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公开(公告)号：CN112259605A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011143648.6
申请日：2020-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底中设有衬底电阻区，在衬底上依次设有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体区，第二半导体层与第三半导体层接触形成电子沟道层，在衬底电阻区上依次设有第一介质区、金属区、第二介质区，在第三半导体层上设有第一金属电极、第三金属电极，在第四半导体区上设有第二金属电极，在衬底下方设有第四金属电极，第一介质区、第二介质区、半导体层呈交替分布，该结构可以提高器件耐瞬时电流冲击的能力，在器件承受瞬时大电流时，对器件起到一定的保护作用。
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公开(公告)号：CN110729346A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910937475.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件，包括：第一金属电极,位于第一金属电极上依次设有重掺杂第一导电类型导电层和轻掺杂第一导电类型导电层，所述轻掺杂第一导电类型导电层内设有深沟槽结构，在所述深沟槽结构槽底设有第二导电类型区，在所述轻掺杂第一导电类型导电层上表面设有上设有第二金属电极，在深沟槽结构之间及其外侧设有电子导电沟道结构，所述深沟槽结构及电子导电沟道结构相互平行且间隔相等，本发明通过在深沟槽结构之间增设电子导电沟道结构，有效的增加了正向导通电流密度，降低了导通电阻，减小了器件的功率损耗，同时由于深沟槽结构外壁设有的氮化铝镓，可以有效的提升临界击穿电压。
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公开(公告)号：CN108899369A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810682926.1
申请日：2018-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/267
Abstract: 本发明提出了一种石墨烯沟道碳化硅功率半导体晶体管，其元胞结构包括：N型衬底，衬底表面的N型漂移区，在漂移区两端设置P型基区，各P型基区内分别设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层且所述栅氧层的两端分别延伸进入两侧的P型基区，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于P型基区表面内嵌有作为沟道的石墨烯条且石墨烯条的两端分别触及N+型源区与P型基区之间的边界和P型基区与N型漂移区之间的边界，在栅宽方向呈蜂窝状分布，器件的导电沟道仍由石墨烯构成，在维持基本不变的导通电阻和电流传输能力下，P型基区被石墨烯条间隔开来，增强辅助耗尽的作用，进一步减小器件整体关态漏电电流，提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN114267734B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111623857.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L27/02
Abstract: 一种抗静电释放冲击的异质结半导体器件，结构包括：衬底，缓冲层，沟道层，钝化层，隔离介质层，有源工作区，自保护区和电阻区；自保护区包括：第一导电类型Ⅰ阱区、第一导电类型Ⅱ阱区及第二导电类型阱区；电阻区包括：与自保护区的第二导电类型阱区接触的连接金属，金属源电极与连接金属之间的呈现弯曲形状的势垒条层；自保护区与有源工作区通过隔离介质层隔离。本发明通过电阻区电子沟道产生的压降开启自保护区的三极管泄流路径，一方面，自保护区的三极管泄流能力强且不发生闩锁，另一方面，呈现弯曲形状的势垒条层相当于增加了栅源之间的电阻，既可以降低器件漏电，又可以通过改变其电阻值调节触发电压。
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公开(公告)号：CN114280815A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210013801.6
申请日：2022-01-07
Applicant: 东南大学
IPC: G02C7/04
Abstract: 本发明公开了一种含有柔性电路的智能隐形眼镜及其制备方法，本发明的智能隐形眼镜包括依次设置的第一封装层、柔性电路、第二封装层和隐形眼镜层，其中第二封装层位于隐形眼镜层背向眼睛的一侧，第一封装层和第二封装层采用的材料相同，均为弹性体材料。本发明不引入额外的基底材料，且本发明中封装层采用的材料具有较高的拉伸性和可弯折性，且整体制备工艺可以较好地融入当前隐形眼镜的生产流程中，具备大规模生产的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114267734A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111623857.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L27/02
Abstract: 一种抗静电释放冲击的异质结半导体器件，结构包括：衬底，缓冲层，沟道层，钝化层，隔离介质层，有源工作区，自保护区和电阻区；自保护区包括：第一导电类型Ⅰ阱区、第一导电类型Ⅱ阱区及第二导电类型阱区；电阻区包括：与自保护区的第二导电类型阱区接触的连接金属，金属源电极与连接金属之间的呈现弯曲形状的势垒条层；自保护区与有源工作区通过隔离介质层隔离。本发明通过电阻区电子沟道产生的压降开启自保护区的三极管泄流路径，一方面，自保护区的三极管泄流能力强且不发生闩锁，另一方面，呈现弯曲形状的势垒条层相当于增加了栅源之间的电阻，既可以降低器件漏电，又可以通过改变其电阻值调节触发电压。
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公开(公告)号：CN112701658B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202011579452.1
申请日：2020-12-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有源逆变电压调节与小电阻的复合接地装置，包括高阻接地故障辨识单元、有源逆变电压调节器、小电阻零序保护装置和协调控制器；所述高阻接地故障辨识单元用于实现故障馈线的准确辨识；所述有源逆变电压调节器接收协调控制器发出的运行指令，向中性点注入调节电压；所述小电阻零序保护装置用于故障电流不低于零序保护阈值时的接地故障处理；所述协调控制器负责有源逆变电压调节器与小电阻零序保护装置的协调配合。本发明通过有源逆变电压调节器和小电阻零序保护装置的高效协调配合，可以高效地抑制故障点电压，实现对瞬时性和永久性接地故障的高效可靠处理，尤其是可用于高阻接地故障的抑制，具有很好的可行性和实用价值。
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公开(公告)号：CN110047910B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910240465.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种高耐压能力的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底上设有第一沟道层，第二沟道层，金属漏极和第二金属源极，在第二沟道层上设有第二势垒层并形成第二沟道，第二势垒层中设有栅极且栅极采用凹槽栅结构，所述凹槽栅结构嵌入第二势垒层中并由栅介质和位于栅介质中的栅极金属构成，在第二沟道层内设有隔离层并将第二沟道层分隔成上层和下层，在第二沟道层的下层与第一沟道层之间设有第一势垒层并形成第一沟道，金属漏极的底面与第一势垒层的底面平齐，在第二金属源极与所述第一沟道层之间设有第一金属源极，第一沟道可以通过多电流沟道的形式位于第二沟道的垂直正下方，可以降低反向导通压降，提高器件整体的击穿电压。
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公开(公告)号：CN111426928A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811583665.4
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种氮化镓器件动态电阻测试电路，包括用于驱动待测器件的栅驱动模块、钳位电路和负载模块，负载模块的另一端连接电源DC，钳位电路包括稳压模块和高压二极管D1，高压二极管D1的阳极与稳压模块一端连接，高压二极管D1的阴极与所述负载模块的一端连接并用于连接被测氮化镓器件的漏电极，稳压模块的另一端接电源地并用于连接被测氮化镓器件的源电极，钳位电路还包括恒流模块，恒流模块输出的恒定电流经过高压二极管D1流向被测氮化镓器件。被测器件的栅控信号由驱动模块提供，被测器件导通时流过高压二极管的电流由恒流模块提供，被测器件关断时电压探测点测得的电压由稳压模块稳压，被测器件开关转换的瞬间产生的震荡由滤波模块抑制。
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公开(公告)号：CN110710950A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911057874.X
申请日：2019-11-01
Applicant: 东南大学苏州医疗器械研究院
Abstract: 本发明提供一种内窥镜支气管左右管腔的判断方法及装置、内窥镜系统，方法包括：接收内窥镜插管插入支气管过程中的成像视频；根据所述成像视频识别出躯体左右侧标识；获取所述插管的转动角度，并根据所述转动角度和所述左右侧标识，判断所述插管所插入的支气管腔。从接收到的成像视频中识别出躯体左右侧标识，并结合插管的转动角度和该左右侧标识来判断插管的插入位置，从而可以辅助操作医师准确判别支气管腔，提高插管准确度，减少重复插管对患者支气管的损伤。
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