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公开(公告)号：CN105655237A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610025472.1
申请日：2016-01-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0209 , H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料的表面清洗方法，其包括对清洗液的选择和清洗步骤。针对碲镉汞表面存在的沾污，本发明选用MOS级三氯乙烯、溴-乙醇、清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行清洗处理。另外，合理的清洗步骤能获得较好的清洗效果。首先，本发明对碲镉汞表面进行三氯乙烯的兆声清洗，目的是去除表面有机物。然后，对碲镉汞表面进行溴-乙醇腐蚀，目的是去除表面损伤和部分沾污。最后，先后使用清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行兆声清洗，目的是去除表面离子沾污。本发明的优点是：对离子沾污的清洗效果显著，清洗效果稳定，引入新污染少。
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公开(公告)号：CN102354714A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110252229.0
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种具有双面反射层的碲镉汞红外光电导探测器的参考元，其结构为：在蓝宝石衬底上依次为下反射层，下绝缘层，碲镉汞光导器件层，上绝缘层A，上绝缘层B，铬层，上反射层。该参考元特征在于：蓝宝石衬底与碲镉汞光导器件层之间生长一层钛反射层和二氧化硅绝缘层，器件光敏面上生长一层铬金反射层以及负胶和二氧化硅绝缘层。其优点在于解决了器件背面与表侧面漏光产生响应的问题。
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公开(公告)号：CN102004002A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010276188.4
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有参考元结构的碲镉汞红外光电导探测器，其参考元具有以下结构：衬底；环氧胶层；第一面碲镉汞氧化层；体材料碲镉汞层；第二面碲镉汞氧化层；二氧化硅绝缘层；负胶绝缘层；金属铟层；金属金层。该参考元特征在于：在边缘光敏面上覆盖双层绝缘层、红外光吸收层和红外光反射层。这种具有参考元的碲镉汞红外探测器的优点是：解决碲镉汞红外探测器温度飘移的问题，采用差分电路来取代温度补偿电路，这样不仅可以减少环境温度变化对于碲镉汞探测器准确性的影响，而且可以极大的简化电路结构；不仅可用于低速运动物体的温度测量，而且可用于高速运动物体的温度测量；响应速度快，具有自补偿功能。
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公开(公告)号：CN101728450A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910225371.9
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该晶片包含双面精抛处理且长阳极氧化膜，的碲镉汞晶片，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。
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公开(公告)号：CN101728403A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910226302.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , H01L21/60 , G01J1/02
CPC classification number: H01L2224/73204
Abstract: 本发明公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541808C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810036256.2
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO2层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN100461435C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610031016.4
申请日：2006-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L31/09 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法，所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。置于光敏元列阵上的抗反膜是0.8-1.5微米厚的ZnS材料，置在信号引出电极区和公共电极区上的抗反膜是厚度在150～200的铟膜。所述制备方法的特征在于：在抗反膜铟膜形成后再对其进行氧等离子再处理，使铟膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的铟更为暗淡，反射系数达到此材料的低极限水平。本发明的优点是能最大限度接收入射光的信号，提高了器件的光电效率。本发明特别适合大面积电极区的器件，如带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器。
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公开(公告)号：CN1288760C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02145468.X
申请日：2002-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器，包括：列阵芯片和读出电路，其特征在于：在列阵芯片和读出电路之间有一可吸收可见光的黑聚酰亚胺夹层。并同时公开了该探测器的制备方法，主要是黑聚酰亚胺夹层的制备方法。由于夹层采用黑聚酰亚胺层，当入射信号从探测器的背面入射时，夹层吸收可见光，以此来提高读出电路的工作性能。并且夹层不但可屏蔽可见光对硅读出电路的影响，还可以起到对读出电路、氮化镓基芯片和铟柱的钝化作用，因此，提高了紫外焦平面器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN1812137A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510111360.X
申请日：2005-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器，该器件的特征是：在光敏元的二侧各有一个通过离子刻蚀至衬底的圆洞，圆洞内依次镀有铬金属层和黄金层，其总高度与光敏元的高度齐平。在黄金层上再依次镀上铟金属层和黄金层，该铟金属层和黄金层的尺寸要超过圆洞面积，部分覆盖至光敏元的边缘，以便取出光敏元的光电信号。本发明的优点是：井伸电极不存在台阶和坡度，因此也就不存在台阶和坡度连接处发生金属膜翘起和龟裂。井伸电极特别适合于各种面积的红外探测器芯片制造，它可以成型单元、多元，也可以成型线列、面列。井伸电极完全解决了集成化常规延伸电极不能在面列上进行的难题。信号引线焊接可实行机械化操作，提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN201812821U
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200920269051.9
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/482
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本专利公开了一种从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器，器件结构包括：采用激光打孔机打的直径为60微米面阵的微孔中含有电镀金(8)的蓝宝石衬底(7)；双面精抛处理且长阳极氧化膜的碲镉汞材料(12)晶片，其中与环氧树脂胶(9)接触的一面增加了一层ZnS抗反膜(10)；把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上的环氧树脂胶(9)；在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上的电极。电极通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金；电路板蓝宝石基板(1)与芯片背面的电镀金(8)通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。本专利的优点在于，器件的占空比高，电极从衬底面引出，避免了传统正照射工艺中电极对入射光的阻碍，也避免采用背照射工艺中衬底对入射光信号的影响。
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