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公开(公告)号：CN114649428B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210292053.X
申请日：2022-03-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0312 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法，该高速光电探测器包括：基底，材料为三维材料硅；介电层，形成于基底表面上；有源层，材料为二维材料硒化亚锗，设于基底表面与介电层表面的相邻区域上；源电极，设于有源层与介电层的相邻区域上；漏电极，设于有源层与基底的相邻区域上。该探测器将硒化亚锗与硅结合，实现了光探测范围从可见光区到近红外区域，并且提高了光电探测器的响应时间，具有成为宽带宽光电探测器的潜力。
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公开(公告)号：CN115574942A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211224131.9
申请日：2022-10-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J4/04
Abstract: 本发明提供一种偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法，涉及半导体光电探测器及其制备技术领域。该偏振放大系统包括偏振探测器、参考电阻和晶体管，其中：偏振探测器包括第一硅片基底，以及从左至右依次位于第一硅片基底上的第一有源层、第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极均为金属材料；晶体管包括第二硅片基底，以及从左至右依次位于第二硅片基底上的第二有源层、第二源电极、第二漏电极、介电层和栅电极，第二源电极、第二漏电极和栅电极均为金属材料；偏振探测器的第一漏电极与参考电阻电连接，并共同连接至晶体管的栅电极；其中，第一有源层和第二有源层均为二维半导体材料，偏振探测器的探测波段为可见光至近红外波段。
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公开(公告)号：CN115296736A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210874130.2
申请日：2022-07-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/11 , H04B10/516 , H04B10/60 , G01J1/42 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种日盲紫外通讯探测器，包括：硅片衬底；多组宽禁带半导体纳米带，设于硅片衬底上，每组数量为2，相互串联且呈90°；各组宽禁带半导体纳米带的设置角度以预设步进增加，设置角度范围为0°～180°；多组金属电极，设于硅片衬底上，每组金属电极包括正电压电极、中位电压电极和接地电极，正电压电极与一组宽禁带半导体纳米带中的其中一个的非串联端连接，用于提供正电压，接地电极与该组宽禁带半导体纳米带中的另一个的非串联端连接，中位电压电极与该组宽禁带半导体纳米带的串联端连接，用于输出该组宽禁带半导体纳米带响应日盲紫外光信号产生的电压信号。本公开还提供了一种日盲紫外通讯探测器制备方法及通讯方法。
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公开(公告)号：CN114582993A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210206059.0
申请日：2022-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及了一种光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用。一种光电传感器包括：衬底；绝缘层，设置于衬底上；探测及成像层，设置于绝缘层上；至少一组源电极和漏电极，设置于探测及成像层上并一个延伸方向上依次设置，源电极和漏电极延伸出探测及成像层的部分与绝缘层接触；其中，探测及成像层的导电率响应于入射的可见光发生变化。通过机械剥离在衬底上得到二维正交相磷化硅纳米带作为探测及成像层，将掩膜覆盖至二维正交相磷化硅表面并沉积源电极和漏电极，构建二维正交相磷化硅光电探测器，实现对可见光的高敏感度探测，并利用这一性质应用于光图像传感器，实现对物体的成像。
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公开(公告)号：CN113823552A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111168077.6
申请日：2021-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , H01L31/072 , H01L31/109 , H01L33/00 , H01S5/32
Abstract: 本发明提出一种二维半导体异质结的制备方法，包括将反应前驱体置于反应容器中，反应前驱体包括一种硫属元素粉末及两种四族金属化合物粉末，硫属元素粉末置于第一位置，四族金属化合物粉末置于第二位置，两种四族金属化合物粉末熔点差不超过第一值；将衬底置于反应容器第三位置；密封反应容器并通入运载气体；加热反应容器使反应前驱体反应生成反应生成物且沉积到衬底上；自然冷却至室温，停止通入运载气体，反应生成物在衬底上完成沉积，得到异质结。本发明操作简单，可重复性好，可实现快速大批量生长；工艺可控，可实现厚度可控的大面积生长；解决了机械堆叠构筑异质结中干法转移或湿法转移得到二维半导体异质结时带来的材料厚度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN111463299A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010309213.8
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/102 , H01L31/18 , H01L27/146 , B82Y30/00
Abstract: 一种基于氧化镓日盲紫外偏振光的直接探测器、其制备方法及偏振成像装置，该直接探测器包括IC插座台面，其上设有IC插座针脚；硅片，其设置在IC插座台面上，其上附有二氧化硅层；以及源电极、漏电极和半导体层，均设置在硅片的二氧化硅层上，半导体层位于源电极和漏电极之间，源电极和漏电极分别通过引线与IC插座针脚连接。本发明提供的基于宽禁带半导体氧化镓的日盲区紫外偏振光直接成像，其像元为纳米级的纳米带且氧化镓的光响应时间为微秒级别，可实现高分辨且快速的扫描目标。
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公开(公告)号：CN110257916A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910519508.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/46 , C30B25/00 , H01L29/24 , H01L31/032
Abstract: 一种锰铟硒晶体、其制备方法、二维磁性半导体材料、光探测器及场效应晶体管，该锰铟硒晶体的制备方法，包括将锰粉、铟粒、硒粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到锰铟硒晶体。本发明的二维磁性半导体材料具有对于可见光的优异光响应性质，同时在温度为2K时表现出铁磁性；锰铟硒晶体采用高温管式炉制备，晶体结晶质量高，可实现大规模制备，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN117210937A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311061427.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种二维AsSbO3纳米片的制备方法及利用该二维AsSbO3纳米片制成的日盲紫外光探测器，该二维AsSbO3纳米片的制备方法包括：以As2O3粉末和Sb2O3粉末为原料，采用化学气相输运法生长AsSbO3单晶；采用机械剥离法解理AsSbO3单晶，得到二维AsSbO3纳米片。本发明公开的二维AsSbO3纳米片具有超宽带隙，将其应用于日盲紫外光探测器，能够实现日盲紫外光的有效探测。
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公开(公告)号：CN117070216A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311020829.3
申请日：2023-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例涉及了一种超晶格量子点及其制备方法，属于量子点和低维异质结构技术领域。该超晶格量子点包括：具有范德华表面的衬底、量子点核壳层和超晶格外延层。量子点核壳层外延于衬底的范德华表面上，量子点核壳层与衬底的范德华表面通过范德华力结合，量子点核壳层由第一金属和砷组成，第一金属选自III‑V族金属。超晶格外延层外延于量子点核壳层上，超晶格外延层形成叠层结构或超晶格外延层与量子点核壳层形成叠层结构。本发明利用了超晶格量子点与衬底的范德华表面通过范德华力的相互作用，使得超晶格量子点能够形成核壳结构，并且通过超晶格外延层的叠层结构，控制该超晶格量子点的形貌和尺寸。
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公开(公告)号：CN116759474A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310940843.9
申请日：2023-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本公开提出了一种日盲紫外偏振光探测器，包括：衬底100、感光区111和两端电极120。其中，衬底100为绝缘衬底；感光区111为表面刻蚀有多条平行的纳米线112的氧化镓(001)晶面或(100)晶面，以通过氧化镓的各向异性和纳米线的尺寸限制效应提高日盲紫外偏振光探测器的各向异性光电流；两端电极120通过肖特基接触水平连接于感光区两端，以降低日盲紫外偏振光探测器的暗电流。
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