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公开(公告)号：CN119967861A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311477718.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：基底；体区和漂移区，沿第一方向排布于基底内；漂移区内设有漏区，体区内设有源区；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介质层，设于基底上，且至少覆盖部分体区和部分漂移区；第一场板，设于第一介质层远离基底的一侧，第一场板在基底上的正投影位于体区和漏区之间，且覆盖部分漂移区；第一高K介质层，设于第一介质层远离基底的一侧，且与第一场板靠近漏区的一端连接，第一高K介质层在基底上的正投影覆盖部分漂移区。本申请提供的横向扩散金属氧化物半导体器件一方面可以提升器件耐压，另一方面在相同击穿电压下，可以实现更小的导通电阻。
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公开(公告)号：CN119156119A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310714220.X
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种霍尔传感器及其制造方法，所述霍尔传感器包括：衬底，具有第二导电类型；埋藏区，位于所述衬底中，具有第一导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多个第一导电类型阱区，位于所述埋藏区上，各所述第一导电类型阱区的底部与所述埋藏区直接接触，相邻的第一导电类型阱区之间被所述衬底隔开。本发明可以促使载流子经由埋藏区从器件内部流过，这样就优化了电流路径，降低器件的表面效应与噪声对霍尔器件性能的影响，提高霍尔器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119153489A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310715151.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件及其制备方法，所述器件包括耐压区，耐压区包括第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区、多个电阻结构、多个导电结构、漏极掺杂区及第一漏电极。第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区设于衬底中，各电阻结构设于衬底上；每个导电结构的两端各连接一电阻结构，从而将各电阻结构串联连接；一导电结构的底部与第二导电类型掺杂区电性连接，其余电阻结构的底部与所述第一导电类型掺杂区电性连接。漏极掺杂区，设于衬底中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区与漏极掺杂区之间；第一漏电极设于漏极掺杂区上，第一漏电极的底部与漏极掺杂区电性连接。本发明极大地提高了器件的雪崩能力，消除了衬偏效应。
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公开(公告)号：CN117995534A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211333545.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件，所述隔离变压器包括：下线圈；主介质层，覆盖所述下线圈；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上线圈，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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公开(公告)号：CN111953211B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910485826.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法，所述控制系统包括：开关管电压采样电路，用于对所述开关管的输出端电压进行采样，得到开关管采样电压；采样计算模块，用于根据所述开关管采样电压和预设关系，得到死区时间；所述预设关系是所述开关管在一个开关周期的导通时间内，所述开关管采样电压低于第一预设值的时长与所述死区时间的对应关系，所述死区时间是所述开关管关断到所述同步整流管打开的时间；控制模块，接收所述死区时间，并根据所述死区时间对所述同步整流管进行开关控制。本发明能够实现死区时间的自适应控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119153488A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310714329.3
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种隔离结构，包括：结终端，包括多个结终端浮空场板；隔离环，与所述结终端连接；横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极区、漏极区、栅极、漂移区、场区绝缘层及LDMOS浮空场板，所述漂移区的至少部分区域位于所述源极区和漏极区之间，所述场区绝缘层位于所述漂移区上，所述栅极的一侧靠近所述源极区、另一侧靠近所述漏极区，所述LDMOS浮空场板的数量与所述结终端浮空场板相同，各所述LDMOS浮空场板与各所述结终端浮空场板一一对应电性连接；各所述LDMOS浮空场板包括靠近所述源极区设置的第一场板、靠近所述漏极区设置的第二场板及位于所述第一场板和第二场板之间的若干第三场板。本发明能够提升隔离结构中LDMOS的击穿电压。
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公开(公告)号：CN112768521B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201911001601.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。
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公开(公告)号：CN112768517A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911065246.6
申请日：2019-11-04
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。
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公开(公告)号：CN117913136A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211232995.5
申请日：2022-10-10
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及一种超结LDMOS器件及其制备方法，该超结LDMOS器件包括：衬底、外延层、源引出区、漏引出区和超结漂移区。其中，外延层位于衬底上；源引出区和漏引出区沿第一方向间隔设置于外延层内；超结漂移区位于源引出区和漏引出区之间；超结漂移区包括沿第二方向相邻排布的至少一个第一柱区和至少一个第二柱区；由超结漂移区靠近源引出区的一端至超结漂移区靠近漏引出区的一端，第一柱区在第三方向上的深度处处相等，第二柱区在第三方向上的深度逐渐减小。本申请能够提高超结LDMOS器件耐压。
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公开(公告)号：CN117438460A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210820911.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；源极区和漏极区，位于所述第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区上；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置；顶部第二导电类型区，设于源极区和第一绝缘隔离结构之间，且靠近第二导电类型阱区的顶部设置，顶部第二导电类型区的掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度；至少一个第二导电类型埋置区，掺杂浓度大于所述第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明能够使维持电压提高，原本因电流集中而未开启的区域随着维持电压的提高可以有机会开启。
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