基于局部特征的航拍绝缘子图像的定位方法

    公开(公告)号:CN109712112A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201811401151.2

    申请日:2018-11-22

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于计算机视觉中的图像处理技术领域,应用在电力系统中输电线路巡检方面。基于局部特征的航拍绝缘子图像的定位方法,通过无人机采集沿着输电线路拍摄采集图像,对采集和参考绝缘子图像均进行灰度化处理;在MATLAB平台上利用Harris-Laplace检测方法提取灰度化处理后图像的特征点,在MATLAB平台上,用SURF算法提取经过步骤二处理的灰度化处理后图像的特征点,在MATLAB平台上,用估计几何变换进行图像配准,绝缘子定位。本发明充分发挥局部特征的旋转、尺度、仿射不变性的优势,并且局部特征点配准定位的话,特征点数量少,计算量降低。

    一种云计算排污速度的锅炉系统

    公开(公告)号:CN107166362B

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201710414088.5

    申请日:2017-06-05

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明提供了一种锅炉系统,所述系统根据锅炉产生的蒸汽量和输入锅炉的水量进行自动控制,所述锅炉定期进行排污,排污速度保持不变,所述中央诊断监控器根据蒸汽质量与输入锅炉的水的质量之间的比值自动设定排污速度,所述监控诊断控制器与云端服务器数据连接,以便将监控的数据传递给云端服务器,云端服务器与客户端连接,客户端可以通过云端服务器得到监控的数据,客户端根据得到的数据,手动输入排污速度,通过云端服务器传递给监控诊断控制器,通过监控诊断控制器来手动调节排污量。本发明通过实时监控每台锅炉的输入水量与产生蒸汽量,得到输入水量和产生蒸汽量的动态比关系,根据动态比例关系,自动计算锅炉的排污量,根据排污量来调整排污速度,客户端可以及时掌握锅炉排污系统运行情况,并可以及时通过客户端进行排污参数的调整,防止由于锅炉排污系统故障造成的大量的热能浪费。

    一种弹光调制和电光调制联用的电压传感装置及检测方法

    公开(公告)号:CN109342807A

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201811541880.8

    申请日:2018-12-17

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及电压测量领域,具体涉及一种弹光调制和电光调制联用的电压传感装置及检测方法,以弹光调制技术为基础,将待测电压对电光晶体引入的相位差实现快速、高灵敏的探测,实现实时快速的电压传感;电光传感元件选用单轴电光晶体,以光轴方向通光,提高了电压传感装置的温度稳定性;信号处理基于数字锁相放大技术实现。信号采集和数字锁相均由同一个FPGA控制完成,并且弹光调制器的LC谐振高压驱动电路的输入信号也由FPGA提供,保证了参考信号与调制基频信号同频,同源,提高了信号处理的精度;本发明由计算机完成锁相数据处理,最终求解得出待测电压,进而进行存储和显示,本发明测量灵敏度和精度较高,无运动部件,成本较低,利于工业自动化集成。

    一种化学改性的废旧PC/ABS合金材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104356322B

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201410696088.5

    申请日:2014-11-26

    Abstract: 本申请属于高分子材料领域,尤其涉及一种化学改性的废旧PC/ABS合金材料及其制备方法。本申请提供的化学改性的废旧PC/ABS合金材料,由物料经熔融共混制成,以重量份数计,所述物料包括:废旧PC/ABS合金95~99份;含乙烯基和环氧基的化合物0.02~5份;芳香族过氧化物0.01~0.2份;所述废旧PC/ABS合金的缺口冲击强度低于10kJ/m2。本申请通过使用含乙烯基和环氧基的化合物以及芳香族过氧化物对废旧PC/ABS合金进行改性,制备得到机械性能良好的改性材料。实验结果表明,本申请提供的废旧PC/ABS合金改性材料的缺口冲击强度高于10kJ/m2,拉伸强度高于44MPa,弯曲强度高于63MPa,弯曲模量高于2300MPa,熔体质量流动速率低于16g/10min。

    一种弹光调制和电光调制级联的相位调制型椭偏仪

    公开(公告)号:CN105241820A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510659110.3

    申请日:2015-10-13

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及椭偏参数分析的技术领域,更具体而言,涉及一种弹光调制和电光调制级联的相位调制型椭偏仪,实现了一种高精度、高灵敏度、高重复性、高速率和无需机械调节的椭偏测量;该椭偏仪是基于弹光调制和电光调制的组合偏振调制技术和数字锁相处理信号技术实现的;检测光源经缩束后,依次通过起偏器、待测样品、电光调制器、弹光调制器,最后经检偏器出射到光电探测器,检测信号经FPGA数字锁相得到弹光调制倍频项数据,并传入计算机完成待测样品的椭偏参数处理,存储和显示;该椭偏仪测量速率快、工作稳定,便于工业化集成,为椭偏参数的测量及相关应用领域提供了新理论和新方法。

    一种液晶可变延迟器的延迟量定标方法及装置

    公开(公告)号:CN104849879A

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201510320865.0

    申请日:2015-06-12

    Applicant: 中北大学

    CPC classification number: G02F1/0136

    Abstract: 本发明涉及一种液晶可变延迟器(liquid crystal variable retarder,LCVR)的延迟量定标方法,属于LCVR的光学特性研究领域;提供一种操作简单、定标精度较高的定标方法;根据LCVR的工作原理,首先利用折射率椭球理论分析了LCVR对入射光的双折射相位延迟关系,然后,确立了色散项定标和调制电压决定项定标相结合的定标方法,最后,结合具体实例说明本发明的定标方法和定标步骤,本发明理论分析正确,定标方法准确可行,经过定标后,可求出LCVR工作波长范围内任意波长入射光的延迟量随调制电压的变化关系,为LCVR实现对任意波长入射光的相位延迟的精确控制提供了依据。

    一种多反射单弹光调制傅里叶变换光谱仪光路结构

    公开(公告)号:CN103162834A

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201310086732.2

    申请日:2013-03-05

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及一种新型傅里叶变换光谱仪,是一种能够实现高速、高光谱分辨率、高稳定度和高通量的多反射单弹光调制型傅里叶变换光谱仪结构,提供一种光谱分辨率很高、调制速度高、无机械运动,同时又能保证足够光通量的新型单弹光调制型干涉仪结构,用来代替传统的迈克尔逊干涉仪,并结合相应的前置收集光系统,形成一种新型的,能够实现高速、高光谱分辨率、高稳定性和高通量的傅里叶变换光谱仪结构。本发明的技术解决方案是:一种多反射单弹光调制傅里叶变换光谱仪光路结构,沿光入射光路依次由第一透镜、第二透镜、光阑、起偏器、静态双折射晶体、第三透镜、弹光调制器、检偏器、第四透镜和探测器构成。

    一种3,4-二硝基呋咱基氧化呋咱球形化晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN116283818B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202310327853.5

    申请日:2023-03-30

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种3,4‑二硝基呋咱基氧化呋咱球形化晶体的制备方法,涉及含能晶体材料技术领域。该方法包括:1)将3,4‑二硝基呋咱基氧化呋咱、结晶溶剂、结晶添加剂充分溶解;2)边搅拌边降低温度,形成过饱和溶液,出现晶核时保温一段时间;3)继续边搅拌边降低温度,直至降至室温;4)过滤、洗涤和干燥,即得所述产品。本发明所得DNTF晶体球形化程度极高,晶体形态规整,表面光滑,晶体内部透明缺陷少,流散性好。本发明工艺简单,易于控制,结晶母液可循环使用,有利于减少有机溶剂对环境的污染,成本低且安全可靠,适用于工业化批量生产。

    一水合3-硝基-1,2,4-三唑-5-酮铵盐晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN119528830A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202311143412.6

    申请日:2023-09-06

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种一水合3‑硝基‑1,2,4‑三唑‑5‑酮铵盐晶体的制备方法,属于炸药制备技术领域。该方法包括将3‑硝基‑1,2,4‑三唑‑5‑酮溶于N,N‑二甲基甲酰胺,将溶液倒入蒸发皿中静置,采用蒸发结晶的方法最后得到一水合3‑硝基‑1,2,4‑三唑‑5‑酮铵盐晶体。本发明是一种全新方式的一水合3‑硝基‑1,2,4‑三唑‑5‑酮铵盐晶体的制备方法,其工艺流程简单,反应条件普通,操作方便,安全性高。

    一种MOSFET无源隔离防直通快关驱动电路

    公开(公告)号:CN112332821B

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202011384270.9

    申请日:2020-12-02

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明提供一种MOSFET无源隔离防直通快关驱动电路。所述的MOSFET防直通驱动电路包括隔离防直通电路,在控制侧防止驱动信号因非正常因素发出在某一时刻桥臂驱动同时为高电平的驱动信号导致桥臂MOSFET发生直通故障以及将控制电路与功率电路隔离减小功率电路在高频高压工作状态下对控制电路的干扰;栅极驱动和快速关断单元,驱动MOSFET导通以及加快MOSFET关断时的寄生电容的放电过程使MOSFET快速关断,降低桥臂PWM的死区时间,提高桥式电路MOSFET在开关状态切换的安全性和整机效率。

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