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公开(公告)号：CN113647552B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110941068.X
申请日：2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种食品处理方法及装置。所述方法包括发射自由电子；生成自由电子加速电场，加速所发射的自由电子；生成自由电子碰撞过程调制电场，控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程，生成碰撞电离自由电子；控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于食品表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与食品所在的常压气氛界面时的能量要求，通过分级分区域地结构设计，可实现低能自由电子的有效透过，更进一步地通过构建食品周边区域的加速电场和调节气压。本发明解决了电子束食品处理技术中的高能电子破坏营养物质问题，以及副产物多、应用条件复杂的问题，同时实现食品净化、保鲜可控。
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公开(公告)号：CN117572175A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311643424.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 上海摩仑工业技术有限公司 , 上海交通大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开一种耦合光谱诊断的模拟内绝缘失效状态的器件，包括金属壳体、第一内绝缘构件、第二内绝缘构件、光学透明异放通道、第一模拟电极、第二模拟电极、内绝缘材料和光纤通道。第一内绝缘构件和第二内绝缘构件紧密接触并无气隙且两者内部设有内绝缘材料。光学透明异放通道穿设在第一内绝缘构件和第二内绝缘构件中，电磁波透过率在可见光频段均大于60%。第一端部电极和第二端部电极相对间隔设置在光学透明异放通道内且两者之间的气隙构成模拟内绝缘失效放电空间。本发明的器件能够实现对内绝缘失效所产生的等离子体的电子密度、电子温度和化学成分等复杂状态实现同步诊断分析。解决内绝缘失效所产生的等离子体缺乏状态标定的问题。
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公开(公告)号：CN113647552A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110941068.X
申请日：2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种食品处理方法及装置。所述方法包括发射自由电子；生成自由电子加速电场，加速所发射的自由电子；生成自由电子碰撞过程调制电场，控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程，生成碰撞电离自由电子；控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于食品表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与食品所在的常压气氛界面时的能量要求，通过分级分区域地结构设计，可实现低能自由电子的有效透过，更进一步地通过构建食品周边区域的加速电场和调节气压。本发明解决了电子束食品处理技术中的高能电子破坏营养物质问题，以及副产物多、应用条件复杂的问题，同时实现食品净化、保鲜可控。
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公开(公告)号：CN103043601A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310001074.2
申请日：2013-01-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法，包括步骤：制备纳米材料混合液或纳米材料溶液；制造载气流场；形成纳米材料雾化液滴；载气流场带动纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面。本发明还公开了一种基片强适应性纳米材料均匀化成膜装置，包括液体样品容器、超声雾化器、向上气流发生器、系统状态控制器。本发明能够通过制造均匀的载气流场，实现均匀的雾化液滴流，极大地提高了基片表面雾化液滴的覆盖均匀性，从而提高纳米材料的成膜均匀性，更好地实现了对成膜厚度的控制。此外，本发明所述方案对操作环境、基片类型、纳米材料的类型等因素具有很好的适应性。
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公开(公告)号：CN113658837B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110937648.1
申请日：2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种引导自由电子透过固体的方法及结构。所述固体的外表面具有相对的第一界面和第二界面，第一界面和第二界面之间具有多个空腔结构；所述方法包括：控制固体的第一界面接触自由电子；向固体施加电场，使得聚集在空腔结构的至少部分自由电子从第二界面逸出。本发明能够使得能量范围更宽的自由电子透过，大大提高电子束技术的应用范围，解决传统电子束技术普遍存在的高能电子的韧致辐射等副产物问题。本发明所提出方法的实现结构利于通过微电子加工技术或激光技术、微纳增材制造技术加工实现，对集成度要求高的电子束系统应用适应性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113658837A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110937648.1
申请日：2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种引导自由电子透过固体的方法及结构。所述固体的外表面具有相对的第一界面和第二界面，第一界面和第二界面之间具有多个空腔结构；所述方法包括：控制固体的第一界面接触自由电子；向固体施加电场，使得聚集在空腔结构的至少部分自由电子从第二界面逸出。本发明能够使得能量范围更宽的自由电子透过，大大提高电子束技术的应用范围，解决传统电子束技术普遍存在的高能电子的韧致辐射等副产物问题。本发明所提出方法的实现结构利于通过微电子加工技术或激光技术、微纳增材制造技术加工实现，对集成度要求高的电子束系统应用适应性强。
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公开(公告)号：CN102933015B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201210464656.X
申请日：2012-11-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明公开了一种电场极化增强的放电电极，用于产生等离子体，其包括阴极、阳极和两者之间的电场极化增强结构。其中电场极化增强结构由单个的一维纳米结构或多个一维纳米结构的排列构成，其与阴极和阳极皆不接触。本发明还提出了九种利用一维纳米结构构造的电场极化增强结构的结构，并提供了相应的电场极化增强的放电电极的结构和制备方法。本发明通过将由一维纳米结构构成的电场极化增强结构设置在阴极与阳极之间的区域，可降低产生等离子体所需要的工作电压，并且能够避免传统技术中由于气体放电或者液体放电过程中各种辐射和粒子轰击效应对一维纳米结构的损害，由此有利于维持一维纳米结构有益效果的稳定性并延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN102945777A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210468934.9
申请日：2012-11-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01J1/52
Abstract: 本发明公开了一种电场极化增强的放电电极，用于产生等离子体，其包括阴极、阳极和两者之间的电场极化增强结构。其中电场极化增强结构由单个的一维纳米结构或多个一维纳米结构的排列构成，其与阴极和阳极皆不接触。本发明还提出了九种利用一维纳米结构构造的电场极化增强结构的结构，并提供了相应的电场极化增强的放电电极的结构和制备方法。本发明通过将由一维纳米结构构成的电场极化增强结构设置在阴极与阳极之间的区域，可降低产生等离子体所需要的工作电压，并且能够避免传统技术中由于气体放电或者液体放电过程中各种辐射和粒子轰击效应对一维纳米结构的损害，由此有利于维持一维纳米结构有益效果的稳定性并延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN117538705A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311640427.3
申请日：2023-12-01
Applicant: 上海摩仑工业技术有限公司 , 上海交通大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开耦合微波等离子体诊断功能结构的内绝缘失效状态的器件，包括导体封闭腔；第一微波波导设于其中一个第一通孔或第二通孔内；第二微波波导设于另一个第一通孔或第二通孔内；第一绝缘介质设置于导体封闭腔内；微波透过异放通道由透波绝缘介质材料构成，其电磁波透过率在2~26.5GHz均大于60%，其穿设于第一绝缘介质内且两者之间形成的第一界面不设置气隙；第一端部电极和第二端部电极相对且间隔设于微波透过异放通道内且与微波透过异放通道的内壁之间形成的第二界面不设有气隙，第一端部电极和第二端部电极之间存在气隙以构成模拟内绝缘失效放电空间。通过微波透过方式提供异放等离子体的色散特性的诊断与标定信息。
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公开(公告)号：CN113649360B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202110937674.4
申请日：2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种消除表面沾染的方法及其装置。所述方法包括发射自由电子；生成自由电子加速电场，加速所发射的自由电子；生成自由电子碰撞过程调制电场，控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程，生成碰撞电离自由电子；分步地控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于沾染表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与被沾染表面所在的复杂气氛之间界面的能量要求，通过分级分区域地结构设计，可实现低能自由电子的有效透过；通过分步地构建状态不同的加速电场和调节气压，控制被沾染物质周围电子能量的时变过程和作用次序。
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