叠氧化物半导体器件制造方法及半导体器件，方法包括在硅衬底上形成底栅叠层并淀积第一栅介质层；在第一栅介质层上依次生长并图形化第一氧化物层和第一源漏金属层；在第一源漏金属层上沉积介质层并对介质层进行刻蚀形成通孔，在通孔内对源极金属进行沉积与光刻形成下层器件；对下层器件进行退火优化后沉积第二栅介质层，在第二栅介质层上依次生长并图形化第二氧化物层和第二源漏金属层，形成双层堆叠氧化物半导体器件。上述方法能够改善下层器件的亚阈值摆幅，提升性能并增强阈值电压稳定性，制造方法简单，成本低，具有较为广泛的应用范围。

公开(公告)号：CN119815892A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411890061.X

申请日：2024-12-20

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  杨延宇 ,  罗杰 ,  卢宇鹏 ,  包运娇 ,  毛龙格 ,  王桂磊 ,  赵超

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本申请公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备工艺，涉及一种电子技术领域，主要目的在于解决现有氧化物薄膜晶体管偏压稳定性较差的问题。氧化物薄膜晶体管包括：栅极隔离层、淀积于所述栅极隔离层上的氧化物沟道层、以及淀积在所述氧化物沟道层的图形周围的金属源漏层，其中，所述图形为经过覆盖层图形化后进行氧气退火处理形成的。

公开(公告)号：CN118431295A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410356163.7

申请日：2024-03-27

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢宇鹏 ,  许高博 ,  殷华湘 ,  颜刚平 ,  孙朋 ,  杨延宇 ,  罗杰 ,  包运娇

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中传统平面OS‑TFT器件存在载流子迁移率较低，漏电增加等问题。该半导体器件包括：栅堆叠层、沟道、源区和漏区，所述沟道覆盖所述栅堆叠层，所述源区和所述漏区位于所述沟道的两侧，并覆盖部分沟道远离栅堆叠层一侧的表面，所述源区和所述漏区位于所述沟道表面部分图形化为指状结构，所述源区的指状结构与所述漏区的指状结构呈相对插指结构。半导体器件的制作方法包括上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件用于降低电容器金属配线之间的寄生电容。

公开(公告)号：CN117766605A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311629187.7

申请日：2023-11-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  卢宇鹏 ,  殷华湘 ,  孙朋 ,  丁明正

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种低增益雪崩探测器及其制作方法。方法包括：在预制的半导体结构中形成P+增益层；所述预制的半导体结构包括衬底，以及在所述衬底上表面依次垂直堆叠的P型掺杂层、氧化层和光刻胶，以及至少一个凹槽；所述凹槽贯穿所述光刻胶但不贯穿所述氧化层，使所述氧化层包括形成所述凹槽侧壁的场氧层和形成所述凹槽底壁的阱氧层；所述凹槽具有倾斜的侧壁，使凹槽呈开口大底部小的形状；所述形成P+增益层的方法包括：在所述凹槽处向所述P型掺杂层注入P型离子，并且注入方向与所述凹槽的侧壁的夹角≤10°。本发明提升了LGAD探测器的良率，保证探测器拥有较好的击穿电压均一性。

公开(公告)号：CN117894809A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311640729.0

申请日：2023-12-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  卢宇鹏 ,  孙朋 ,  殷华湘

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种像素探测单元、探测器及其制备方法。该像素探测单元包括将硅基探测单元与薄膜晶体管集成在一起以使硅基探测单元的读出端连接薄膜晶体管的栅极以调控薄膜晶体管的开关状态。本申请设计的像素探测单元改善了信号的可靠性、准确性及可测性。在该基础上，还简化了系统设计和制造过程，减少了组件数量和连接电路，增加了器件自身的成品良率。