公开(公告)号：CN1421878A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01140093.5

申请日：2001-11-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  张富强 ,  杨君玲 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/00 ,  H01L21/00

Abstract: 一种组份渐变铁磁性半导体制备方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：选择半导体单晶片，该半导体单晶片作为基底材料；步骤2：将所述的基底材料加热，为下一步工艺作好准备；步骤3：在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料；步骤4：对上述磁性半导体材料进行热处理。

公开(公告)号：CN1216406C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN02105698.6

申请日：2002-04-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周剑平 ,  陈诺夫 ,  张富强 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/20 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明一种磁性p-n结薄膜材料，磁性p-n结是在半导体衬底上制备磁性半导体材料，并且使其载流子和衬底属于不同的类型；包括：一半导体衬底；在该半导体衬底上直接生长磁性半导体材料，或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性半导体材料。

公开(公告)号：CN1585049A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN03154925.X

申请日：2003-08-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张富强 ,  陈诺夫

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 一种多能态离子注入法制备磁性半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先选择半导体材料为衬底；然后在衬底上采用多能态离子注入法直接制备磁性半导体材料，形成稀磁半导体材料；其中采用多能态离子注入法中的退火处理，其退火温度为300℃－1000℃，退火时间为1分钟－4小时。

公开(公告)号：CN1452216A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02105698.6

申请日：2002-04-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周剑平 ,  陈诺夫 ,  张富强 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/20 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明一种磁性p－n结薄膜材料，磁性p－n结是在半导体衬底上制备磁性半导体材料，并且使其载流子和衬底属于不同的类型；包括：一半导体衬底；在该半导体衬底上直接生长磁性半导体材料，或根据需要在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性半导体材料。