公开(公告)号：CN113649360A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110937674.4

申请日：2021-08-16

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 侯中宇 ,  丁衡高 ,  房茂波 ,  田遵义

IPC: B08B7/00 ,  B08B13/00

Abstract: 本发明公开了一种消除表面沾染的方法及其装置。所述方法包括发射自由电子；生成自由电子加速电场，加速所发射的自由电子；生成自由电子碰撞过程调制电场，控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程，生成碰撞电离自由电子；分步地控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于沾染表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与被沾染表面所在的复杂气氛之间界面的能量要求，通过分级分区域地结构设计，可实现低能自由电子的有效透过；通过分步地构建状态不同的加速电场和调节气压，控制被沾染物质周围电子能量的时变过程和作用次序。

公开(公告)号：CN113649360B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202110937674.4

申请日：2021-08-16

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 侯中宇 ,  丁衡高 ,  房茂波 ,  田遵义

IPC: B08B7/00 ,  B08B13/00

Abstract: 本发明公开了一种消除表面沾染的方法及其装置。所述方法包括发射自由电子；生成自由电子加速电场，加速所发射的自由电子；生成自由电子碰撞过程调制电场，控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程，生成碰撞电离自由电子；分步地控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于沾染表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与被沾染表面所在的复杂气氛之间界面的能量要求，通过分级分区域地结构设计，可实现低能自由电子的有效透过；通过分步地构建状态不同的加速电场和调节气压，控制被沾染物质周围电子能量的时变过程和作用次序。