公开(公告)号：CN1779925A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200410009860.8

申请日：2004-11-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李艳丽 ,  陈诺夫 ,  刘立峰 ,  尹志刚 ,  杨菲 ,  柴春林

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/441 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及制备高K栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高K材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半导体衬底；b)薄膜生长所用的方法是溅射法；c)在b)步中，制备时通过调整溅射系统中的靶距，或通过改变溅射功率来调整其中的氧化物含量，以得到所需的三元高K薄膜材料；d)在c)步中，当钆距为6cm、钇距为7cm、钆的溅射功率为70W、钇的溅射功率为60W时，所制备的三元高K材料性质最优，其中各氧化物成分为(Gd2O3)0.98(Y2O3)0.02，介电常数可高达23，比Gd2O3的介电常数高了40％，比Y2O3的介电常数高了70％。本发明方法制备的产品与其它高K材料相比，因混合了两种氧化物的优点而消除或降低了它们的缺点，使材料的性能达到最优。

公开(公告)号：CN100442458C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410009860.8

申请日：2004-11-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李艳丽 ,  陈诺夫 ,  刘立峰 ,  尹志刚 ,  杨菲 ,  柴春林

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/441 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及制备高介电常数栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高介电常数材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高介电常数薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半导体衬底；b)薄膜生长所用的方法是溅射法；c)在b)步中，制备时通过调整溅射系统中的靶距，或通过改变溅射功率来调整其中的氧化物含量，以得到所需的三元高介电常数薄膜材料；d)在c)步中，当钆距为6cm、钇距为7cm、钆的溅射功率为70W、钇的溅射功率为60W时，所制备的三元高介电常数材料性质最优，其中各氧化物成分为(Gd2O3)0.98(Y2O3)0.02，介电常数可高达23，比Gd2O3的介电常数高了40%，比Y2O3的介电常数高了70%。本发明方法制备的产品与其它高介电常数材料相比，因混合了两种氧化物的优点而消除或降低了它们的缺点，使材料的性能达到最优。

公开(公告)号：CN1769181A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200410088508.8

申请日：2004-11-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李艳丽 ,  陈诺夫 ,  杨少延 ,  刘志凯

IPC: C01F17/00 ,  C01B33/06

Abstract: 本发明单相钆硅化合物以及制备方法，涉及稀土硅化物材料。一种单相钆硅化合物，是在硅衬底上制备的钆硅化合物薄膜材料，其中仅含有正交的钆二硅(GdSi2)相，是单晶形式或是多晶的形式。其制备方法，包括以下步骤：(1)选择适当的半导体衬底；(2)用具有质量分析功能的低能离子束设备，以离子束外延、分子束外延或激光淀积方法，根据需要在半导体衬底上进行材料生长；(3)在第二步中，材料生长时，使用单束钆源或使用双束的钆源和硅源，在半导体衬底上生长单相的钆二硅薄膜。