公开(公告)号：CN106340501B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201610836314.4

申请日：2016-09-20

申请人： 东南大学

发明人： 刘斯扬 ,  宋海洋 ,  魏家行 ,  方云超 ,  王宁 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L25/16

摘要： 一种高热可靠性功率模块，具有更低的工作结温以及更均匀的芯片温度分布，包括：散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有覆铜且覆铜设在散热底板的上表面上，在覆铜陶瓷基板上至少设有2个端子，所述端子连接于位于所述端子下方并设在陶瓷基板的上表面上的覆铜片上，在需要实现连接的两个端子中的一个端子下方的覆铜片上连接有功率芯片，所述功率芯片通过一排使用高电导率材料的焊线与所述需要实现连接的两个端子中的另一个端子连接，同一功率芯片上的每一条焊线与所述每一条焊线的相邻下一条焊线之间的间距正比于所述每一条焊线的端部焊点至连接于所述同一功率芯片的端子之间的距离。

公开(公告)号：CN106129117A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610616608.6

申请日：2016-07-29

申请人： 东南大学

发明人： 刘斯扬 ,  任晓飞 ,  李秀军 ,  叶然 ,  方云超 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7825

摘要： 一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区中设有N型缓冲层，在N型缓冲层中设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅并延伸至场氧化层上表面，所述可降低热载流子效应的结构为由多个沟槽构成的沟槽阵列，位于多晶硅栅下方的场氧化层区域，且沟槽阵列由多晶硅填充并与多晶硅栅连接。引入的沟槽阵列能够有效降低栅氧化层和场氧化层交界位置处的碰撞电离峰值，减低器件的热载流子退化，进而提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN106298901B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610886226.5

申请日：2016-10-10

申请人： 东南大学

发明人： 刘斯扬 ,  方云超 ,  杨翰琪 ,  李胜 ,  叶然 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于P型阳区由成行排列的块状P型区构成，在N型缓冲区内设有浮空N型接触区，P型阳区设在浮空N型接触区内且每个块状P型区被浮空N型接触区三面包围；所述场氧化层的另一端向P型阳区延伸并止于所述浮空N型接触区。本发明能降低寄生PNP晶体管的发射效率，降低开态阶段和开关阶段的热载流子损伤，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN107039504A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710168125.9

申请日：2017-03-20

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  方云超 ,  李智超 ,  方炅 ,  李婷 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0684

摘要： 一种高可靠性横向绝缘栅双极型器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅并延伸到场氧化层，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于在鸟嘴处下方增设了额外P型区，通过额外P型区屏蔽沟道电场减小沟道区的碰撞电离，因此新结构器件降低了器件开态工作阶段的热载流子损伤，延长了器件的寿命。

公开(公告)号：CN106340501A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610836314.4

申请日：2016-09-20

申请人： 东南大学

发明人： 刘斯扬 ,  宋海洋 ,  魏家行 ,  方云超 ,  王宁 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49 ,  H01L25/16

摘要： 一种高热可靠性功率模块，具有更低的工作结温以及更均匀的芯片温度分布，包括：散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有覆铜且覆铜设在散热底板的上表面上，在覆铜陶瓷基板上至少设有2个端子，所述端子连接于位于所述端子下方并设在陶瓷基板的上表面上的覆铜片上，在需要实现连接的两个端子中的一个端子下方的覆铜片上连接有功率芯片，所述功率芯片通过一排使用高电导率材料的焊线与所述需要实现连接的两个端子中的另一个端子连接，同一功率芯片上的每一条焊线与所述每一条焊线的相邻下一条焊线之间的间距正比于所述每一条焊线的端部焊点至连接于所述同一功率芯片的端子之间的距离。

公开(公告)号：CN106298901A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610886226.5

申请日：2016-10-10

申请人： 东南大学

发明人： 刘斯扬 ,  方云超 ,  杨翰琪 ,  李胜 ,  叶然 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/7394

摘要： 一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于P型阳区由成行排列的块状P型区构成，在N型缓冲区内设有浮空N型接触区，P型阳区设在浮空N型接触区内且每个块状P型区被浮空N型接触区三面包围；所述场氧化层的另一端向P型阳区延伸并止于所述浮空N型接触区。本发明能降低寄生PNP晶体管的发射效率，降低开态阶段和开关阶段的热载流子损伤，提高了器件的可靠性。