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公开(公告)号：CN105489602A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511017594.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0259
Abstract: 一种具有低触发电压的静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延，在P型外延上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区和第一场氧化层，在P型外延上还设有栅氧化层、N型源区、P型体区，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在N型漏区、多晶硅栅、N型源区和P型体区的上表面分别设有穿通钝化层的漏极金属接触、栅极金属接触、源极金属接触和体区金属接触。其特征在于，在所述的N型源区和P型体区之间设有深槽隔离区和片状场氧化层构成的隔离且所述深槽隔离区与片状场氧化层呈间隔排布。本发明可以降低器件的触发电压，提高二次击穿电流，增强器件在ESD过程中的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN119008692A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410941235.4
申请日：2024-07-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种集成型功率半导体器件及制造方法，基于第一导电类型衬底（1）构建各个元胞区、以及终端区，针对各元胞区第二导电类型外延层（2）设置沟槽（19）并向终端区延伸，构建第一源区结构、第二源区结构、栅区结构、漏区结构，并搭载第一源极金属电极（12）、漏极金属电极（13）、两个第二源极金属电极（16）、两个栅极金属电极（15），配合漏区结构横向尺寸大于第一源区结构横向尺寸，提升开态击穿电压，拓宽安全工作区，由于第二导电类型注入层（14）和多晶硅场板（8）的作用，实现阻断态下漂移区的电荷平衡和全耗尽，提高关态击穿电压，并能在不影响关态击穿电压的基础上进一步提升漂移区的掺杂浓度，降低特征导通电阻。
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公开(公告)号：CN119004941A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410878048.6
申请日：2024-07-02
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/27 , G06F18/214
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC MOSFET的电学性能退化预测方法，分析栅源电压、温度、退化时长的三种影响因素，依据构成SiC MOSFET基本模型，分别构建零漏源电压下长沟道阈值电压的第一退化表征模型结构、零偏电场下迁移率的第二退化表征模型结构、以及阈值电压一阶体效应系数的第三退化表征模型结构，然后执行关于目标SiC MOSFET器件的高温栅偏实验，并进行模型训练，分别获得第一退化表征模型、第二退化表征模型、第三退化表征模型；最后将所构建三个退化表征模型嵌入到传统SiC MOSFET器件电学特性SPICE模型中，获得用于预测电学性能退化的SiC MOSFET模型，实现电学性能退化的高效预测。
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公开(公告)号：CN110729346B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910937475.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件，包括：第一金属电极,位于第一金属电极上依次设有重掺杂第一导电类型导电层和轻掺杂第一导电类型导电层，所述轻掺杂第一导电类型导电层内设有深沟槽结构，在所述深沟槽结构槽底设有第二导电类型区，在所述轻掺杂第一导电类型导电层上表面设有上设有第二金属电极，在深沟槽结构之间及其外侧设有电子导电沟道结构，所述深沟槽结构及电子导电沟道结构相互平行且间隔相等，本发明通过在深沟槽结构之间增设电子导电沟道结构，有效的增加了正向导通电流密度，降低了导通电阻，减小了器件的功率损耗，同时由于深沟槽结构外壁设有的氮化铝镓，可以有效的提升临界击穿电压。
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公开(公告)号：CN105489602B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201511017594.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有低触发电压的静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延，在P型外延上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区和第一场氧化层，在P型外延上还设有栅氧化层、N型源区、P型体区，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在N型漏区、多晶硅栅、N型源区和P型体区的上表面分别设有穿通钝化层的漏极金属接触、栅极金属接触、源极金属接触和体区金属接触。其特征在于，在所述的N型源区和P型体区之间设有深槽隔离区和片状场氧化层构成的隔离且所述深槽隔离区与片状场氧化层呈间隔排布。本发明可以降低器件的触发电压，提高二次击穿电流，增强器件在ESD过程中的鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106340501A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610836314.4
申请日：2016-09-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/49 , H01L25/16
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L23/3672 , H01L23/481 , H01L23/49 , H01L25/16
Abstract: 一种高热可靠性功率模块，具有更低的工作结温以及更均匀的芯片温度分布，包括：散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有覆铜且覆铜设在散热底板的上表面上，在覆铜陶瓷基板上至少设有2个端子，所述端子连接于位于所述端子下方并设在陶瓷基板的上表面上的覆铜片上，在需要实现连接的两个端子中的一个端子下方的覆铜片上连接有功率芯片，所述功率芯片通过一排使用高电导率材料的焊线与所述需要实现连接的两个端子中的另一个端子连接，同一功率芯片上的每一条焊线与所述每一条焊线的相邻下一条焊线之间的间距正比于所述每一条焊线的端部焊点至连接于所述同一功率芯片的端子之间的距离。
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公开(公告)号：CN106340500A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610835860.6
申请日：2016-09-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/49 , H01L25/16
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L23/3672 , H01L23/481 , H01L23/49 , H01L25/16
Abstract: 一种具有不同截面直径焊线的功率模块，具有更低的工作结温以及更均匀的芯片温度分布，包括：散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有覆铜且覆铜设在散热底板的上表面上，在覆铜陶瓷基板上至少设有2个端子，所述端子连接于位于所述端子下方并设在陶瓷基板的上表面上的覆铜片上，在需要实现连接的两个端子中的一个端子下方的覆铜片上连接有功率芯片，所述功率芯片通过一排使用高电导率金属材料的焊线与所述需要实现连接的两个端子中的另一个端子连接，同一功率芯片上的焊线的截面直径反比于所述同一功率芯片上该焊线的端部焊点至与所述同一功率芯片所连接的端子之间的距离。
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公开(公告)号：CN106328700A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610705225.6
申请日：2016-08-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0603 , H01L29/0649
Abstract: 一种增强型绝缘埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成栅极，在AlGaN掺杂层上部形成源极且所述源极位于栅极的一侧，栅极的另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于AlGaN掺杂层上部并止于本征GaN层内部，贯穿AlGaN掺杂层，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，其特征在于，在本征GaN层的内部设有绝缘层，所述绝缘层位于栅极正下方且始于AlGaN掺杂层下表面并止于AlN成核层上表面。
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公开(公告)号：CN106252400A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610835934.6
申请日：2016-09-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0684 , H01L29/66325
Abstract: 一种厚膜SOI-LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，接触区与阴极接触金属层相连，在N型缓冲区的表面设有P型阳极接触区，接触区与阳极接触金属层相连，N型漂移区的表面有场氧化层和导电多晶硅栅极，在阴极接触区、阳极接触区、场氧化层和导电多晶硅栅极的表面设有钝化层，其特征在于，器件阴极外侧设有隔离槽，隔离槽中导电多晶硅与阴极接触区以及阴极金属层短接，此方法增大隔离槽中导电多晶硅与N型漂移区之间电势差，减少流经P型体区中横向沟道的空穴电流，实现了抗闩锁能力的提高。
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公开(公告)号：CN106206711A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610704134.0
申请日：2016-08-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0684
Abstract: 一种P型埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层上表面形成栅极，在AlGaN掺杂层和栅极上覆盖钝化层，在栅极一侧形成源极，在栅极另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于本征GaN层的上部、贯穿AlGaN掺杂层并止于钝化层内，其特征在于，在AlN成核层中形成有P型AlGaN掺杂区埋层，所述P型AlGaN掺杂区埋层上表面与本征GaN层下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层的一个边界位于栅极下方，另一个边界位于栅极和漏极之间区域的下方。
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