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公开(公告)号：CN102569652A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210076528.8
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备和应用。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。当为Ti-Sb2Te相变存储材料时，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。
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公开(公告)号：CN102453823A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010515116.0
申请日：2010-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳化物复合相变存储材料。该碳化物复合相变存储材料由碳化物和相变材料复合而成。碳化物的作用是将相变材料分隔成纳米级岛状区域，从而使得相变材料的生长受到碳化物的抑制，大大增加了晶界数，增大了复合材料的电阻率，使得复合材料拥有良好的相变特性和热稳定性。此外，可通过增加碳化物比例的方法来调节相变材料的晶态电阻值，避免由于晶态电阻过小而引起的阈值电流或功耗过大问题。
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公开(公告)号：CN114361202A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111523997.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元及其制作方法，相变存储单元包括：衬底；至少一个下电极，所述下电极设置于衬底中，所述下电极的上接触面暴露于衬底外且与衬底上表面持平；相变材料层，所述相变材料层水平部分与下电极连接，所述相变材料层为L形；填充材料，所述填充材料设置于相变材料层竖直部分上方，并与相变材料层一同构成相变存储结构；上电极，所述上电极设置于相变材料层的上方。本发明能够有效缩小相变存储单元的的相变区域。
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公开(公告)号：CN114203901A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111512058.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00 , G11C11/4063 , G11C11/4074
Abstract: 本发明提供一种开关器件及存储器，该开关器件包括下电极、上电极及夹设于下电极与上电极之间的开关材料层，其中：开关材料层包括Te、Se和S中的至少一种元素；开关器件处于开启状态时，开关材料层呈液态，且禁带宽度为0；开关器件处于关闭状态时，开关材料层呈结晶态，且开关材料层与上电极之间形成肖特基势垒，开关材料层与下电极之间形成肖特基势垒。本发明的开关器件采用开关材料晶态‑液态‑晶态相变开关机理，具有开通电流大、漏电流小、阈值电压小、单元一致性高、与CMOS工艺兼容、热稳定好、元素简单、低毒性及可极度萎缩等优点，能够驱动相变存储单元、阻变存储单元、铁电存储单元、磁存储单元等存储单元，实现高密度三维信息存储。
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公开(公告)号：CN111584710A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010277520.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该OTS材料的化学通式为GaxS1-x-yRy。该选通器单元包括该OTS材料。该选通器单元在外部电激励的作用下，能够实现从关断的、高电阻态到导通的、低电阻态的快速转变；而且，在撤去外部电激励时，能够由导通的、低电阻态向关断的、高电阻态快速转变；并且该选通器单元具有驱动电流高、阈值电压较低、开启速度快、开关比大、热稳定性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111384238A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811623426.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构，选通管材料为至少包括Ge及S的化合物，所述选通管材料的化学通式为(GexS1-x)1-yMy，其中，M包括掺杂材料，且0.1≤x≤0.9、0≤y≤0.5。本发明的选通管材料选用GexS1-x材料，该材料用于选通管单元时具有开通电流大、漏电流小、热稳定性好、材料简单及无毒性等优点；本发明的选通管材料通过在GexS1-x材料中掺入掺杂材料，可以调节和优化该选通材料制作的选通管单元的阈值电压、开通电流及疲劳特性等性能；可以提高该选通材料制作的选通管单元的热稳定性、降低该选通材料制作的选通管单元的漏电流、增强该选通管材料制作的选通管单元的可重复性。
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公开(公告)号：CN110098322A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810088435.4
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Sc-Sb-Te相变存储材料为Sc-Sb2Te3相变存储材料，所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料中，C的原子百分比为1%~40%。本发明通过对Sc-Sb2Te3进行C掺杂，由于C是一种低热导的材料，可以很好的防止热扩散，且C的良好导电性保证了材料良好的导通，本发明的C掺杂Sc-Sb2Te3相变材料在外部能量的作用下，能够实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变，高低阻态的阻值比可达两个数量级；其作为相变存储器的存储介质时，相变存储单元不仅具有相变速度快、写操作电流低等优点，而且器件的高温数据保持力及可靠性有了极大的提高；采用本发明相变存储器单元结构的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。
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公开(公告)号：CN104241527A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410522199.4
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V-Sb-Te相变材料体系为在Sb-Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100-x-ySbxTey，其中，0.5≤x/y≤4，且50≤x+y≤99.99。本发明的V-Sb-Te相变材料体系具有相变速度快和操作功耗低，并有较佳的数据保持力和相稳定性，可以极大地拓展Sb-Te相变材料体系的应用范围。同时，V元素可以极大地减小Sb-Te材料体系的晶粒尺寸，使得材料有更好的可微缩性能，这也减小了材料相变前后的体积变化率，提高了材料的抗疲劳特性。另外，V元素与Sb-Te材料体系有较好的相容性，整个材料表现为均一相。
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公开(公告)号：CN102978588A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210537558.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法，包括：1）在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）向上述基底引入Ti的前驱体TiCl4脉冲，清洗残余的TiCl4，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗残余(R3Si)2Te和反应副产物；3）向上述基底引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入Sb的前驱体(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物。采用本发明方法制备的钛-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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