公开(公告)号：CN119004941B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410878048.6

申请日：2024-07-02

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  刘照宽 ,  隗兆祥 ,  付浩 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G06F30/27 ,  G06F18/214

Abstract: 本发明涉及一种用于SiC MOSFET的电学性能退化预测方法，分析栅源电压、温度、退化时长的三种影响因素，依据构成SiC MOSFET基本模型，分别构建零漏源电压下长沟道阈值电压的第一退化表征模型结构、零偏电场下迁移率的第二退化表征模型结构、以及阈值电压一阶体效应系数的第三退化表征模型结构，然后执行关于目标SiC MOSFET器件的高温栅偏实验，并进行模型训练，分别获得第一退化表征模型、第二退化表征模型、第三退化表征模型；最后将所构建三个退化表征模型嵌入到传统SiC MOSFET器件电学特性SPICE模型中，获得用于预测电学性能退化的SiC MOSFET模型，实现电学性能退化的高效预测。

公开(公告)号：CN119004941A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410878048.6

申请日：2024-07-02

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  刘照宽 ,  隗兆祥 ,  付浩 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G06F30/27 ,  G06F18/214

Abstract: 本发明涉及一种用于SiC MOSFET的电学性能退化预测方法，分析栅源电压、温度、退化时长的三种影响因素，依据构成SiC MOSFET基本模型，分别构建零漏源电压下长沟道阈值电压的第一退化表征模型结构、零偏电场下迁移率的第二退化表征模型结构、以及阈值电压一阶体效应系数的第三退化表征模型结构，然后执行关于目标SiC MOSFET器件的高温栅偏实验，并进行模型训练，分别获得第一退化表征模型、第二退化表征模型、第三退化表征模型；最后将所构建三个退化表征模型嵌入到传统SiC MOSFET器件电学特性SPICE模型中，获得用于预测电学性能退化的SiC MOSFET模型，实现电学性能退化的高效预测。