微型人类呼吸传感器
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100493452C

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200510112217.2

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种传感器技术领域的微型人类呼吸传感器。本发明包括:衬底、微电极或者其阵列层,微电极或者其阵列层设置在衬底上,微电极或者其阵列层中,微电极或者其阵列的阴阳两极由空气间隔相互隔离。本发明灵敏度高,信噪比高,不需要接触人体,安全性、稳定性高,根据应用场合工作电压可以控制在几伏到几十伏,敏感单元核心能耗处于10-5瓦特数量级,结构简单,适于量产,易于阵列化且制造成本低。可以用于医疗、心理分析等领域。

    基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法

    公开(公告)号:CN100443893C

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN200510112214.9

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种微细加工技术领域的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法,包括如下步骤:(1)衬底的清洗,(2)底电极层的制备,(3)金属支柱层的制备,(4)金属顶电极层的制备,(5)去除微铸模。本发明提出使用标准微电子加工技术中图形转换技术和金属微电铸技术,作为实现基于一维纳米材料的微气体传感器的制造工艺,可以极大提高对该种传感器核心结构要素的控制精度和器件结构设计的灵活性。因此可以极大提高器件的性能,包括提高精度、敏感度、安全性、稳定性和降低能耗与成本。并可以方便地实现器件的阵列化设计,并方便实现微型智能传感器。

    使用一维纳米材料的微型气体传感器

    公开(公告)号:CN100410659C

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200510112216.8

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种传感器技术领域的使用一维纳米材料的微型气体传感器。本发明包括:衬底、金属底电极层、一维纳米材料层、金属支柱层、金属顶电极层。其中,金属底电极层设置在衬底上,一维纳米材料层设置在金属底电极层之上,金属支柱层设置在衬底之上,金属顶电极层设置在衬底上。金属底电极层、一维纳米材料层与金属支柱层之间相互隔离,金属顶电极层和金属底电极层、一维纳米材料层之间有气体间隙相互隔离。本发明具有选择性高、灵敏度高、低能耗、成本低、易于实现阵列化、小型化的优点,并有利于提高安全性、稳定性。

    多个标定指标的气体成分分辨与识别方法

    公开(公告)号:CN101236178A

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN200810033990.3

    申请日:2008-02-28

    Inventor: 侯中宇 蔡炳初

    Abstract: 本发明涉及一种检测技术领域的多个标定指标的气体成分分辨与识别方法,利用由局部自持放电产生的离子流作为检测对象,采用“放电电极正极-放电电极负极-检测电极”三极结构形成放电区域和检测区域,通过改变检测电极的加载电压测量某种成分气体在检测区域内不同电场强度下形成的离子电流,将测量得到的“加载电压-检测电极电流”关系作为标定该成分气体的指标,在识别该成分气体时,用相同加载电压下的检测电极电流实测值与标定值进行对比。本发明能够显著提高场致电离气体传感器的选择性、敏感性;相对于间隙击穿电学特征检测方法,本发明能够极大改善器件的稳定性、寿命、可靠性和识别精度。

    一种消除物体表面沾污的方法及装置

    公开(公告)号:CN113649360A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110937674.4

    申请日:2021-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种消除表面沾染的方法及其装置。所述方法包括发射自由电子;生成自由电子加速电场,加速所发射的自由电子;生成自由电子碰撞过程调制电场,控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程,生成碰撞电离自由电子;分步地控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于沾染表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与被沾染表面所在的复杂气氛之间界面的能量要求,通过分级分区域地结构设计,可实现低能自由电子的有效透过;通过分步地构建状态不同的加速电场和调节气压,控制被沾染物质周围电子能量的时变过程和作用次序。

    一种电离式传感器的制造方法

    公开(公告)号:CN108128750A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201711339805.9

    申请日:2017-12-14

    Inventor: 侯中宇

    Abstract: 本发明公开了一种电离式传感器的制造方法,包括在微纳电极基片基体材料上制备正面微纳放电电极阵列及背面电极;在转接板绝缘体基体材料上设置导电层电极;连接微纳电极基片的背面电极与转接板的正面电极,并相对固定;切断微纳电极基片但不切断转接板,在微纳放电电极阵列之间形成一条或多条气体间隙,以及将转接板电极接入信号检测电路,进行传感器信号检测等步骤。与现有技术相比,本发明通过分别控制微纳功能结构和辅助结构的加工质量,在器件结构具有微小电极间隙、放电电极系统为微纳结构的基础上,实现快速、低成本、高工艺兼容性的大批量加工制造。

    一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法及其装置

    公开(公告)号:CN103043601B

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201310001074.2

    申请日:2013-01-04

    Inventor: 侯中宇 房茂波

    Abstract: 本发明公开了一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法,包括步骤:制备纳米材料混合液或纳米材料溶液;制造载气流场;形成纳米材料雾化液滴;载气流场带动纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面。本发明还公开了一种基片强适应性纳米材料均匀化成膜装置,包括液体样品容器、超声雾化器、向上气流发生器、系统状态控制器。本发明能够通过制造均匀的载气流场,实现均匀的雾化液滴流,极大地提高了基片表面雾化液滴的覆盖均匀性,从而提高纳米材料的成膜均匀性,更好地实现了对成膜厚度的控制。此外,本发明所述方案对操作环境、基片类型、纳米材料的类型等因素具有很好的适应性。

    一种基于微间隙极化结构构造放电电场的电离式传感器

    公开(公告)号:CN103645242A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201310646172.1

    申请日:2013-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种基于微间隙极化结构构造放电电场的电离式气体传感器,包括:外接电路电极对、极化结构和大长径比材料,极化结构设置于外接电路电极对之间的区域,大长径比材料至少设置于极化结构和外接电路电极对中的一个部件上。本发明所述传感器在工作时,仅需要在外接电路电极上加载较低的电压,就能够通过极化结构的极化作用,在极化结构和外接电路电极之间产生足以电离目标气体分子的电场,从而有效降低传感器工作电压。与既有技术中外接电路电极对之间的微小间隙结构相比,可以有效防止灰尘、纤维等污染物掉落在微小间隙中所造成的不稳定和失效问题,同时能够提高信噪比和敏感度。

    一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法

    公开(公告)号:CN102332375B

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201110226566.2

    申请日:2011-08-09

    Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法,具体包括如下步骤:在衬底上制备三维微放电电极;在微电极表面沉积聚合物介质薄膜;形成介质和电极交替结构;在未覆盖介质的微电极上沉积一维纳米材料。本发明可以有效改善介质对微放电电极表面的覆盖性,增强了介质对离化的抑制作用,所形成的交替介质和电极结构,可避免电极间的碳纳米管的短路故障,提高器件的工作寿命和制备合格率。

    大长径比侧壁电极及其制造方法

    公开(公告)号:CN101383256B

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN200810201597.0

    申请日:2008-10-23

    Abstract: 一种电子器件技术领域的大长径比电极的侧壁电极及其制造方法,所述的大长径比电极长度方向彼此平行并且平行于基片,如果电极层数大于两层,则各层堆叠排列,每两层大长径比电极之间填充有固态绝缘材料,所述的大长径比电极,在长度方向上分为相互电绝缘的不同部分,每两个部分之间,存在间隙,其中填充有气态或液态绝缘物质。所述方法为:在基片表面沉积电极材料薄膜,使用图形转移方法形成大长径比电极阵列,如果是单层电极,则直接形成包含电极间隙的图形,如果是多层电极,则在电极材料表面沉积固态绝缘材料,制造多层大长径比电极的堆叠结构,再形成电极间隙。本发明电场增强系数更高,且其他电场极化特征能更加可控地加以优化。

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