公开(公告)号：CN100481306C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200310121178.3

申请日：2003-12-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  刘志凯 ,  柴春林 ,  蒋渭生

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/02

Abstract: 本发明涉及离子束技术，是一种可在低能离子束材料制备方法中应用的离子源装置，包括弧室体和坩埚两部分，每部分配有辅助加热装置。弧室体与坩埚成一体且前后分离，之间有排进气孔连通；弧室体内装有上下双螺旋状灯丝，增大了弧室热功率和发射的电子密度，灯丝位于上下两端，减小了离子直接溅射，灯丝后有反射板；坩埚为立式，内筒有两种，反应器型可盛装与工作气体反应的固体源材料，工作气体自上而下通过源材料并与之充分反应，蒸发器型可盛装能蒸发出材料气氛的源材料，可调整辅助加热及灯丝电流来控制源的工作温度。本发明结构简单实用，工作性能稳定、束流品质好、离化效率高、源材料选择范围广、产生离子种类多。可用于其他离子束相关技术。

公开(公告)号：CN1885493A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200510079720.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘力锋 ,  陈诺夫 ,  尹志岗 ,  杨霏 ,  柴春林

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制备锰－硅薄膜；5)退火，在硅单晶衬底上形成锰硅薄膜，该锰硅薄膜表现室温铁磁特性。

公开(公告)号：CN1796593A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410098996.0

申请日：2004-12-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  柴春林 ,  刘志凯 ,  陈涌海 ,  陈诺夫 ,  王占国

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/16 ,  C23C14/54 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束制备一层薄氮化铪作为阻挡衬底与铪离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束同位素纯低能金属铪离子外延生长金属铪薄膜，通过准确控制铪离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属铪薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备用于半导体技术领域金属铪薄膜材料的方法。

公开(公告)号：CN1779925A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200410009860.8

申请日：2004-11-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李艳丽 ,  陈诺夫 ,  刘立峰 ,  尹志刚 ,  杨菲 ,  柴春林

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/441 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及制备高K栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高K材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半导体衬底；b)薄膜生长所用的方法是溅射法；c)在b)步中，制备时通过调整溅射系统中的靶距，或通过改变溅射功率来调整其中的氧化物含量，以得到所需的三元高K薄膜材料；d)在c)步中，当钆距为6cm、钇距为7cm、钆的溅射功率为70W、钇的溅射功率为60W时，所制备的三元高K材料性质最优，其中各氧化物成分为(Gd2O3)0.98(Y2O3)0.02，介电常数可高达23，比Gd2O3的介电常数高了40％，比Y2O3的介电常数高了70％。本发明方法制备的产品与其它高K材料相比，因混合了两种氧化物的优点而消除或降低了它们的缺点，使材料的性能达到最优。

公开(公告)号：CN1216406C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN02105698.6

申请日：2002-04-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周剑平 ,  陈诺夫 ,  张富强 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/20 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明一种磁性p-n结薄膜材料，磁性p-n结是在半导体衬底上制备磁性半导体材料，并且使其载流子和衬底属于不同的类型；包括：一半导体衬底；在该半导体衬底上直接生长磁性半导体材料，或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性半导体材料。

公开(公告)号：CN1594648A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN03158500.0

申请日：2003-09-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  杨霏 ,  尹志岗 ,  柴春林 ,  吴金良

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)选择Si单晶为衬底材料，选择碳化硅为靶材；2)将Si单晶衬底材料送入磁控溅射仪；3)加温，生长碳化硅薄膜；4)退火；5)完成制备碳化硅薄膜工艺。

公开(公告)号：CN1591784A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03155722.8

申请日：2003-08-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋书林 ,  陈诺夫 ,  周剑平 ,  杨少延 ,  刘志凯 ,  柴春林

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01F1/40 ,  H01F41/02

Abstract: 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择半导体材料为衬底；在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。

公开(公告)号：CN1174467C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN01124213.2

申请日：2001-08-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨君玲 ,  陈诺夫 ,  何家宏 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。