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公开(公告)号：CN103663457B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310631805.1
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C01B33/021 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种多晶硅反应炉，在该反应炉内壁的垂直方向设置有多个进气口，本发明通过改变反应炉进气口的口径大小或者改变气体流速，进而改善图形密集区和图形疏松区的厚度差异，提升了生产工艺；同时发明不需要大幅度调整更换现有的反应炉设备，也无需变动工艺制程，实现成本较低，适合在各领域广泛推广。
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公开(公告)号：CN105047553A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510532420.9
申请日：2015-08-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 肖天金
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/283 , H01L21/02065 , H01L29/66477
摘要： 本发明提供一种用于沉积高介电值栅介质层的表面处理方法，在清洗后的半导体衬底上，使用第一混合气体氧化半导体衬底，第一混合气体为盐酸气体、氢气、氧气混合或者二氯乙烯气体、氢气、氧气混合，将得到的半导体衬底经过SiCoNi预清工艺清洗后依次生长二氧化硅层、沉积高介电值栅介质层或者依次生长氮氧化硅层、沉积高介电值栅介质层。这种方法，先氧化半导体衬底，在氧化过程中去除硅衬底表面的钠、钾等金属离子和有机物杂质，达到降低硅衬底表面的杂质含量的效果，然后将这层氧化膜经过SiCoNi预清工艺清洗后去除，之前降低了硅衬底表面的杂质含量，则生长得到的二氧化硅层或者氮氧化硅层纯度提高，从而提高了半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104779195A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510179659.2
申请日：2015-04-15
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 肖天金
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/76237
摘要： 本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，在沟槽中形成线型氧化层之后，引入线型非晶硅层，来消耗后续的对所述隔离介质层进行水蒸汽退火步骤中产生的H2O及其它含氧基团，进而阻止了形成的H2O及其它含氧基团向半导体衬底中的扩散，且该线型非晶硅层在水蒸汽退火时，替代沟槽侧壁的半导体衬底而被消耗并完全转化为SiO2，成为沟槽中隔离介质层的一部分，由此可以避免水蒸汽退火过程对沟槽侧壁的有源区边界的氧化，降低了沟槽侧壁半导体衬底材料的消耗，减少了有源区临界尺寸(AA CD)缩小，同时避免沟槽填充的隔离介质内部的空洞或缝隙缺陷。
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公开(公告)号：CN104392919A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410664725.0
申请日：2014-11-19
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 肖天金
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/308 , H01L21/02054 , H01L21/02529 , H01L29/66477
摘要： 本发明揭示了一种NMOS器件的硅衬底表面的处理方法及NMOS器件的制作方法，在硅衬底上形成凹槽后经清洗将凹槽表面氧化，然后将凹槽氧化物去除，以露出硅衬底表面。然后在经过上述处理步骤之后的硅衬底上生长碳化硅，用于形成源极和漏极，以制作NMOS器件。本发明的制作的硅衬底具有表面清洁度高、粗糙度低的优点，采用本发明的硅衬底制作的NMOS器件具有较佳的电学性能。
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公开(公告)号：CN104103540A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410356924.5
申请日：2014-07-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/34
摘要： 本发明的监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。所述表面信息为功函数和/或表面电势。本发明监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，使用电学检测的方法，检测栅极氧化层表面的功函数和表面电势，检测的表面信息既可以用于栅极氧化层的日常监控，也可以用于快递筛选具备优异品质的栅极氧化层的图形晶片，弥补了传统检测方法的不足。
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公开(公告)号：CN103745947A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410042474.2
申请日：2014-01-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/67115 , H01L21/67253
摘要： 本发明提出一种用于激光退火机的监控方法，包括以下步骤:对激光退火机上的监控片进行颗粒水平的测量，获得颗粒测量前值；在所述激光退火机内采用第一功率值对所述监控片进行激光扫描；对所述监控片进行颗粒水平的测量，获得颗粒测量后值；采用快速热退火的方法对所述监控片进行退火；在所述监控片上注入过硼；在所述激光退火机内采用第二功率值对所述监控片进行激光扫描，所述第二功率值大于所述第一功率值；对所述监控片进行方块电阻阻值的测量，获得方块电阻阻值的测量值。本发明用于激光退火机的监控方法在完成激光退火机上所需的两种日常监控流程的前提下，有效的节约了监控片，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN103594312A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310567551.1
申请日：2013-11-13
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 本发明涉及半导体制造装备技术领域，尤其是一种点状高电流离子注入机，包括并排设置的工艺腔、传送腔以及装载站，所述工艺腔内包括用于固定硅片的静电吸盘，所述传送腔内包括依次连接的第一传送站、理片器以及第二传送站，所述第一传送站还与装载站相互连接，所述静电吸盘连接至第一传送站，尤其的，该点状高电流离子注入机还包括冷却站，所述第二传送站连接至所述冷却站，所述冷却站连接至所述静电吸盘。本发明通过在点状高电流离子注入机上加装冷却站，用来做硅片的前期冷却，有效缩短硅片在静电吸盘上的等待冷却的时间，显著提升冷却注入的产能效率。
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公开(公告)号：CN103594311A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310566540.1
申请日：2013-11-13
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
摘要： 一种将点状离子束注入机导入量产的方法，包括：步骤S1：通过带状离子束注入机获取匹配系数为1.0的标准晶圆，并进一步获取方块电阻；步骤S2：通过点状离子束注入机，在测试晶圆上采用分割注入法获取剂量匹配系数为（1.0-a）的第一测试区、匹配系数为1.0的第二测试区、匹配系数为（1.0+b）的第三测试区，并进一步获取方块电阻；步骤S3：比较测试晶圆和标准晶圆之方块电阻，以测试晶圆和标准晶圆之方块电阻相等时的匹配系数为点状离子束注入机台的剂量匹配系数。本发明不仅提高整体设备利用率，减少剂量匹配过程中的晶圆使用量，降低生产成本；而且，通过本发明方法将所述点状离子束注入机导入量产，所获得的产品性能稳定、替代性强。
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公开(公告)号：CN104239612B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201410428585.7
申请日：2014-08-27
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F30/392
摘要： 本发明公开了一种改善有源区退火热分布的方法，包括：在芯片版图的有源区图层中定义出冗余图形的填充区域和禁止填充区域，在填充区域中填充冗余图形；在禁止填充区域中根据相邻有源区间距的大小定义出有源区稀疏区域和有源区密集区域，其中有源区稀疏区域和有源区密集区域均包括有源区和围绕所述有源区的浅沟槽隔离区；以及以尺寸小于冗余图形的辅助图形替换部分的所述有源区稀疏区域的浅沟槽隔离区的图形以在对有源区退火时增加所述有源区稀疏区域的热吸收。本发明改善有源区温度分布的均匀性，从而提高器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN106449364B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201610985481.5
申请日：2016-11-09
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种用于钨沉积前的接触孔表面的处理方法，包括：第一步骤：对半导体器件晶圆的硅衬底执行接触孔干法刻蚀，形成接触孔；第二步骤：对形成的接触孔进行第一次湿法清洗以去除接触孔表面的杂质；第三步骤：通过离子注入，在接触孔表面形成的非晶态层，从而，使接触孔表面残留的聚合物的结构变得疏松，在后续湿法清洗中易于剥落；第四步骤：对接触孔进行第二次湿法清洗以去除接触孔表面的残留杂质和接触孔表面的非晶态层；第五步骤：对接触孔进行接触孔金属填充。
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