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公开(公告)号：CN116880009B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310878973.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及集成光子学技术领域，尤其涉及一种碳化硅微盘谐振器、制备方法及光通信设备。谐振器包括碳化硅器件层；碳化硅器件层包括微盘谐振腔、波导和至少一个光栅；微盘谐振腔内形成有预设类型的色心；波导包括连接端和至少一个光栅耦合端，连接端与微盘谐振腔的边沿相接，每个光栅耦合端对应连接一个光栅；波导用于将输入光栅的激发光波传输至微盘谐振器，以激发色心发光；波导还用于耦合色心所发出的色心荧光，并将色心荧光传输到光栅；光栅用于接收输入激发光波，以及将色心荧光发射出微盘谐振器。通过在碳化硅器件层中集成微盘谐振腔、波导和光栅，可以直接将预设类型色心发出的光耦合发射出来，实现对碳化硅材料中的自旋缺陷的利用。
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公开(公告)号：CN113120857B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110400994.6
申请日：2021-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。
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公开(公告)号：CN109742202B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201910142121.2
申请日：2019-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单光子源器件、制备方法及量子存储器，单光子源器件包括：量子点发光层，量子点发光层包括阻挡层及位于阻挡层中的量子点层；压电陶瓷基底，通过压电陶瓷基底以调节量子点发光层的发光光谱中心波长；键合层，键合层位于量子点发光层与压电陶瓷基底之间，通过键合层连接量子点发光层及压电陶瓷基底。本发明通过压电陶瓷基底，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势及测试装置简单的优点。
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公开(公告)号：CN114137660B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111437447.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种混合集成光量子芯片的制备方法及其结构，其中制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，待刻蚀结构包括量子点层，待转移结构包括待转移区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理，使得在量子点层形成波导结构，之后利用聚合物拾取波导结构，并转移至待转移结构的待转移区域上，得到光量子芯片。基于本申请实施例利用聚合物拾取波导结构，并转移至待转移结构的待转移区域上，得到光量子芯片，可以提高耦合效率，减小芯片的体积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115377257A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211019550.9
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种能量可调谐的量子纠缠光源器件及其制备方法，所述器件由下到上依次包括：衬底、压电材料、电极，其中衬底上表面的中央设有沟道；所述压电材料上表面的中央设置正方形区域，并且以该正方形区域为中心，四周布置有四块梯形的电极；所述正方形区域内设有薄膜。本发明器件既适用于小面积的薄膜材料，也适用于面积较大的薄膜材料,因此应用范围较广泛。该器件既能产生两对相互独立的单轴应力，也能产生双轴应力。
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公开(公告)号：CN113120857A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110400994.6
申请日：2021-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。
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公开(公告)号：CN111564533B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010264515.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件，本发明通过在SiC晶圆 面制备氧化硅层；离子注入；沿氧化硅表面与另一带氧化硅介质层的SiC衬底键合；退火剥离，将SiC薄膜转移至SiC衬底上；在SiC薄膜上制备掩膜，去除掩膜图案以露出SiC薄膜部分；V离子注入，再去除掩膜区域；制备C膜，再激活V离子掺杂的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上并制备1550nm通讯波段单光子源，有效克服了当前光子学平台1550nm光源制备困难、单光子源与光学器件集成困难的问题，在SiC平台上得到高均匀性、高质量的1550nm通讯光源，并实现了单光子源与器件同平台集成。
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公开(公告)号：CN111564533A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010264515.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件，本发明通过在SiC晶圆 面制备氧化硅层；离子注入；沿氧化硅表面与另一带氧化硅介质层的SiC衬底键合；退火剥离，将SiC薄膜转移至SiC衬底上；在SiC薄膜上制备掩膜，去除掩膜图案以露出SiC薄膜部分；V离子注入，再去除掩膜区域；制备C膜，再激活V离子掺杂的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上并制备1550nm通讯波段单光子源，有效克服了当前光子学平台1550nm光源制备困难、单光子源与光学器件集成困难的问题，在SiC平台上得到高均匀性、高质量的1550nm通讯光源，并实现了单光子源与器件同平台集成。
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公开(公告)号：CN209434220U
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201920243715.8
申请日：2019-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种单光子源器件及量子存储器，单光子源器件包括：量子点发光层，量子点发光层包括阻挡层及位于阻挡层中的量子点层；压电陶瓷基底，通过压电陶瓷基底以调节量子点发光层的发光光谱中心波长；键合层，键合层位于量子点发光层与压电陶瓷基底之间，通过键合层连接量子点发光层及压电陶瓷基底。本实用新型通过压电陶瓷基底，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势及测试装置简单的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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