-
公开(公告)号：CN111519241A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910104706.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置，所述装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及热屏装置，所述热屏装置包括导流筒，所述导流筒呈桶状并绕所述硅晶棒四周设置，用以对从所述炉体顶部输入的氩气进行整流并调整所述硅晶棒和所述硅熔体液面之间的热场分布；其中，所述热屏装置还包括在所述导流筒下端内侧设置的调整装置，用以调整所述热屏装置与所述硅晶棒之间的最小距离。根据本发明，通过在导流筒下端内侧设置调整装置，在不改变导流筒形状、位置的情况下调整硅晶棒和与其靠近热屏装置之间的距离，提升了晶体生长速度和质量。
-
公开(公告)号：CN111101194A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811267643.7
申请日：2018-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶棒的长晶方法，所述长晶方法依次包括等径阶段和收尾阶段，其中，通过控制所述收尾阶段的收尾速度和/或温度来增加收尾段的高度，以使等径段顶部和底部的BMD密度一致。本发明提供的单晶硅晶棒的长晶方法能够避免晶棒的无谓浪费，从而提高了生产效率。
-
公开(公告)号：CN110592660A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910859971.4
申请日：2019-09-11
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；加热器导流罩，配置为将所述加热器的顶部和侧面包围；导气孔，所述导气孔设置于所述加热器的上方的所述加热器导流罩上，以连通晶体生长装置的顶部空间与所述加热器的周围空间。根据本发明提供的晶体生长装置，通过在加热器的上方的加热器导流罩上设置导气孔以连通晶体生长装置的顶部空间与加热器的周围空间，使加热器一直处于流动的保护气体的气氛中，避免了SiO蒸气对加热器表面的侵蚀，延长了加热器的使用寿命，提高了晶体生长品质的稳定性。
-
公开(公告)号：CN116497435A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310315819.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 沈伟民
Abstract: 一种晶体生长控制方法、装置、系统和存储介质，所述方法包括：获取前一晶体序列的晶体生长数据；根据每根晶体在预定长度位置时设定直径和设定时长内的实际直径确定其直径偏差权重，并根据每根晶体在预定长度位置时的实际加热功率及其直径偏差权重进行加权求和，以得到第一加热功率；根据每根晶体在预定长度位置时设定拉速和设定时长内的实际拉速确定其拉速偏差权重，并根据每根晶体在预定长度位置时的实际加热功率及其拉速偏差权重进行加权求和，以得到第二加热功率；对第一加热功率和第二加热功率进行加权求和，以得到下一晶体在预定长度位置时的目标加热功率，控制下一晶体的生长过程。本申请降低了晶体内原生缺陷的发生率，提高了晶体的良率。
-
公开(公告)号：CN116200803A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211733389.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种晶体生长装置、方法和控制系统，该晶体生长装置包括：炉体；坩埚，设置于炉体的内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，设置于炉体的顶部，用以从硅熔体内提拉出晶体；水冷热屏，围绕晶体四周设置并具有用于吸收晶体热辐射的吸收表面，水冷热屏用于降低晶体的局部区域的温度并增大晶体的纵向温度梯度；隔热筒，设置于晶体与水冷热屏之间，隔热筒用于遮挡水冷热屏以减小吸收表面的面积；升降装置，设置于炉体的顶部并分别连接于水冷热屏和隔热筒，升降装置用于分别调节水冷热屏和隔热筒的高度以及水冷热屏与隔热筒之间的高度差，以使吸收表面的高度和面积大小与晶体的局部区域相匹配。本申请的晶体生长装置能更精细地调节晶体的纵向温度梯度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113122919A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110413783.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种二次加料方法及装置、单晶硅生长方法及装置，应用于半导体技术领域。其中二次加料方案包括：监测坩埚中硅原料的熔化状态；当监测到所述熔化状态进入预设状态时，按预设磁场施加策略对所述坩埚中的硅液施加目标强度的磁场；在施加所述磁场后，在预设时间内将加料管中的硅原料落入所述坩埚中。通过本申请的处理方案，可避免二次加料中硅液飞溅，提高单晶硅生长设备部件的寿命，提高拉晶成功率。
-
公开(公告)号：CN112095153B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910527014.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；水平磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场；以及导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒的所述硅熔体上方；其中，所述导流筒底部在不同的位置处具有不同的热反射系数，其中在所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数小于垂直于所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数。根据本发明，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
-
公开(公告)号：CN112553683A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011209784.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的化料方法，包括：第一加热阶段，加热器以第一功率加热原料，并持续第一加热时间；第二加热阶段，所述加热器以第二功率继续加热所述原料，并持续第二加热时间，其中，所述第二功率低于所述第一功率；第三加热阶段，所述加热器以第三功率继续加热所述原料，并持续第三加热时间。根据本发明提供的用于晶体生长的化料方法，通过将化料工序分为三个阶段，且第二阶段的加热功率低于第一阶段的加热功率，以在缩短化料总时间的同时避免石英坩埚的温度超过软化温度，提高了晶体生长的良率。
-
公开(公告)号：CN112144106A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011044024.9
申请日：2020-09-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/22
Abstract: 本发明提供一种单晶生长设备及单晶生长方法。设备包括炉体、坩埚、加热器及导流组件，导流组件包括导流筒及导流筒提拉装置，坩埚、加热器及导流筒均位于炉体内；坩埚用于承载熔融硅；加热器位于坩埚的外围，用于对坩埚进行加热；导流筒与导流筒提拉装置相连接，并自坩埚的外侧延伸到熔融硅的上方；导流筒提拉装置包括控制器，导流筒在控制器的控制下上下移动，以改变所述导流筒与所述熔融硅液面的间距。本发明无需改变晶体提拉速度和坩埚上升速度，因而不会改变液面和热场的相对位置，有利于稳定单晶生长调节，有利于生长出高品质的单晶，且调整操作简单，调整精度高。
-
公开(公告)号：CN112095153A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527014.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；水平磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场；以及导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒的所述硅熔体上方；其中，所述导流筒底部在不同的位置处具有不同的热反射系数，其中在所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数小于垂直于所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数。根据本发明，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.052 seconds)
