石英以及增加石英抗激光损伤性能的方法

    公开(公告)号:CN108455870B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201810342443.7

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明涉及光学材料领域,具体而言,涉及一种石英以及增加石英抗激光损伤性能的方法。增加石英抗激光损伤性能的方法,包括以下步骤:对石英基片进行刻蚀处理后在所述石英基片上沉积二氧化硅;在沉积所述二氧化硅的同时,对沉积的所述二氧化硅进行熔融。其通过刻蚀能够将较小的微裂纹完全去除,同时能将较大的微裂纹完全暴露并钝化裂纹尖端,便于后续熔覆过程对微裂纹的填补和修复。而后利用熔融沉积的二氧化硅的流动性修复填补裂纹,从而提高熔石英的机械性能并最终提升其抗激光损伤性能。同时,大面积均匀的沉积和熔覆玻璃涂层,使得熔石英整个表面具有较好的面型。

    一种在有机材料表面制备抗反射微纳结构的方法

    公开(公告)号:CN110194436A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201910504740.1

    申请日:2019-06-12

    Abstract: 本发明涉及微纳结构制备技术领域,具体涉及一种在有机材料表面制备抗反射微纳结构的方法。本发明对有机材料进行反应离子刻蚀,形成抗反射微纳结构;其中,反应离子刻蚀所用刻蚀气体为氧气和惰性气体,氧气的流量为1~50SCCM,惰性气体的流量为1~100SCCM,且氧气和惰性气体的流量比为1:(1~10);反应离子刻蚀的功率为10~250W。本发明基于干法刻蚀,没有额外采用任何掩模板,在对有机材料进行反应离子刻蚀过程中,通过控制氧气和惰性气体的流量、二者流量的比例关系以及反应离子刻蚀的功率,能够使有机材料表面产生再沉积物,再沉积物能够作为反应离子刻蚀的微掩模,从而在有机材料表面制备出抗反射微纳结构。

    一种光热弱吸收测试系统及方法

    公开(公告)号:CN105738372B

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201610121294.2

    申请日:2016-03-03

    Abstract: 本发明提供了一种光热弱吸收测试系统及方法,应用于光学元件的吸收缺陷测试领域,所述光热弱吸收测试系统包括离轴抛物镜、样品台、探测器、探测光源以及多个泵浦光源,所述多个泵浦光源发出的泵浦光的波长不尽相同;所述多个泵浦光源分别发出的泵浦光经所述离轴抛物镜反射后均聚焦到安装在样品台上的待测样品的预设待测点处,所述探测光源发出的探测光也聚焦到所述待测样品的预设待测点处,透过所述待测样品的探测光进入所述探测器,从而得到所述待测样品对所述多个泵浦光源分别发出的泵浦光的吸收。本发明实施例提供的光热弱吸收测试系统及方法有效地实现了多个波长的泵浦激光共同作用时光学材料表面、亚表面及光学膜层的微弱吸收测试。

    一种光学元件激光预处理系统

    公开(公告)号:CN105665921A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610256778.8

    申请日:2016-04-21

    CPC classification number: B23K26/0006

    Abstract: 本发明实施例提供了一种光学元件激光预处理系统,属于光学材料激光预处理领域。所述光学元件激光预处理系统包括激光光源、第一反射装置及第二反射装置。第一反射装置的反射面与第二反射装置的反射面相互平行,待处理样品设置在第一反射装置的反射面与第二反射装置的反射面之间。第一反射装置与第二反射装置组成反射腔,激光光源发出的激光光束进入反射腔后,经反射腔多次反射后对待处理样品的多个预设处理点进行辐照,用以对待处理样品进行预处理。本发明实施例提供的光学元件激光预处理系统有效地提高了光学元件的激光预处理效率,降低了光学元件激光预处理的成本。

    一种表面等离激元超材料热释电高光谱成像系统

    公开(公告)号:CN114689179B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202011611910.5

    申请日:2020-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元超材料热释电高光谱成像系统。该系统包括面阵探测器,数据处理器和显示器。核心部件面阵探测器的像元包括热释电探测层、金属层、介质隔离层、二维材料层、离子凝胶层和电极;金属层设置在热释电探测层上方,介质隔离层设置在金属层上方,二维材料层设置在介质隔离层上方,二维材料层上方涂覆有离子凝胶层,电极的栅极设置在离子凝胶层上方,源极和漏极分别设置在离子凝胶层两侧,源极和漏极均与离子凝胶层接触,源极与第一外接电源的正极连接,栅极与第二外接电源的正极连接,漏极分别与第一外接电源的负极和第二外接电源的负极连接。本发明通过调节第一外接电源的电压和/或第二外接电源的电压能够实现高光谱成像。

    一种光栅掩模制备系统及方法

    公开(公告)号:CN117970549A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410365523.X

    申请日:2024-03-28

    Abstract: 本发明提供了一种光栅掩模制备系统及方法,该系统包括:样品台、激光产生模组以及N个掩模制备模组。激光产生模组用于提供飞秒激光光束。N个掩模制备模组沿待制备光栅宽度扩展方向等间隔排布,相邻两个掩模制备模组出射的制备光束之间的间距为待制备光栅周期的整数倍,以将掩模制备区域等分为N个子区域,每个掩模制备模组分别将入射的飞秒激光光束调整为制备光束,并作用到目标基底上的相应子区域,被所涂覆的光刻胶双光子吸收,使得光刻胶聚合并固化。在此基础上,通过样品台带动目标基底沿预设轨迹移动,使得每个掩模制备模组的制备光束同时对各自对应的子区域进行扫描,形成光栅掩模图案,从而高效地实现大口径光栅掩模制备。

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