公开(公告)号：CN112332821A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011384270.9

申请日：2020-12-02

Applicant: 中北大学

Inventor： 李晓 ,  吴颖 ,  孟杰 ,  张凯旗 ,  张博 ,  刘家颖

IPC: H03K17/041

Abstract: 本发明提供一种MOSFET无源隔离防直通快关驱动电路。所述的MOSFET防直通驱动电路包括隔离防直通电路，在控制侧防止驱动信号因非正常因素发出在某一时刻桥臂驱动同时为高电平的驱动信号导致桥臂MOSFET发生直通故障以及将控制电路与功率电路隔离减小功率电路在高频高压工作状态下对控制电路的干扰；栅极驱动和快速关断单元，驱动MOSFET导通以及加快MOSFET关断时的寄生电容的放电过程使MOSFET快速关断，降低桥臂PWM的死区时间，提高桥式电路MOSFET在开关状态切换的安全性和整机效率。

公开(公告)号：CN112332821B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202011384270.9

申请日：2020-12-02

Applicant: 中北大学

Inventor： 李晓 ,  吴颖 ,  孟杰 ,  张凯旗 ,  张博 ,  刘家颖

IPC: H03K17/041

Abstract: 本发明提供一种MOSFET无源隔离防直通快关驱动电路。所述的MOSFET防直通驱动电路包括隔离防直通电路，在控制侧防止驱动信号因非正常因素发出在某一时刻桥臂驱动同时为高电平的驱动信号导致桥臂MOSFET发生直通故障以及将控制电路与功率电路隔离减小功率电路在高频高压工作状态下对控制电路的干扰；栅极驱动和快速关断单元，驱动MOSFET导通以及加快MOSFET关断时的寄生电容的放电过程使MOSFET快速关断，降低桥臂PWM的死区时间，提高桥式电路MOSFET在开关状态切换的安全性和整机效率。