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公开(公告)号:CN113649360A
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202110937674.4
申请日:2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种消除表面沾染的方法及其装置。所述方法包括发射自由电子;生成自由电子加速电场,加速所发射的自由电子;生成自由电子碰撞过程调制电场,控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程,生成碰撞电离自由电子;分步地控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于沾染表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与被沾染表面所在的复杂气氛之间界面的能量要求,通过分级分区域地结构设计,可实现低能自由电子的有效透过;通过分步地构建状态不同的加速电场和调节气压,控制被沾染物质周围电子能量的时变过程和作用次序。
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公开(公告)号:CN113649360B
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202110937674.4
申请日:2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种消除表面沾染的方法及其装置。所述方法包括发射自由电子;生成自由电子加速电场,加速所发射的自由电子;生成自由电子碰撞过程调制电场,控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程,生成碰撞电离自由电子;分步地控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于沾染表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与被沾染表面所在的复杂气氛之间界面的能量要求,通过分级分区域地结构设计,可实现低能自由电子的有效透过;通过分步地构建状态不同的加速电场和调节气压,控制被沾染物质周围电子能量的时变过程和作用次序。
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公开(公告)号:CN113647552B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202110941068.X
申请日:2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种食品处理方法及装置。所述方法包括发射自由电子;生成自由电子加速电场,加速所发射的自由电子;生成自由电子碰撞过程调制电场,控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程,生成碰撞电离自由电子;控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于食品表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与食品所在的常压气氛界面时的能量要求,通过分级分区域地结构设计,可实现低能自由电子的有效透过,更进一步地通过构建食品周边区域的加速电场和调节气压。本发明解决了电子束食品处理技术中的高能电子破坏营养物质问题,以及副产物多、应用条件复杂的问题,同时实现食品净化、保鲜可控。
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公开(公告)号:CN113647552A
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202110941068.X
申请日:2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种食品处理方法及装置。所述方法包括发射自由电子;生成自由电子加速电场,加速所发射的自由电子;生成自由电子碰撞过程调制电场,控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程,生成碰撞电离自由电子;控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于食品表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与食品所在的常压气氛界面时的能量要求,通过分级分区域地结构设计,可实现低能自由电子的有效透过,更进一步地通过构建食品周边区域的加速电场和调节气压。本发明解决了电子束食品处理技术中的高能电子破坏营养物质问题,以及副产物多、应用条件复杂的问题,同时实现食品净化、保鲜可控。
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公开(公告)号:CN113658837B
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202110937648.1
申请日:2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种引导自由电子透过固体的方法及结构。所述固体的外表面具有相对的第一界面和第二界面,第一界面和第二界面之间具有多个空腔结构;所述方法包括:控制固体的第一界面接触自由电子;向固体施加电场,使得聚集在空腔结构的至少部分自由电子从第二界面逸出。本发明能够使得能量范围更宽的自由电子透过,大大提高电子束技术的应用范围,解决传统电子束技术普遍存在的高能电子的韧致辐射等副产物问题。本发明所提出方法的实现结构利于通过微电子加工技术或激光技术、微纳增材制造技术加工实现,对集成度要求高的电子束系统应用适应性强。
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公开(公告)号:CN113658837A
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202110937648.1
申请日:2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种引导自由电子透过固体的方法及结构。所述固体的外表面具有相对的第一界面和第二界面,第一界面和第二界面之间具有多个空腔结构;所述方法包括:控制固体的第一界面接触自由电子;向固体施加电场,使得聚集在空腔结构的至少部分自由电子从第二界面逸出。本发明能够使得能量范围更宽的自由电子透过,大大提高电子束技术的应用范围,解决传统电子束技术普遍存在的高能电子的韧致辐射等副产物问题。本发明所提出方法的实现结构利于通过微电子加工技术或激光技术、微纳增材制造技术加工实现,对集成度要求高的电子束系统应用适应性强。
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