公开(公告)号：CN108899369A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810682926.1

申请日：2018-06-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  汤丽芝 ,  李胜 ,  张弛 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明提出了一种石墨烯沟道碳化硅功率半导体晶体管，其元胞结构包括：N型衬底，衬底表面的N型漂移区，在漂移区两端设置P型基区，各P型基区内分别设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层且所述栅氧层的两端分别延伸进入两侧的P型基区，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于P型基区表面内嵌有作为沟道的石墨烯条且石墨烯条的两端分别触及N+型源区与P型基区之间的边界和P型基区与N型漂移区之间的边界，在栅宽方向呈蜂窝状分布，器件的导电沟道仍由石墨烯构成，在维持基本不变的导通电阻和电流传输能力下，P型基区被石墨烯条间隔开来，增强辅助耗尽的作用，进一步减小器件整体关态漏电电流，提高击穿电压。

公开(公告)号：CN108899369B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201810682926.1

申请日：2018-06-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  汤丽芝 ,  李胜 ,  张弛 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明提出了一种石墨烯沟道碳化硅功率半导体晶体管，其元胞结构包括：N型衬底，衬底表面的N型漂移区，在漂移区两端设置P型基区，各P型基区内分别设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层且所述栅氧层的两端分别延伸进入两侧的P型基区，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于P型基区表面内嵌有作为沟道的石墨烯条且石墨烯条的两端分别触及N+型源区与P型基区之间的边界和P型基区与N型漂移区之间的边界，在栅宽方向呈蜂窝状分布，器件的导电沟道仍由石墨烯构成，在维持基本不变的导通电阻和电流传输能力下，P型基区被石墨烯条间隔开来，增强辅助耗尽的作用，进一步减小器件整体关态漏电电流，提高击穿电压。