半导体装置
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110998988B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201780093341.X

    申请日:2017-07-21

    Abstract: 具有:金属体(30b),其形成有贯通孔(30c);插座(30a),其以不堵塞该贯通孔的方式覆盖该金属体;连接端子(30d),其与该金属体(30b)直接连接或者电连接,露出至该插座的外部;控制基板(10),其具有金属图案(10B)和电路图案(10A);以及半导体芯片(20),其具有不与该金属体相接地穿过该贯通孔而与该电路图案连接的控制端子(TK),该连接端子(30d)与该金属图案(10B)直接连接或者电连接。

    半导体装置及半导体模块
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113678261A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201980095117.3

    申请日:2019-04-09

    Abstract: 本发明涉及半导体装置,其具有:半导体基板,其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域;聚酰亚胺膜,其设置于有源区域之上及末端区域之上;以及钝化膜,其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的,末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域,聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的,钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。

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