公开(公告)号：CN101107719A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580013772.8

申请日：2005-11-28

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 唐木田升市 ,  西田隆彦 ,  中谷光德 ,  森川浩昭

IPC分类号： H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022425 ,  Y02E10/50

摘要： 在具备具有光电变换功能的衬底、在上述衬底的一个面一侧设置的第一电极、在上述衬底的另一个面一侧设置的第二电极、以及在上述衬底的另一个面一侧在上述衬底的面内方向上其外缘部与上述第二电极交叠地设置的、用于从上述第二电极取出输出的第三电极的太阳能电池单元中，通过使上述第二电极的厚度比上述第三电极的厚度厚且使上述第二电极的厚度与上述第三电极的厚度之差大于等于10μm、小于等于30μm，得到有效地防止了电极剥离(合金剥离)的太阳能电池单元。

公开(公告)号：CN107924956B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201580082173.5

申请日：2015-10-21

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森川浩昭 ,  西野裕久 ,  中泽幸子 ,  浜笃郎 ,  细川雄一朗

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 太阳能电池的制造方法包括：将具有包含第1浓度的杂质且具有第1电阻值的第1部位(61)和杂质的浓度是高于第1浓度的第2浓度且具有小于第1电阻值的第2电阻值的第2部位(62)的扩散层(6)形成于半导体基板(1)的受光面侧的步骤；将针对第1部位(61)的反射率大于针对第2部位(62)的反射率的检测光(70)照射到扩散层(6)的步骤；以及基于被扩散层(6)的各部位反射的检测光(70)的反射率的差异，检测扩散层(6)中的与第1反射率对应的第1部位(61)和与小于第1反射率的第2反射率对应的第2部位(62)的步骤。

公开(公告)号：CN109463041A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201680087244.5

申请日：2016-07-04

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森川浩昭 ,  米泽雅人 ,  西村邦彦 ,  太田成人

IPC分类号： H02S50/10 ,  H01L31/068

摘要： 太阳能电池单元的评价用基板具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及栅格间杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在宽度方向上相邻的栅格杂质区域之间的区域以比第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质。太阳能电池单元的评价用基板具备：第1杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。

公开(公告)号：CN105247686B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201380076925.8

申请日：2013-05-28

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森川浩昭

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50

摘要： 一种太阳能电池单元，具备：第1导电类型的半导体基板，在作为受光面侧的一面侧具有扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；受光面侧电极，由栅电极和与所述栅电极导通且比所述栅电极更宽幅的汇流电极构成，该受光面侧电极在所述一面侧形成而与所述杂质扩散层电连接；以及背面侧电极，在所述半导体基板的与所述一面侧相反的一侧的背面中形成而与所述杂质扩散层电连接，其中，所述受光面侧电极具备第1金属电极层，该第1金属电极层是与所述半导体基板的一面侧直接接合了的金属膏电极层；第2金属电极层，由与所述第1金属电极层不同并且具有与所述第1金属电极层大致等同的电阻率的金属材料构成，是覆盖在所述第1金属电极层上而形成了的镀覆电极层，所述栅电极的剖面积是300μm2以上，所述栅电极的电极宽度是60μm以下。

公开(公告)号：CN104521002B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201280075188.5

申请日：2012-08-09

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 米泽雅人 ,  西村邦彦 ,  太田成人 ,  森川浩昭

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造：第一工序，对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21)；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域，从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a)；第三工序，在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。

公开(公告)号：CN101913209B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010255701.1

申请日：2005-05-11

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森川浩昭 ,  唐木田昇市 ,  河嵜贵文

IPC分类号： B28D5/04 ,  C09K3/14

摘要： 本发明提供一种硅片的制造方法，所述硅片的制造方法具有使用硅锭切割用浆液由硅锭切出具有预定的表面粗糙度的硅块的步骤、以及由所述硅块切出分别具有预定的厚度的硅片的步骤，所述硅锭切割用浆液含有磨粒和碱性物质，所述浆液含有相对于所述浆液的液体成分中的水分的质量比为0.5以上、5.0以下的有机胺，所述浆液的pH值为12以上，且在65℃以上、95℃以下的温度下使用所述浆液，所述预定的表面粗糙度被设定成基板损坏改善率为80％以上的区域的上限值以下。

公开(公告)号：CN102017187B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880128931.2

申请日：2008-04-30

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 米泽雅人 ,  筈见公一 ,  高见明宏 ,  森川浩昭 ,  西村邦彦

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明提供一种光电动势装置的制造方法，无需大量追加制造工序，而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括：在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序；在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103)，在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处，形成微细孔(104)的工序；以微细孔(104)的形成位置为中心，以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式，对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序；在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序；以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。

公开(公告)号：CN101088167B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200580017453.4

申请日：2005-11-28

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 西田隆彦 ,  中谷光德 ,  森川浩昭 ,  唐木田升市

IPC分类号： H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50

摘要： 通过具备光电变换层、在上述光电变换层的一个面一侧设置的第一电极、在上述光电变换层的另一个面一侧设置的第二电极以及在上述光电变换层的另一个面一侧在上述光电变换层的面内方向上其外缘部与上述第二电极交叠、同时将其角部作成圆角部、设置成大致四角形状并用于从上述第二电极取出输出的第三电极，得到有效地防止了与上述第二电极交叠地设置的上述第三电极的剥离的太阳能电池单元。

公开(公告)号：CN102067332A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880129964.9

申请日：2008-06-23

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森川浩昭

IPC分类号： H01L31/052 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/02327 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

摘要： 得到一种具有用于有效利用光电动势装置中的背面侧的反射光的结构的光电动势装置。具备：p型硅衬底(12)；n型扩散层(13)，其是在p型硅衬底(12)的光入射面侧扩散n型杂质而得到的；表面电极，其形成在n型扩散层(13)上；p+层(14)，其形成在与p型硅衬底(12)的光入射面相对的背面；背面银电极(18)，其形成在p+层(14)上的规定位置处；以及由绝缘性材料构成的反射层(20)，其形成在形成有背面银电极(18)的p+层(14)上，用于反射光。

公开(公告)号：CN101657909A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880006499.X

申请日：2008-02-26

申请人： 日立化成工业株式会社 ,  三菱电机株式会社

发明人： 冈庭香 ,  清水健博 ,  森川浩昭

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种通过提高光利用率、能够提高发电效率的太阳电池模块。密封材(202)为第1层(由于保护玻璃(201)与密封材(202)的折射率大致相同，因此在光学方面考虑为相同)、聚光膜(300)为第2层、反射防止层(104)为第3层、n型层(103)为第4层，而且各层的各折射率为，第1折射率n 1 、第2折射率n 2 、第3折射率n 3 、第4折射率n 4 ，则n 1 ≤n 2 ≤n 3 ≤n 4 成立，作为这些透光层中的一层的第2层的聚光膜(300)如上所述使入射光(205)的入射侧(300a)成为凹凸形状。