-
公开(公告)号：CN101053071A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200680001118.X
申请日：2006-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H05H1/46 , H01L27/14
CPC classification number: C23C8/36 , H01J37/32192 , H01J37/32935 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662
Abstract: 从微波发生装置(39)经由匹配电路(38)将脉冲状的微波导入波导管(37)，经由内导体(41)供给到平面天线部件(31)，从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)中的晶片(W)的上方空间。利用从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)的脉冲状的微波在腔室(1)内形成电磁场，使Ar气体、H2气体、O2气体等离子体化而对晶片(W)进行氧化膜的形成。
-
公开(公告)号：CN101908484B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010133457.1
申请日：2006-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/3185 , H01J37/3222 , H01L21/28247 , H01L21/28273
Abstract: 通过利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内、以产生处理气体的等离子体的氮化处理工序，在多晶硅层(111)的表面上形成氮化区域(112)。接着，在氮化区域(112)上形成CVD氧化膜(113)等，将多晶硅层(111)等图案化为规定形状后，将氮化区域(112)作为氧化阻挡层，通过热氧化，在露出的多晶硅层(111)的侧壁部等上形成热氧化膜(114)。由此，能够利用温度比以往更低的工序抑制鸟嘴的产生。
-
公开(公告)号：CN101681833B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200880020112.6
申请日：2008-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/02326 , H01L21/3115 , H01L21/3144 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。
-
公开(公告)号：CN101834133A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010163894.8
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/00 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28273 , H01L21/3143 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101095224B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580045366.X
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/318 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28273 , H01L21/3143 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。
-
公开(公告)号：CN101069274B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680001335.9
申请日：2006-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/3185 , H01J37/3222 , H01L21/28247 , H01L21/28273
Abstract: 通过利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内、以产生处理气体的等离子体的氮化处理工序，在多晶硅层(111)的表面上形成氮化区域(112)。接着，在氮化区域(112)上形成CVD氧化膜(113)等，将多晶硅层(111)等图案化为规定形状后，将氮化区域(112)作为氧化阻挡层，通过热氧化，在露出的多晶硅层(111)的侧壁部等上形成热氧化膜(114)。由此，能够利用温度比以往更低的工序抑制鸟嘴的产生。
-
公开(公告)号：CN101652842A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880011183.X
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/31662 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/76232
Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质，在等离子体处理装置的处理室内，在对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜时，在处理气体中的氧的比率是0.5％以上不足10％并且处理压力为1.3～665Pa的条件下，在向载置被处理体的载置台施加高频电力的同时形成等离子体。
-
公开(公告)号：CN100587922C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200580029122.2
申请日：2005-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31612 , H01J37/32192 , H01J37/32935 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/32105
Abstract: 在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置(100)中，使得腔室内压力为67～667Pa、温度为300～600℃以下、微波功率为1000～3500W、作为处理气体而使用100～2000mL/min的Ar气体、1～500mL/min的O2气体、并且将处理气体中的O2气体相对Ar气体的比例控制为0.5～5%，同时进行多晶硅的氧化。
-
公开(公告)号：CN101523574A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036177.5
申请日：2007-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L29/78 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/31662 , H01L21/02238 , H01L21/02252
Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置。该等离子体氧化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，在处理气体中的氧的比例在20％以上、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成等离子体，利用上述等离子体，对露出在被处理体的表面的硅进行氧化而形成硅氧化膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.026 seconds)
