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公开(公告)号：CN111880124A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010661706.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00
Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域，本发明公开了一种高频可调节磁场探测器的制备方法。该探测器的制备方法具体如下，通过对具有二氧化硅介质层的碳化硅薄膜衬底进行图形化，进而得到待键合碳化硅薄膜衬底，并将该待键合碳化硅薄膜衬底与压电薄膜衬底进行键合，对键合后的薄膜衬底进行退火剥离，得到碳化硅-压电薄膜结构，再通过刻蚀掉该碳化硅-压电薄膜内部的部分二氧化硅介质层，之后通过制备叉指电极、低温快退火等工序，得到该磁场探测器。本申请提供的磁场探测器具有频率高和灵敏度高的特点。
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公开(公告)号：CN111865250A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010661703.4
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法，该POI衬底的制备方法包括以下步骤：获取重掺杂SiC衬底和压电衬底；对重掺杂SiC衬底进行多次H离子注入，在重掺杂SiC衬底中形成富H层，获得含富H层的重掺杂SiC衬底；其中，每次注入H离子的能量不同；对含富H层的重掺杂SiC衬底进行退火处理；对压电衬底进行离子注入，在压电衬底的设定深度位置形成缺陷层，获得含缺陷层的压电衬底；将含富H层的SiC衬底的注入面和含缺陷层的压电衬底的注入面进行键合，获得键合结构；对键合结构进行退火剥离处理，使得含缺陷层的压电衬底部分被剥离，形成含压电薄膜的键合结构；对含压电薄膜的键合结构进行后退火处理及对压电薄膜进行表面处理。
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公开(公告)号：CN111799365A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010608365.8
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/312 , H01L41/332 , H01L41/22 , H01L41/08
Abstract: 本申请实施例所公开的一种基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件，通过在同一压电衬底的不同区域内注入种类、剂量和能量均不同的离子，使得在该衬底的不同深度处形成多个损伤层，可以在同一衬底的不同区域上得到间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜，可以提高衬底的利用率，节约衬底制造成本，并且，利用间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜增加应用器件的空气边界，可以提高声波在薄膜边界的反射系数，进而可以提高器件的品质因子。
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公开(公告)号：CN119519641A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411531432.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种声表面波带通滤波器以及其设计方法、电子设备，其中，该方法包括：确定谐振器的第一结构参数以及确定第二结构参数，第二结构参数包括压电薄膜的压电材料及厚度；提取构建的各谐振器的面内传输方向相关的第一关系和第二关系；基于第一关系和第二关系，搭建目标滤波器；目标滤波器包括基本谐振器组和补偿谐振器组，基本谐振器组在滤波器的中心频率处的频率温度系数为零，补偿谐振器组在传输零点处的频率温度系数为零；若检测目标滤波器的频率温度系数不为零，返回确定第二结构参数的步骤，直至检测目标滤波器的频率温度系数为零。本申请通过让谐振器互相作用保证滤波器的通带范围不随温度变化而变化，实现了频率温度系数为零的带通滤波器。
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公开(公告)号：CN119496478A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411402796.3
申请日：2024-10-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波器件，包括：衬底；第一压电薄膜，设在所述衬底上；第二压电薄膜，设在所述第一压电薄膜上；第一换能器电极，设在所述第二压电薄膜上；第二换能器电极，设在所述第二压电薄膜上并与所述第一换能器电极的位置相对应；所述第一压电薄膜和所述第二压电薄膜的晶体取向不同，以使目标声学模式下所述声表面波器件的机电耦合系数和能流角最优。本发明的声表面波器件能够同时满足较大的带宽与较低的插入损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115296636B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210308897.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及谐振器制备领域，提供了一种声波谐振器的制备方法及其结构、滤波器，包括获取支撑衬底，在支撑衬底上制备第一电极层，该第一电极层的材料为碳化硅，对第一电极层进行区域化处理，使得第一电极层被划分为导电区域和绝缘区域，在第一电极层上制备压电薄膜，在压电薄膜上导电区域对应的区域制备第二电极层，得到声波谐振器。本申请在支撑衬底制备区域化导电碳化硅层作为底电极，并处于悬浮电位状态，器件在工作时仅需在顶电极上施加合适的激励信号，相较于传统FBAR结构无需将压电薄膜刻蚀出通孔以引出底电极，制造版图更加简单，且可以获得更高的谐振频率、更大的机电耦合系数、更小的损耗，可以提高器件的散热性能，提升器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN114337582B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111465935.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜、叉指换能器和两个反射栅单元；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条和叉指电极单元；叉指电极单元包括第一电极、第二电极和第一阻碍结构；第一电极的第一端与第一汇流条连接；第二电极包括相对的第二端和第一自由端；第二端与第二汇流条连接；第一阻碍结构位于第一自由端与第一汇流条之间的区域。能够实现在抑制杂散模的同时保证主模特性的不变。
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公开(公告)号：CN113130376B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110395087.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
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公开(公告)号：CN114362710B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111467179.8
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器，包括：支撑衬底、单晶压电层和图案化电极组件；单晶压电层位于支撑衬底的上表面；图案化电极组件位于单晶压电层远离支撑衬底的表面或嵌入单晶压电层远离支撑衬底的表面；图案化电极组件用于连接第一信号源；第一信号源用于在声波谐振器的工作过程中，对图案化电极组件输入第一电信号；图案化电极组件在接收到第一电信号的情况下，能够在声波谐振器内形成第一电场，以调节声波谐振器的电容；所述第一信号源包括直流信号源或交流信号源。本申请通过输入第一电信号，引入外加电场，通过外加电场调节器件的电容，从而使得声波谐振器的机电耦合系数变大，进而增大声波谐振器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN113541636B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202110864026.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，其中所述压电层包括贯通槽、边缘支撑结构、接合臂及N个有效压电结构；N个底电极，形成于N个所述有效压电结构和所述支撑衬底之间，并通过底电极连通结构相互连通；N个顶电极，形成于N个所述有效压电结构的上表面，并通过N个顶电极引出结构一一引出。其中，N为大于等于2的正整数。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有技术中横纵电场激发产生杂波的问题以及声波谐振器频率调节的问题。
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