公开(公告)号：CN102224275A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201080003266.1

申请日：2010-04-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野裕司 ,  江面知彦 ,  林辉幸 ,  田村明威 ,  齐藤美佐子

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种蒸镀头以及具有该蒸镀头的成膜装置，不仅对以往的小型基板还对大型基板也能够使在各个部位的喷射量均等，并且喷射确保均热性的材料气体，从而可以形成均匀的薄膜。蒸镀头被设置在对基板形成薄膜的蒸镀处理内，使材料气体向基板喷出，该蒸镀头具有外侧壳体、和配置在所述外侧壳体内并导入材料气体的内侧壳体，在所述内侧壳体中形成有使材料气体向基板喷射的开口部，在所述外侧壳体的外面或者所述外侧壳体与所述内侧壳体之间，配置有对材料气体进行加热的蒸镀头。

公开(公告)号：CN102099900A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127593.5

申请日：2009-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  柿本明修 ,  土桥和也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种清洗方法，其根据清洗液将表面形成有图案的基板清洗的清洗，在去除清洗液或干燥时，能够抑制图案凸部的倒塌并将该基板清洗。清洗方法包括：将基板装载到装载台的工序、加热基板的工序和向所述基板的表面供给清洗液的工序。在供给清洗液的工序中，发生莱顿弗罗斯特现象，在向基板供给的清洗液的液滴和基板之间存在所述清洗液的蒸汽，在加热基板的工序中基板被加热。

公开(公告)号：CN101933120A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103595.0

申请日：2009-04-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 及川纯史 ,  田村明威 ,  林辉幸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02041

Abstract: 本发明是一种环境气氛净化装置，其特征在于，具备：在被处理体所处的环境气氛中形成下降流的机构；多个离子发生器，它们位于被处理体的上方位置，且在从上方所见的布局中隔着上述被处理体对称地配置，对各上述下降流向横向供给正或负的任一方的离子；向上述被处理体施加与施加到上述多个离子发生器的电极的电压相同符号的直流电压的机构，上述对称地配置的离子发生器配置成相互面对。

公开(公告)号：CN101321572A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200780000518.3

申请日：2007-04-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  林辉幸 ,  田村明威

IPC: B01D46/52 ,  H01L21/02

CPC classification number: B01D46/521 ,  B01D46/0023

Abstract: 本发明提供除去气体中的颗粒的气体净化装置，其特征在于，具有第一过滤层和第二过滤层，构成所述第一过滤层的纤维的直径比构成所述第二过滤层的纤维的直径粗。此外，本发明提供使用所述气体净化装置的半导体制造装置。

公开(公告)号：CN1607645A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200310115692.6

申请日：2003-10-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  冈哲史

IPC: H01L21/205

Abstract: 在处理室(2)内的被处理基板(W)的半导体基底层上形成硅外延层。这种形成方法包括：在容纳被处理基板(W)的处理室(2)内进行减压的减压工序，向处理室(2)内导入含有硅烷气体的成膜气体，在半导体基底层上气相生长硅外延层的气相生长工序，其间包含氯化氢处理工序和氢气热处理工序。在氯化氢处理工序中，向处理室(2)内导入含有氯化氢气体的第1预处理气体，用第1预处理气体对处理室(2)的环境进行处理。在氢气热处理工序，向处理室(2)内导入含有氢气的第2预处理气体，用第2预处理气体对半导体基底层表面进行处理。