公开(公告)号：CN115036390B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202210434537.3

申请日：2022-04-24

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 柳月波 ,  赖灿雄 ,  廖文渊 ,  牛皓 ,  颜佳辉 ,  陈希宇 ,  李树旺 ,  杨少华 ,  路国光

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/02 ,  H01L31/09 ,  C25D3/54 ,  C25D7/00 ,  C25D21/12

Abstract: 本发明提供了一种焊点柱的制备方法，其包括如下步骤：在具有焊盘的基板上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的第一光刻胶层，露出焊盘；在基板上沉积覆盖第一光刻胶层与焊盘的打底金属层；在基板上涂覆第二光刻胶层，第二光刻胶层的厚度比第一光刻胶层厚，对第二光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的部分第二光刻胶层；在焊盘上的打底金属层上电镀焊点金属；去除第一光刻胶层与第二光刻胶层，使第二光刻胶层上的焊点金属随第二光刻胶层脱落，焊盘上的焊点金属形成焊点柱。该制备方法通过各步骤的彼此搭配，实现了通过电镀的方式在焊盘表面制备焊点柱，能够有效减少金属源的消耗量。

公开(公告)号：CN117747421A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202410183364.1

申请日：2024-02-19

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 王宏跃 ,  柳月波

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请涉及一种欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件，通过提供外延片，外延片包括依次层叠设置的衬底、沟道导电层、势垒层和保护层，继而，在外延片上形成光刻胶图形层，光刻胶图形层位于保护层背离势垒层的一侧，光刻胶图形层开设有第一欧姆接触窗口；继而，将形成有光刻胶图形层的外延片浸入酸性溶液中，并在光刻胶图形层所在侧采用紫外激光对形成有光刻胶图形层的外延片进行照射，以刻蚀形成第二欧姆接触窗口，其中，酸性溶液的酸度系数大于10‑4，第二欧姆接触窗口与第一欧姆接触窗口连通并暴露出沟道导电层；最后，在第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极，如此，使得欧姆接触电阻极低，刻蚀形成第二欧姆接触窗口的效率极高。

公开(公告)号：CN117723163A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202410172490.7

申请日：2024-02-07

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 王宏跃 ,  柳月波 ,  陈义强 ,  何小琦

IPC: G01K11/125 ,  G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。GaN HEMTs器件结温测试装置包括：样品台，样品台包括本体和分液管道，本体开设有用于容置分液管道的容纳腔，本体还用于承载待测器件；测温模块，用于测量本体表面的实际温度；冷却设备，用于根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道的冷却液的流量，以使本体表面的温度维持在预设温度范围内；反射率热成像设备，用于获取待测器件对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果。本申请的GaN HEMTs器件结温测试装置及方法能使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内，避免由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率，导致最终测试结果不准确的情况发生，提高结温测试结果的准确性。

公开(公告)号：CN117055243A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310950265.7

申请日：2023-07-31

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 廖文渊 ,  陈浩 ,  杨少华 ,  赖灿雄 ,  柳月波

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035

Abstract: 本申请涉及一种铌酸锂薄膜电光调制器，包括基体，基体包括第一基体部和第二基体部，第一基体部与第二基体部连接，且第一基体部所处的第一平面与第二基体部所处的第二平面相交；以及光波导，光波导包括依序连接的第一波导结构、弯曲波导和第二波导结构，第一波导结构设置于第一基体部上，第二波导结构设置于第二基体部上，弯曲波导位于第一基体部和第二基体部的转弯连接处。光波导的整体长度可由保留原有尺寸而避免因尺寸变化影响半波电压性能，且在这种三维立体结构的改进下使得基体的长度，也即铌酸锂薄膜电光调制器的整体总长度得到有效缩减，减小了其占用安装空间，从而更有利于大规模集成使用。

公开(公告)号：CN114296248B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111502085.X

申请日：2021-12-09

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 柳月波 ,  赖灿雄 ,  杨少华 ,  路国光

IPC: G02B27/10

Abstract: 本发明涉及一种分光膜、选择性分光镜、光学设备及分光方法。上述分光膜通过设置成交替层叠的二氧化硅膜层和氮化硅膜层，使其对850nm的光具有高反射率，同时对1550nm的光具有高透射率，对波长为850nm的光和1550nm的光具有高选择性，可用于在空间上分隔开这两种波长的光。选择性分光镜包括镜片基体以及分光膜，分光膜设置在镜片基体上。当光通信系统同时采用波长为850nm和1550nm的两种光在同一光路中进行传输时，上述选择性分光镜可以在接收段将这两种光在空间上分离开，有利于后端接收器分别识别加载于不同波段光束上的信号。

公开(公告)号：CN114335175A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111367380.9

申请日：2021-11-18

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 柳月波 ,  赖灿雄 ,  杨少华 ,  路国光

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：第一AlGaN/AlN/GaN异质结构，第一AlGaN/AlN/GaN异质结构中的AlN层与GaN层的界面处存在第一二维电子气沟道；第二AlGaN/AlN/GaN异质结构，第二AlGaN/AlN/GaN异质结构中的AlN层与GaN层的界面处存在第二二维电子气沟道；第三AlGaN/AlN/GaN异质结构，第三AlGaN/AlN/GaN异质结构中的AlN层与GaN层的界面处存在第三二维电子气沟道；第一二维电子气沟道中的电子浓度、第二二维电子气沟道中的电子浓度及第三二维电子气沟道中的电子浓度之间的差值小于预设值，进而调节载流子分布，以实现减小器件电阻值、减小反向漏电流和减小器件工作状态下的发热量的目的。

公开(公告)号：CN114296248A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111502085.X

申请日：2021-12-09

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 柳月波 ,  赖灿雄 ,  杨少华 ,  路国光

IPC: G02B27/10

Abstract: 本发明涉及一种分光膜、选择性分光镜、光学设备及分光方法。上述分光膜通过设置成交替层叠的二氧化硅膜层和氮化硅膜层，使其对850nm的光具有高反射率，同时对1550nm的光具有高透射率，对波长为850nm的光和1550nm的光具有高选择性，可用于在空间上分隔开这两种波长的光。选择性分光镜包括镜片基体以及分光膜，分光膜设置在镜片基体上。当光通信系统同时采用波长为850nm和1550nm的两种光在同一光路中进行传输时，上述选择性分光镜可以在接收段将这两种光在空间上分离开，有利于后端接收器分别识别加载于不同波段光束上的信号。