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公开(公告)号：CN119224999A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411349929.5
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种抑制MEMS微镜串扰的方法。由于MEMS微镜的串扰来源于机械耦合引起的高频谐振，因此本申请抑制MEMS微镜串扰的方法包括抑制MEMS微镜的高频机械谐振的步骤；抑制MEMS微镜高频谐振的方式可以通过增大第一致动器与第二致动器之间的谐振频率差，从而有效抑制双轴之间的串扰，且不以牺牲双轴的偏转角度为代价，保证MEMS微镜在各个轴向上的偏转性能；抑制MEMS微镜的高频机械谐振的方式还可以通过对激励信号进行滤波，有效滤除激励信号中的高频信号分量，减少高频谐振对MEMS微镜控制的干扰，提升MEMS微镜的控制精度。
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公开(公告)号：CN116936460A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310935417.6
申请日：2023-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；提供一第二晶圆，所述第二晶圆的下表层设有第二键合层；将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合，键合后，所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。本发明通过硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法制作得到的硅基绝缘体上玻璃衬底结构，采用所述第一截止层、所述第二截止层构成的双截止层结构作为所述硅基绝缘体上玻璃衬底结构的刻蚀截止层，解决了硅玻璃键合晶圆图形化时无法获得高质量平整的玻璃界面的问题。
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公开(公告)号：CN116931255A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210351648.8
申请日：2022-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/10
Abstract: 本发明提供一种大偏转角的光偏转器件，由中心向外依次包括：反射平面，两个第一柔性连接装置，两个第一致动传感装置，解耦平面，四个第二柔性连接装置及两个第二致动传感装置；每个第一柔性连接装置的一端与反射平面的边缘连接；两个第一致动传感装置的一端分别与两个第一柔性连接装置的另一端连接；每个第一致动传感装置均包括第一及第二致动传感器；解耦平面的一端与两个第一致动传感装置的另一端连接；每个第二柔性连接装置的一端与解耦平面的另一端边缘连接；每个第二致动传感装置分别与两个第二柔性连接装置的另一端连接；反射平面、第一致动传感装置、解耦平面及第二致动传感装置均相互平行。该光偏转器件可有效提高反射平面的偏转角。
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公开(公告)号：CN114415365B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210112102.7
申请日：2022-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS光学偏转器件，包括：基座、2N个悬臂梁致动器、2N个耦合结构及反射微镜，其中N≥1；每个悬臂梁致动器包括：致动器衬底、致动结构、第一柔性结构；基座与致动器衬底固定连接；致动结构与致动器衬底连接；第一柔性结构与致动器衬底固定连接；第一柔性结构与一个耦合结构固定连接；2N个耦合结构固定连接于反射微镜的下方；2N个悬臂梁致动器沿周向分布于反射微镜的下方周围，且每两个悬臂梁致动器沿直线分布。通过在每一个第一柔性结构的一端均设置一个耦合结构，当沿直线分布的两个悬臂梁致动器同时产生致动力使反射微镜旋转时，两个悬臂梁致动器的旋转轴与反射微镜共轴，光的入射点在偏转过程中不会发生偏移。
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公开(公告)号：CN114442007A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210110472.7
申请日：2022-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种高速大动态范围磁场测量系统，包括：捷变射频源，基于频率控制字产生中频信号；混频器连接中频信号及本振信号，输出射频信号；磁场检测模块，对磁场进行检测产生荧光信号及对应的数字电信号；锁相解调模块，输出荧光解调信号；闭环锁频模块，基于荧光解调信号跟踪计算当前周期相对于上一周期的微波频率移动量及磁场大小变化量，得到当前周期的微波中心频率及磁场大小，并将微波频率移动量转换为频率控制字以更新中频信号的频率。本发明将顺磁共振传感器从传统的小磁场测量拓展到大的动态范围；通过快速反馈跟踪，提高了磁测量速度，增强了在不同场强下磁测量的适应性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119291919A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411349875.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种MEMS微镜加固结构。该MEMS微镜加固结构包括支撑座和设置于支撑座上表面的框架，框架为敞口设置的中空结构；在第一方向上，镜面依次通过第一弹性结构、第一致动器悬臂与框架连接；在第二方向上，镜面依次通过第二弹性结构、第二致动器悬臂与框架连接；支撑座的上表面设置止挡器，且止挡器位于镜面正下方。通过设置止挡器，可以限制MEMS微镜在第三方向的大幅度位移，避免大量程振动和冲击造成的机械损坏。
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公开(公告)号：CN116989890A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310953374.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种实现闭环反馈调节的MEMS传感器及激光功率在线测量方法，本发明的MEMS传感器包括基于微纳加工技术制造的传感器芯片和光学组装技术形成的光学耦合模块，实现激光产生的微弱光压力的探测，本发明中的MEMS传感器采用传感镜面和参考镜面集成的差分结构，实现对外界振动共模抑制以提高传感器信噪比；同时，为了保持测量原点的一致性，MEMS传感器采用压电材料组成的压电制动器法珀腔腔长实时闭环反馈调控，始终保持在设定的初始腔长；闭环反馈调控还可以避免镜面震荡，缩短镜面稳定时间，提高测量的响应时间。本发明利用实现闭环反馈调节的MEMS传感器可以实现连续和脉冲激光的功率在线测量，并且结构简单、响应速度快、稳定性高以及测量精度高。
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公开(公告)号：CN116093050A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211104825.9
申请日：2022-09-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体基底结构及器件，包括衬底、导电柱、横向绝缘层和竖向绝缘层，通过导电柱可以实现垂直电学导通，通过横向绝缘层及竖向绝缘层可实现电学绝缘；本发明的半导体基底结构可实现3D互联，具有工艺兼容性强、设计灵活、适于高温工艺等优点，可作为集成电路器件的基底结构，以实现电路元件结构间的隔离、减少晶体管间或引线间的寄生电容，增强器件的抗辐照能力；也可用于MEMS器件的设计，实现器件的电学引出，简化器件的封装结构，增强器件的阵列化能力；亦可用于例如CMOS‑MEMS单片集成器件，提高器件集成度、减少IC电路和MEMS器件之间的串扰，提高衬底利用率。
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公开(公告)号：CN112903688B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110164582.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钻石NV色心磁场传感器探头器件及传感器，该探头器件包括：光纤耦合模块及多层叠探头芯片模块。多层叠探头芯片的加工基于高精准度、高可靠的芯片加工工艺和MEMS产线标准流程，可实现高一致性的批量加工；另外，多层叠探头芯片通过MEMS键合技术，实现了单晶钻石与晶圆的异质集成，实现了毫米芯片尺寸级别的光学封装，极大地减小了传感器体积；再者，光纤耦合模块与多层叠探头芯片的耦合形成高Q值的FP腔结构，极大地提高了激发光的腔内功率，从而提高传感器的激发效率；最后，多层叠探头芯片的三层带开腔的键合结构，结合对荧光高反射的介电膜层形成全高反射内腔，荧光唯一出口为耦合的光纤，极大地提高了荧光的收集效率。
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公开(公告)号：CN113281898B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110571642.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微镜单元，所述MEMS微镜单元包括：镜面层，包括镜面以及设置于所述镜面背部的多个柔性力学结构；致动器层，包括交叉排列的三个致动器，每一致动器与所述镜面层的每一柔性力学结构成对设置并且通过耦合柱与相应的柔性力学结构耦合，所述致动器用于通过所述耦合柱与所述柔性力学结构以为所述镜面层提供动力；以及引线层。本发明还提供了一种MEMS微镜阵列，所述MEMS微镜阵列包含以密堆方式排列的多个所述的MEMS微镜单元。本发明提供的MEMS微镜单元可以实现三个自由度的精确可调，控制方式灵活；包含所述MEMS微镜单元的微镜阵列，具有高占空比，以及高一致性的镜面性能。
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