公开(公告)号：CN102332375A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110226566.2

申请日：2011-08-09

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 徐东 ,  侯中宇 ,  王雨化

IPC: H01J9/02

Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法，具体包括如下步骤：在衬底上制备三维微放电电极；在微电极表面沉积聚合物介质薄膜；形成介质和电极交替结构；在未覆盖介质的微电极上沉积一维纳米材料。本发明可以有效改善介质对微放电电极表面的覆盖性，增强了介质对离化的抑制作用，所形成的交替介质和电极结构，可避免电极间的碳纳米管的短路故障，提高器件的工作寿命和制备合格率。

公开(公告)号：CN102332375B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201110226566.2

申请日：2011-08-09

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 徐东 ,  侯中宇 ,  王雨化 ,  回兵 ,  张亚非

IPC: H01J9/02

Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法，具体包括如下步骤：在衬底上制备三维微放电电极；在微电极表面沉积聚合物介质薄膜；形成介质和电极交替结构；在未覆盖介质的微电极上沉积一维纳米材料。本发明可以有效改善介质对微放电电极表面的覆盖性，增强了介质对离化的抑制作用，所形成的交替介质和电极结构，可避免电极间的碳纳米管的短路故障，提高器件的工作寿命和制备合格率。

公开(公告)号：CN101695997A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200910309577.X

申请日：2009-11-12

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 魏浩 ,  张亚非 ,  郭炜 ,  王雨化 ,  赵刚

IPC: C01B19/00 ,  C01B19/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种光电材料技术领域的铜锌锡硒光电材料的制备方法，包括如下步骤：步骤一，将铜粉，锌粉和锡粉分别用硫酸或盐酸处理；步骤二，减压过滤，真空干燥；步骤三，之后与硒粉混合，在惰性气体保护下球磨；步骤四，将球磨好的物料静压得到块体；步骤五，在惰性气体保护下烧结，得到铜锌锡硒光电材料。本发明的方法避免了脉冲激光沉积等方法存在的设备昂贵、不易于大面积沉积以及需高温硒化等缺点，具有设备要求简单，适合工业化生产的优点。