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公开(公告)号：CN103633200A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310652125.8
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0079
Abstract: 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组分加热分解和完全析出，变成高温薄氮化镓单晶模板层；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，在多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；制备一反射／欧姆金属层；键合一键合衬底；利用机械力，剥离；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；切割、分选和封装后，制备得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN102191540B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110119981.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
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公开(公告)号：CN101831613B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010157517.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。
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公开(公告)号：CN100491588C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610064974.1
申请日：2006-03-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/00 , C23C16/18 , H01L21/205
Abstract: 一种石墨清洗装置，包括：一外壳，该外壳为一中空长方体结构；一石墨基座支架位于外壳内的下部；一石墨加热器为一箱体结构，该石墨加热器位于石墨基座支架的上方；一保温材料围绕在石墨加热器的四周；一上盖位于外壳的上方；一感应圈螺旋缠绕在外壳的外围；在外壳的一侧分别安装有三路气体入口；在外壳的另一侧安装有一个尾气排放口；一控温热电偶位于外壳的下部与石墨基座支架连接。用该装置清洗石墨基座时，不占用设备机时，提高设备的使用效率。
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公开(公告)号：CN101281941A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710065182.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101041892A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610064974.1
申请日：2006-03-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/00 , C23C16/18 , H01L21/205
Abstract: 一种石墨清洗装置，包括：一外壳，该外壳为一中空长方体结构；一石墨基座支架位于外壳内的下部；一石墨加热器为一箱体结构，该石墨加热器位于石墨基座支架的上方；一保温材料围绕在石墨加热器的四周；一上盖位于外壳的上方；一感应圈螺旋缠绕在外壳的外围；在外壳的一侧分别安装有三路气体入口；在外壳的另一侧安装有一个尾气排放口；一控温热电偶位于外壳的下部与石墨基座支架连接。用该装置清洗石墨基座时，不占用设备机时，提高设备的使用效率。
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公开(公告)号：CN1921157A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510093367.3
申请日：2005-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域的一种深紫外发光二极管结构。该结构利用了等离激元效应，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，表面等离激元的激发、耦合是通过具有周期性结构的金属薄膜来实现的，同时该金属薄膜又具有电极接触的功能。其基本结构是将一般MIS发光二极管的金属部分采用具有可以产生表面等离激元的周期性结构的。
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公开(公告)号：CN1921151A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510093368.8
申请日：2005-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101
Abstract: 本发明涉及光探测器技术领域，特别是一种近场光学增强型可见光探测器的器件结构。利用表面等离激元的近场光场增强效应，即表面等离激元，表面等离激元将光场限制在一个小的区域内，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，来提高光吸收效率。本发明中表面等离激元的激发、耦合是通过具有周期性结构的金属薄膜来实现的，同时该金属薄膜又具有肖特基接触的功能。
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公开(公告)号：CN1865495A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510072924.3
申请日：2005-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C23C16/44
Abstract: 本发明金属有机物化学气相淀积设备反应室中的公转自转机构，涉及半导体设备制造领域，特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的衬底基座旋转机构。该金属有机物化学气相淀积设备中的公转自转机构：(1)该反应室中的大石墨舟围绕一公共固定点公转，小石墨舟围绕各自中心点自转；(2)用电机带动衬底基座(大石墨舟)公转；(3)用电机带动衬底基座(小石墨舟)自转；(4)用耐热材料将高温区(衬底机座)和低温区(旋转动力机构)隔开，同时传递旋转动力。
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公开(公告)号：CN1825539A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510009509.3
申请日：2005-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜。该方法，1)首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常数远小于III族氮化物的六方相物质(如低温氮化铝，氮化镓铝，氮化硼等)，形成具有应力补偿作用的缓冲层结构；2)加入一种活化剂使应力补偿层易于在低温下形成，同时表面平整晶体质量高；3)预沉积的六方相物质由于晶格常数小于III族氮化物，可在其上生长的III族氮化物薄膜中引入压应力，从而补偿与硅衬底热失配引入的拉应力。
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