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公开(公告)号：CN101625400B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910056425.3
申请日：2009-08-14
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海光学仪器研究所
Abstract: 一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置，属测试领域。其在各光电探测器信号输出端，设置前置放大器、A/D变换模块和无线发射模块，在终端微机系统信号输入端，设置一个受单片机控制的无线数据接收模块；无线数据接收模块和多个无线发射模块构成多对一的、星型网络拓扑结构的无线信号传输单元；将各光电探测器的输出信号进行数字化并按时序地且附有地址编码地进行无线发射，无线数据接收模块在单片机的控制下，对所有无线发射模块所发出的无线传输信号按地址编码进行自动巡检/接收并送入终端微机系统；终端微机系统进行实时自动巡检并采集各组LED灯具的光强变化数据，对每一被测灯具，实施测试管理和集中数据处理。
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公开(公告)号：CN101589701B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910052306.0
申请日：2009-05-31
Applicant: 上海孙桥农业科技股份有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥现代农业联合发展有限公司 , 上海孙桥现代温室种子种苗有限公司
Abstract: 一种温室专用杀虫灯，属诱捕领域。包括构成灯体的单色光LED灯，其特征是在单色光LED灯周围，设置反射光波长为一特定光谱范围的单色光板，其单色光LED灯为针对温室鳞翅目类害虫有选择性吸引作用的单色LED灯，单色光板为对同翅目蚜虫、粉虱类害虫有吸引功效的单色黄板和/或对缨翅目蓟马类害虫有选择性吸引作用的单色蓝板；在单色光板的表面，设置粘虫胶层。本发明有效的解决了现有杀虫灯杀虫方式单一、破坏原有生态环境等不足，具有较高的杀虫效率，尤其对特定种类的靶标害虫具有极好的引诱和灭杀功效，经济实用，害虫对此不会产生抗性，利于保护生态环境，安装和使用安全、方便。可广泛用于现代化温室害虫的诱杀/灭害领域。
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公开(公告)号：CN101954617A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055069.3
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法，包括：采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光；采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光；所述第二浓度低于第一浓度，所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比，使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后，再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光，不必再经过退火步骤。此外，由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小，磨削效率高，分散性好，因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明，抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。
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公开(公告)号：CN101931037A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010244358.0
申请日：2010-08-03
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明实施例公开内量子效率较高的GaN基LED外延片、芯片及器件。上述外延片，包括P型区、N型区以及设置于P型区和N型区之间的有源层，该外延片基于非极性衬底；所述有源层包括多个量子阱组，所述量子阱组中包括量子阱，所述量子阱包括势垒层和势阱层，所述任一量子阱组的势阱层中铟组分含量与其他量子阱组的势阱层中铟组分含量不相同。从上述的技术方案可以看出，在本发明实施例中，基于非极性衬底可以制备出非极性GaN基材料。由于非极性GaN基材料的极化效应不强，也就不会产生强度较高的内建极化电场，从而降低了电子和空穴波函数向量子阱的两侧偏移、电子和空穴波函数交叠变少的概率，进而提高了内量子效率及发光效率。
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公开(公告)号：CN101813275A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010167595.1
申请日：2010-05-06
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S8/00 , F21V23/00 , F21V19/00 , F21V29/00 , F21V5/04 , F21V17/12 , F21W131/103 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及了一种高散热性能大功率LED路灯，它包括一个由灯壳与二次光学透镜组成闭合空腔中安装一个光源组件，该光源组件由一个接通光源的电源控制模块连接一个高散热大功率LED模块构成，提高了大功率LED路灯的性能及可靠性，有利于LED道路照明的早日普及。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101430223B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
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公开(公告)号：CN101779618A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910045469.6
申请日：2009-01-16
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥农业科技股份有限公司
Abstract: 一种采用单色LED灯对害虫进行选择性诱杀的方法，属消灭有害动物或有害植物用的设备领域。其利用LED发光器件的光谱波长单一性，采用可发出特定/指定波长的LED灯对指定种类的害虫进行诱杀或驱赶；其所述的LED灯为由多个LED发光器件构成的组合/复合式光源。由于其发光源只发出某种特定/指定波长的单色光或几种特定/指定波长的组合单色光，只对某一类或某几类害虫具有“吸引”性，可以避免现有技术中对各类昆虫的“广谱”吸引性，利用不同波长的单色光或单色光组合LED灯对当前高发的害虫进行有针对性的杀灭，是一种真正的生态型诱虫灯。可广泛用于农、林业的捕捉/杀灭/驱除有害昆虫领域。
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公开(公告)号：CN101276868A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037354.8
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及了一种通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，它包括p型金pad、n型金pad、发光有源层、衬底、透明电流扩展层、填充体，其中发光有源层通过MOCVD设备生长在衬底上，其中间有一层过渡层，填充体填充在发光有源层被刻蚀的一个孔里，透明电流扩展层通过薄膜生长技术生长在发光有源层表面，p型金pad蒸镀在透明电流扩展层上面，n型金pad在发光有源层被刻蚀掉的一个角位置上，本发明避免了发光有源层耗能不出光的缺陷，从而达到提高出二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101276832A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037355.2
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L27/15 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及了一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺，它包括n型金pad、透明电流扩展层、填充体、基板、p型金pad、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触，连接p电极金属导柱、隔离沟、辅助电流扩展层、n型金pad，其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触总称发光有源层，基板上制作有一绝缘层、导电层，发光有源层通过倒装技术倒贴在基板上，填充体填充在需要做金pad正下面的发光有源层被刻蚀掉的孔里，单个尺寸芯片有四个刻蚀孔，连接p电极金属导柱内嵌在两个连接这导电层的刻蚀孔里，透明电流扩展层通过薄膜生长技术制作在n型电极接触的上表面，n型金pad以及辅助电流扩展层通过蒸镀制作在透明电流扩展层上表面。通过氧化锌在微间距内实现芯片的串联，缩小了多芯片的尺寸，而且通过氧化锌的串联，相比于金丝串联，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN101958236B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
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