公开(公告)号：CN112332821A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011384270.9

申请日：2020-12-02

Applicant: 中北大学

Inventor： 李晓 ,  吴颖 ,  孟杰 ,  张凯旗 ,  张博 ,  刘家颖

IPC: H03K17/041

Abstract: 本发明提供一种MOSFET无源隔离防直通快关驱动电路。所述的MOSFET防直通驱动电路包括隔离防直通电路，在控制侧防止驱动信号因非正常因素发出在某一时刻桥臂驱动同时为高电平的驱动信号导致桥臂MOSFET发生直通故障以及将控制电路与功率电路隔离减小功率电路在高频高压工作状态下对控制电路的干扰；栅极驱动和快速关断单元，驱动MOSFET导通以及加快MOSFET关断时的寄生电容的放电过程使MOSFET快速关断，降低桥臂PWM的死区时间，提高桥式电路MOSFET在开关状态切换的安全性和整机效率。

公开(公告)号：CN112332821B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202011384270.9

申请日：2020-12-02

Applicant: 中北大学

Inventor： 李晓 ,  吴颖 ,  孟杰 ,  张凯旗 ,  张博 ,  刘家颖

IPC: H03K17/041

Abstract: 本发明提供一种MOSFET无源隔离防直通快关驱动电路。所述的MOSFET防直通驱动电路包括隔离防直通电路，在控制侧防止驱动信号因非正常因素发出在某一时刻桥臂驱动同时为高电平的驱动信号导致桥臂MOSFET发生直通故障以及将控制电路与功率电路隔离减小功率电路在高频高压工作状态下对控制电路的干扰；栅极驱动和快速关断单元，驱动MOSFET导通以及加快MOSFET关断时的寄生电容的放电过程使MOSFET快速关断，降低桥臂PWM的死区时间，提高桥式电路MOSFET在开关状态切换的安全性和整机效率。

公开(公告)号：CN113054959A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110360243.6

申请日：2021-04-02

Applicant: 中北大学

Inventor： 李晓 ,  吴颖 ,  孟杰 ,  罗旭辉 ,  任亦子 ,  张凯旗 ,  丁鑫 ,  闫露 ,  翟泰淞 ,  孙亚伟

IPC: H03K17/08

Abstract: 本发明属于电路技术领域，涉及IGBT短路保护，具体为一种基于桥臂电流检测的IGBT短路保护电路。一种基于桥臂电流检测的IGBT短路保护电路，包括：直流母线电流采样单元，用于测量流经IGBT的直流母线上的电流；比较单元，用于将该直流母线电流与短路电流阈值对应电压值进行比较，并输出比较结果；故障信号存储单元，用于将比较器经比较所认定的短路信号信号进行保存并输出短路故障信号；保护单元，识别故障信号并根据故障信号对IGBT进行短路保护。通过利用高频电流互感器检测流经IGBT的直流母线电流，解决了现有技术中对大功率IGBT模块短路保护只能通过检测IGBT集电极到发射极管压降Vce或者用电阻采样非隔离判断故障信号而导致的方案不稳定的问题。