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公开(公告)号：CN114252701A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111493657.2
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/06
Abstract: 本发明适用于通信设备技术领域，提供了一种微波器件驻波比测量方法及测量终端，上述方法包括：应用于驻波比检测设备；上述设备包括：信号源、定向耦合器及信号检测仪；定向耦合器的输入端与信号源连接，定向耦合器的输出端用于与待测件、全匹配标准件或全反射标准件连接，定向耦合器的耦合端与信号检测仪连接；上述方法包括：分别获取定向耦合器的输出端连接全匹配标准件、全反射标准件及待测件时的电压幅值，根据上述三个电压幅值确定待测件的驻波比。本发明采用全匹配标准件和全反射标准件对检测设备进行校准，进而计算得到待测件的驻波比，无需使用网络分析仪或测量线，大大降低了测量成本。
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公开(公告)号：CN114137379A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111284371.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种LRRM校准件的制备方法及LRRM校准件。该方法包括：LRRM校准件包括一个传输线、两个开路、两个短路以及两个负载，方法包括：获取衬底参数和衬底上设置的金属的参数，根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定开路、短路以及负载的横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸、开路的横截面尺寸、短路的横截面尺寸以及负载的横截面尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载的电阻进行激光修阻；对修阻后的校准件中的传输线、反射和负载进行参数标定，得到LRRM校准件。本发明能够解决目前没有LRRM校准件的制备方法的问题。
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公开(公告)号：CN111983313A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010717571.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数测量方法，包括：建立噪声接收机的超定方程，并根据噪声接收机的超定方程得到噪声接收机的噪声相关矩阵；建立被测件级联噪声接收机的超定方程，并根据被测件级联噪声接收机的超定方程得到被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵；根据噪声接收机的噪声相关矩阵和被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵得到被测件的噪声相关矩阵，并根据被测件的噪声相关矩阵得到被测件的噪声参数。本发明能够实现对被测件的噪声参数的准确测量，提高噪声测量的精度。
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公开(公告)号：CN111983311A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010717515.9
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数测量方法，包括：建立噪声接收机的超定方程，并根据噪声接收机的超定方程得到噪声接收机的噪声相关矩阵；建立被测件级联噪声接收机的超定方程，并根据被测件级联噪声接收机的超定方程得到被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵；根据噪声接收机的噪声相关矩阵和被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵得到被测件的噪声相关矩阵，并根据被测件的噪声相关矩阵得到被测件的噪声参数。本发明能够实现对被测件的噪声参数的准确测量，提高噪声测量的精度。
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公开(公告)号：CN106446337B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610737112.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种无源器件噪声标准值的计算方法，涉及噪声测量技术领域。该方法包括以下步骤：建立无源器件的散射参数‑噪声模型；根据所述无源器件的散射参数‑噪声模型得出所述无源器件的噪声相关矩阵；所述无源器件的噪声相关矩阵中包含无源器件的环境温度；根据所述无源器件的噪声相关矩阵获得所述无源器件的噪声参数标准值；根据所述无源器件的噪声参数标准值得出所述无源器件的噪声系数标准值。上述无源器件噪声标准值的计算方法，能够提高噪声标准值的计算准确度，提升噪声测量系统计量验证水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118858868A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410834330.4
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种宽带在片差分S参数校准方法，涉及晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域。本发明通过对在片差分S参数测量系统进行两次两端口多线TRL校准、一次两端口未知直通校准，结合端口间矩阵运算得到四个端口全部误差项，可求解出件的多端口S参数，再将四个端口的常规S参数计算转化为差分S参数。在该过程中，由于采用可溯源的多线TRL校准算法，可有效提高在片差分S参数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN114137379B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111284371.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种LRRM校准件的制备方法及LRRM校准件。该方法包括：LRRM校准件包括一个传输线、两个开路、两个短路以及两个负载，方法包括：获取衬底参数和衬底上设置的金属的参数，根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定开路、短路以及负载的横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸、开路的横截面尺寸、短路的横截面尺寸以及负载的横截面尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载的电阻进行激光修阻；对修阻后的校准件中的传输线、反射和负载进行参数标定，得到LRRM校准件。本发明能够解决目前没有LRRM校准件的制备方法的问题。
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公开(公告)号：CN113777547A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110864583.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种在片S参数测量系统校准判断方法、装置及终端。该方法包括：基于参考在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的参考S参数；基于目标在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的目标S参数；基于参考S参数、目标S参数和T参数与S参数之间的转换关系，确定目标S参数相对于参考S参数的最大偏差，并根据最大偏差判断目标在片校准方法对在片S参数测量系统的校准是否有效。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN112115411A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010849557.8
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种位置漂移补偿方法、终端设备及可读性存储介质，该方法包括：S101：采集待测件的第一帧图像P1；设定待测件图像的采集帧数为N、当前采集帧为k、采集图像为P、累积卷积核为H，令k＝2、P＝P1、H＝0；S102：采集待测件的第k帧图像Pk，并计算第一帧图像平移变换到第k帧图像对应的卷积核hk；S103：令k＝k+1、P＝P+Pk、H＝H+hk，若k≦N，则返回执行步骤S102；若k>N，则基于累积卷积核H对采集图像P进行反卷积，得到待测件的补偿图像。本发明提供的位置漂移补偿方法、终端设备及可读性存储介质能够减少实时运算量，降低运算成本。
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