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公开(公告)号：CN111172585A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811340095.6
申请日：2018-11-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉，所述反射屏包括内筒、外筒、填充于所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，以及设置于所述内筒与所述外筒连接处的隔热垫。本发明提供的单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉能够降低反射屏外筒对内筒的传热，以提高晶棒的纵向温度梯度，防止或减少从硅液面蒸发的硅氧化物蒸汽在反射屏外筒上凝聚，从而减少氧化物落入硅液产生杂质而发生多晶化，同时由于减少了不必要的传热，因而还能够降低单晶生长过程中所需的加热功率。
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公开(公告)号：CN111101194A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811267643.7
申请日：2018-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶棒的长晶方法，所述长晶方法依次包括等径阶段和收尾阶段，其中，通过控制所述收尾阶段的收尾速度和/或温度来增加收尾段的高度，以使等径段顶部和底部的BMD密度一致。本发明提供的单晶硅晶棒的长晶方法能够避免晶棒的无谓浪费，从而提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN111101195A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811267664.9
申请日：2018-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶棒的长晶方法，所述长晶方法依次包括放肩阶段和等径阶段，其中，通过控制所述放肩阶段的放肩速度和/或温度来增加放肩段的高度，以使固液界面在所述放肩阶段完成从向下凹陷到平坦的过渡。本发明提供的单晶硅晶棒的长晶方法能够避免晶棒的无谓浪费，从而提高了生产效率。
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